Главная Об интегральных микросхемах



Продолжение табл. 2.230

Параметр

Режим измерения на выводах (напряжение. В, время, не)

В* KJ

а. е

С со

>,

а

«

э-«1

8-W: Л?-/5; 19-21; 2-4

tap, НС, не более

480.3000 710...3000

280...3С00 6IO...3C00

180 350

<50

3,5... 5,25

-1...0,8

I5t) 200

3,5... 5,25

-1...0,8

150 200

2С0 250

>зго

>460

>0

<рег.-мс, не более

480...3000 710...30С0

280...3000 510...3000

<50

3,5... 5,25

-1...0,8

150 200

3,5... 5,25

-1...0,8

150 >200

200 250

330 460

>Q

ва. НС,

не более

440...3000 660...3000

250...3000 460...3000

<20

>0

>с >о >о

3,5...5,25

-1...0.8

130 180

3,5...5,25

-1.\.0,8

>130 00

>180 220

280 430

>0

/ц сч» НС,

не более

440...3000 660...3000

250 460

160 300

<20

3,5... 5,25

-1...0,8

130 180

3,5... 5,25

-1...0,8

130 0

>180 220

280 >430

<цЗП, НС,

не более

440 660

250...3000 460...3000

<20

>0

3,5... 5,25

-1...0,8

>130

3,5... 5,25

-1...0,8

130 >200

180 220

280 430

ва. НС,

не более

480...3000 710...3000

280...3000 510...3000

<20

3,5... 5,25

-К..0,8

>150 200

3,5... 5,25

-1...0,8

150 >200

200 >250

330 460

>0

<цсч. НС,

не более

480...3000 710...3000

280 510

180 350

<20

3,5... 5,25

-1...0,8

150 5200

3,5... 5,25

-1...0,8

150 200

200 250

S5330 460

*цзп> С, не более

480 510...3000

280...3000 510...3000

<20

>0

3,5... 5,25

-1...0,8

2150 200

3,5... 5,25

-1...0,6

>:.оо

200 250

330 460

t/аыхи. В

(при

<100 мкА)

480...3000 710...3000

280...3000 510.;.3000

<20

3,5... 5,25

-1...0,8

>150 200

3,5... 5,25

-1...0,8

>150 200

200 50

330 >460

>0



продолжение табл. 2.230

Параметр

Т. «с

сч» НС,

не более

500(A) 900 (Б)

-10. +55

11,4 12.6

4,75 5,25

-4.75 -5.25

3.5... 5,25

-1...0,8

3,5... 5.25

-1...0,8

10.4... 13.6 -1...1

зп. НС,

не более

700 (А) 1100 (Б)

-10.+55

11.4

4,75

12.65,25

1.75

3,5... 5,25

-1...0,8

3,5... 5,25

-1...0,8

10,4... 13,6

-1...1

(при

/вь,х< <100 мкА)

2,4... 5,25

(А) 2,4... 5.25

-10,+55

11,4

4.75

-4,75

-1...0,8

10,4... 13.6

-1...1

С/выхи. В (при

ЙмА)

Свх. пФ. не более

Свых, пФ. не более Свх р. пФ, не более

0...04

(А) 0...0,4

6 6 25

-10.+55

11.4

4.75

1,75

-1...0.8

3.5... 5,25

>0

10,4... 13,6

-1...1



Режим измерения иа выводах* (напряжение. В, время, не)

S~lO; 13-IS: IS-21: 2-4

о. о

480...3000 710...3000

280...3000 510...3000

<20 0 0

3,5...5,25

-1...0,8

э150 s200

3,5... 5,25

-1...0,8

>150200

Si460

При измерении электрических параметров между выводами питания (/, , /8) в общрм вывэдом подключаются конденсаторы С1-СЗ емкостью 3300 пФ±20%.

Тф-длительность фронта сигнала.

" fy р зд.(.ч~Ря установления сигнала разрешения относительно сигнала запись-считывание. * /у рд-время установления сигнала разрешения относительно сигнала адреса.

у ап-сч р-время устшювления сигнала запись-считывание относительно сигнала разрешения. . ,

у зп-сч и""?** удержания сигнала запись-считывание относительно сигнала входной инфромацки. На выходе микросхем подключаются: емкость нагрузки C = БО пФ ±10% (к выводу 22) н резистор нагрузки Рд= 1 кОм ±107о (к напряже-ишо +2.3 В»:



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 [110] 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0096