Главная Об интегральных микросхемах



Время сохра£[ения сигнала данных относительно сигнала

строба адреса, не более.......... 200 не

Время-задержки строба адреса относительно импульса тактового сигнала, не более .........

Время задержки строба адреса относительно импульса тактового сигнала, не бблее .........

Время задержки сигнала подтверждения ПД относительно

импульса тактового сигнала, не более...... 300 не

Длительность импульса сигнала -считывания на заданном

уровне...............50 НС

Время задержки сигнала считывания относительно импульса тактового сигнала, не более ........ 250 не

Время задержки сигнала считывания относительно импульса тактового сигиала, не более ........ 250 не

Время задержки включения верхнего уровня сигнала Считывания относительно импульса тактового сигнала, не более..............

Время задержки выключения сигиала считывания относительно импульса тактового сигнала, не более .... Время задержки сигнала считывания относительно выключения шины данных, не менее........

Время задержки сигнала считывания относптельно строба

адреса, не менее .......... .

Длительность импульса сигнала записи на заданном уровне ................

Время задержки сигнала записи относительно импульса

тактового сигнала, не более ........

Время задержки сигнала записи относительно импульса

тактового сигнала, не"" более........

Время задержки включения .верхнего уровня сигнала записи относительно импульса тактового сигнала, не более Время задержки выключения сигнала записи относительно

импульса тактового сигнала, не более...... 200 не

Длительность импульса сягнала удлиненной записи на заданном уровне..........., 50 НС

Время задержки сигнала удлиненной записи относительно

импульса тактового сигнала, не более...... 250 не

Время задержки включения сигнала удлиненной записи относительно выключения шины данных, не менее Бремя задержки сигнала удлиненной записи относительно

строба адреса, не менее.........

Время сдвига сигнала готовности относительно импульса

тактового сигнала, не менее ........

Время удержания сигнала готовности относительно импульса тактового сигнала, не менее ......

Время удержания сигнала готовности относительно импульса тактового сигнала, не менее ......

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КР580ИК55

Напряжение источника питания, не более . . ." . . 5,5 В

Входное напряжение «1», не более....... 5,5 В

Выходной ток «1», не более......... 0,1 мА

Выходной ток «О», ие более 1,8 мА

Входное напряжение «О», не менее , . "..... -0,3 В



Таблнца 2.237

Параметр

КР580ИК57

Режим измерения

[/вых. В, не менее (прн /вых= =0,15 мА)

С/вых. В. не более (при /Vk= = =1,6 мА)

0,45

1-6, 8, 9 .

/•утвх. мкА, не более

10-12

/"пот. мА, не более

2. 4, 7. 8, II, 13-15

Сует, нс, не менее

16-19

/сует, мкс, не менее

16-19

/зпв-в. нс, не менее

16-19 • .•

Примечания:!. Г= -1О...+70°С. 2. U<bx=2,3 В. 3. U„„-=i.75 В. 4. Uobx= =0,51 В. 6. С„„упр=15Э пФ. е. q,ynp=190 пФ. 7. т.=0,65 мкс. 8. т.=0,25 цкс. 9.1.,= =0.6 мкс. 10. Г= +70°С. II. U„n=5.25 В. 12. U„gn=5,25 В. 13. Г= -10°С. 14. 50 пФ< ««нущУгООпФ. 15. 75пФ<Супр<200 пФ. 16. [/>вх=0.45 В. 17. 1/Овь„=0,45 В-18. 1/вх=2.* В. 19. ивых=2.4 В.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КР580ИК80Л в диапазоне темпера:тур -10 ... +70"С

Положительное напряжение:

на выводе 2в t/ищ.......... 13.2 В

на выводе 20 t/я п2....... • - • • 5.5 В

Отрицательное напряжение- на вьшоде 11 Пивз ~ -5,5 В

Положительное напряжение на выводах 22 и 15 . . . 13 В

Отрицательное напряжениена выводах 22 п 15 . . . 0,3 В

Положительное напряжение на входах..... 5,5 В

Отрицательное напряжение на входах...... . -0,3 В

Положительное напряжение, подаваемое на шины данных, и адреса в режиме захвата шин в период действия сигнала сброса.............. 5,5 В

Отрицательное напряжение, подаваемое на шины данных и адреса в режиме захвата шин и в период действия сигнала

сброса.............. -0,3 В

Выходной ток:

вых......• •...... «-«А

............... 1.8 -«А

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации ИС серии КР580

Напряжения, подаваемые на любой из выводов относительно вывода 20, В..........-0,3...7

Максимальная потребляемая мощность, Вт, не более. . 1



СЕРИЯ КР582

Тип логики: PL. Состав серии:

КР582ИК1 - 4-разрядный параллельный микропроцессор. КР582ИК2 - 4-разрядный параллельный микропроцессор.

Корпус: пластмассовый, прямоугольный 413.48-3.

Ток питания: 145 мА±10%.

Классификационные параметры

Микрокоманды

КР582ИК1 .......... 4608

КР582ИК2.........• . 512

Регистр общего назначения КР582ИК1 . . . восемь 1-адресных

Рабочие регистры ..... . . . . два 4-разрядных

Электрические параметры приведены в табл. 2.238.

Таблица 2.238

Параметр

КР582ИК1

КР582ИК2

1/вх. В, не менее

В, не более

-Г/вых В, не более /вых> мкА, не более /вх1-МкА, не более,.

здр> 1др от входа до выхода,

НС, не более

1др здр от входа синхронизации до выхода, НС, не более

0.4 400...650 250...500

1200

I-.5

0.4 400... 650 250...50П

500-

1200

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Ток питания........

Входное напряжение «1». не более

Входной ток, не более .....

Выходное напряжение «1», не более .

Емкость нагрузки, не более:

по выходам 18, 20. 22, 23. 25, 26, 27

по выходам 40, 44, 46, 47 . .

по выходам 8, 10, 38. 39, 41, 42 . .

130... 160 мкА 3,3 В

1.2 мА

3.3 В

400 пФ 300 пФ .100 пФ



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 [116] 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.016