Главная Об интегральных микросхемах



KSZHAi /свигидг кб-гндз ((5-игнди /вигндв

1 3 11 Э Z2 .- ff

д


1J 3 11 "5 «


Таблица 3.57

Параметр

К542НД1 - КБ42НД5

Режим измерения

ср пр. В, не более

2, 3

/сробр. мкА, не более

2, 3

/?из. МОм

Примечания: 1. Режимы шмерения и нормы на параметры указаны для одеого диода микросхемы при условии, что остальные диоды находятся в нераточем состоянии. 2- обр = 50 Ь 3. ;„р = МО мА. 4. и = 6 в.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Максимально допустимое импульсное обратное напряжение ......... ... 50 В

Максимально допустимый средний прямой ток

иа частоте 50 кГц (при Г=-45...-1-55° С) ... 500 мА на частоте 100 кГц.......... 250 мА

СЕРИЯ КР544

Состав серии:

1Р544УД1А - КРэ44УД1 В -дифференциальные операционные усилители с высоким входным сопротивлением.

Состав серии: К542НД1 - диодный мост.

К542НД2 - диодная матрица из четырех диодов с общим катодом. К542НДЗ - диодная матрица из четырех диодов с общим анодом. К542НД4 - две пары последовательно включенных диодов. К542НД5 - четыре изолированных диода.

Корпус: прямоугольный металлокерамическнй 402.16-7.

Электрические параметры приведены в табл. 3.57.



КР544УД2А - КР544УД2В - широкополосные дифференциальные

операционные усилители с высоким входным сопротивлением и повышенным быстродействием.

Корпус прямоугольный пластмассовый 2101 8-1.

Напряжение источников питания: ±15 В±2%.

Электрические параметры приведены в табл. 3.58-3.59.

-Ц. 1 Д,-X-Г"


----- -




Параметр

КР&44УД1А

КРЬ44УД1Б

КРМ4УД1В

Режим измерения

Кц, не менее

50-10=

20-10»

20.10

/вхср, нА, не бо-

0.15

Сш> мкВ, ие более /пот мА, ие более t/cM" В, не более Коссф, дБ. не менее

f, МГц. ие менее ивых В/мкс. не

5.0 3.5 30 65

10,0 3,5 50 65

10,0 3.5 50 65

3 2 2

2. 4 5. 6

менее t/вых. В

±10

+ 10

+ 10

Примечания: I. 1/ = ± 4 В. 2. f ±0.02 В. 3. л/= 4. tsx = * * - «ых = - 10 В. 6. t; = -10 В. 7. й„ = 5 кОм.

0,1 . 10 Гц.

Таблица 3.59

Параметр

КР544УД2А

КР544УД2Б

КРМ4УД2В

Режим измерения

/Су. не менее

20.10

1010

20.10

1. 2

/пот. мА, не менее /Соссф. дБ, не ме-

7 70

t/cM> мВ. ие более /срвх. нА. не бо-

30 0,1

30 0,5

30 1.0

2. 4 2. 4

лее Д/вх. нА t/вых. В

0,1 + 10

0,5 + 10

1.0 ±10

2. 4 2

Примечания: 1- U = ± 4 В. 2. й„ = 2 кОм. 3. U„ = ± 5 В. 4. 17

:±0,02В

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Напряжение источников питания..... ±6...±16,5 В

Входное напряжение........ ±10 в

Синфазное входное напряжение..... ±10 В

Сопротивление нагрузки....... 2 кОм

Емкость нагрузки......... 500 пФ

Мощность рассеивания при 7=-45...-1-70° С , 200 мВт



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 [150] 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0127