Главная Об интегральных микросхемах



Табллца 3.69

параметр

К574УД1А

К574УД1Б

К574УД1В

Режим измерения

Кц, не менее fBwx. В. ие менее Vcw мВ, не более /вх, нА, не более /Двх> нА, не более /пот. мА, не более оссф. дБ. не мет . иее

Примечания: 1. *-вхсф=±5В. .

2.10*

10 50 0,5

0,2 10

5-10* 10 50 0.5 0,2 8 60

5.10*

10 100 1.0 0,4 8

1. 2

2. 3

f= ±5 Ъ. 2. R=z 10 кОм. 3. V = ШЭ . . . 150 мВт.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Синфазное входное напряжение..... ±10 В

Напряжение питания........ ±6...±16,6 В

Мощность рассеивания при 7"= 70° С .... 300 мВт

Ток нагрузки.......... 5 мА

Емкость нагрузки......... 500 пФ

Дифференциальное входное напряжение ... ±10 В



РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ

РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Процесс разработки и изготовления радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) состоит нз большого количества технологических операций, где микросхемы подвергаются воздействию различных внешних факторов: механических, температурных, химических н электрических. Механические воздействия прикладываются к микросхемам на операциях комплектации, формовки и обрезки вьшодов, установки и приклеивания их к коммутационной плате. Температурные воздействия связаны с операциями лужения, пайки, демонтажа. Химические воздействия проявляются при флюсовании, очистке плат от Остатков флюса, влагозащите и демонтаже. И, наконец,, электрические воздействия связаны с настройкой и испытаниями РЭА, а также -с появлением зарядов статического электричества. Причем воздействие статического электричества проявляется практически прн всех технологических операциях, если не принимать специальных мер по уменьшению н отводу статических зарядов.

Неправильно разработанные режимы операций н недостаточно высокое качество технологического оборудования и приспособлений могут привести к появлению дефектов в микросхемах в процессе разработки и изготовления аппаратуры, а именно: проявляющихся в нарушении герметичности корпусов, травлению материала покрытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению В71утренних соединений и т. п. Эти дефекты в конечном счете приводят к постепенным н полным отказам микросхем, входящих в состав РЭА.

Приводимые в данном разделе рекомендации основаны на опыте использования микросхем в аппаратуре и направлены на сохранение их высокой надежности в составе РЭА, обеспечивающей надежную работу всей аппаратуры.

Рекомендации распростра/1яются на все виды конструктивно-технологического исполнения микросхем, приведенных в справочнике.

4.1. Общие положения

1. Помните, что принятие решения в выборе конструкции и элементной базы при проектировании конкретной аппаратуры является одним из самых ответственных шагов при разработке РЭА.



При этом необходимо тщательно оценить степень важности множества факторов, таких, как:

назначение, область применения РЭА; заданные электрические характеристики;

условия эксплуатации, определяющие меру воздействия внешней среды;

требования к конструкции;

технико-экономические характеристики;

организационно-производственные факторы;

наличие и технический уровень элементной базы.

Правильно выбранная серия микросхем - залог надежной работы аппаратуры при экономически целесообразных затратах на ее разработку.

2. Прочтите внимательно техническую документацию завода-изготовителя микросхем.

3. Не допускайте нарушения режимов, указанных в ТУ.

4. Старайтесь помещать микросхемы в комфортные условия. Климатические и механические воздействия Долж!ны быть уменьшены по сравнению с указанными в ТУ.

5. Старайтесь создать облегченный тепловой режим работы микросхем. Помните, что токи утечки кремниевого транзистора удваи-ваютси при повышении температуры на каждые 10° С.

6. Повышайте влагозащищенность микросхем, принимая соответствующие меры (покрытие лаками, герметизация).

7. Прн разработке вычислительных устройств проверьте результаты логического проектирования до изготовления плат и систем.

8. Помните! Тщательное проектирование печатных плат полностью оправдано. Неправильная трассировка соединений на печатных платах может привести к появлению паразитных колебаний, перекрестных наводок и самовозбуждения аналоговых схем, к потере обрабатываемой информации и быстродействия логических схем.

9. Выполняйте на каждой коммутационной плате хорошую «землю» и достаточно широкие шниы питания.

10. Минимизируйте число соединений между платами.

11. Старайтесь размещать логические вентили, которые должны переключаться одновременно, в разных корпусах.

12. После размещения корпусов логических микросхем на плате старайтесь подключить одновременно переключающиеся схемы к различным шинам источника питания. В случае подключения к одной шине старайтесь разделять их схемами, переключающимися в другие моменты времени.

4.2. Указания по формовке выводов микросхем

При выполнении технологических операций по подготовке микросхем к монтажу иа печатные платы (операции рихтовки, формовки и обрезки выводов) выводы подвергаются растяжению, изгибу и сжатию. При этом растягивающее усилие {Pi) приложено к наиболее чувствительной к механическим воздействиям зоне корпуса- гермовводу (рис. 4.1). (Гермоввод - место заделки вьшодов в тело корпуса.) Поэтому при выполнении операций по формовке необходимо следить, чтобы это усилие было минимальным. В зависимости от сечения выводов микросхем растягивающее усилие не должно превышать значений, указанных в табл. 4.1.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 [155] 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0138