Главная Об интегральных микросхемах



Режим измерения

Параметр

ф.-с

«к

<г. В. не 5.1енее

-1,0 -9,0

-45; +25; +70

- 13,86 -11,34

-8,5

-2,5 -2,5

-24,3 -24,3

10 10

2.5 2,5

2,5 2,5

2.5 2.5

2.5 2,5

<0,5 <0,5

510 1000

более

/х, мкА, не

-11,34

--29.7

более

-13,86

-29,7

не более-

вх ф2» мкА,

не более

-13,86

-

-29,7

4от А, не

более

-13,86,

-2,5

-29,7

. 2.5

<0,12

, 1000

не более

-11,34

-8,-5

-2,5

-24,3

.1,33

0,33...

0,38

0,6?

0,18...

0,15

0,17...

0,15

<0,1

1000



Эксплуатационные параметры и режимы в диапазоне температур -45 ... +70° С

Напряжение:

11 ...

Ф . . . Входное напряжение

не более

Выходное напряжение «О», не менее Выходное напряжение «I», не более Помехоустойчивость по логическому

менее.....

Частота импульсов фаз:

КР186ИР1 . . .

КР186ИР2. КР186ИРЗ, КР186ИР4

КР186ИР5 . . . Длительность импульсов:

Тп фь не менее

Тп ф2, не менее

входу,

Длительность паузы импульса фазы Ф2, не менее

Время хранения имформации: txv и 42, не более tx-p и ФЬ не более

Время задержки импульса фазы Ф2 (для КР186ИР1, КР186ИР2, КР186ИРЗ, КР186ИР4), не более

Сопротивление нагрузки, не менее .....

Емкость нагрузки, не более......

Емкость логических входов, не более Емкость входов фаз Ф1, Ф2, не более:

КР186ИР1,КР186ИР......

КР186ИРЗ..........

КР186ИР4..........

КР186ИР5..........

Потребляемая мощность, не более: КР186ИР1

КР186ИР2 КР186ИРЗ КР186ИР4 КР186ИР5

0...2,5 В -24,3...-29,7 В

0...-2 В •

-8,5 В

-1 В -9 В

5 Гц...400 кГц 5 ГЦ...750 кГц 1,0...750 кГц

0,38 мкс (для КР186ИР1 0,7 мкс)

0,65 мкс (для КР186ИР1

1,25 мкс)

0,68 мкс (для КР186ИР1

1,25 мкс)

50 мкс 50 мкс (для КР186ИР5)

30 мкс 1000-кОм 20 пФ 4 пФ

10 пФ 15 пФ 20 пФ 30 пФ

190 яВг 260 мВт 150 мВт 270 мВт 120 мВт

Сигнал записи входной информации («О» или «1») должен при-сутствовать на входе регистра не менее 100 не до начала перехода импульса фазы Ф1 из состояния «I» и заканчиваться одновременно или после окончания перехода импульса фазы Ф1 из состояния «О».



предельно допустимые режимы в диапазоне температур -45 ... +70° С

Мапрялсение:

отрицательной полярности на выводах микросхем, не

более............. 30 В

положительной полярности па выводах микросхем, неболее ..... . . . . .... 0,3 В

Статический потенциал между любыми выводами микросхем, не более...........30 В

Сопротивление нагрузки, не менее.......ЮО кОм

СЕРИЯ KPI88

Тип логики: дополняющие МОП-структуры. Состав серии:

КР188РУ2А, КР188РУ2Б - оперативное запоминающее устройство емкостью 256 бит (256 слов X 1 разряд).

Корпус: прямоугольный пластмассовый 238.16-1.

Напряжение источника питания: 5 В±107о-

Выводы: общпй •- S; входы адресные АО, А1, А27 A3, А4, А5, А6, А7 - соответственно 1, 3, 4, 5, 13, 12, 11, 10; вход данных -б; выход данных -7; режнм записн - считывания - 9; выбор кристалла - 14; плюс нсточнпка пптанпя - 16; общпй - 8.

Электрические параметры приведены в табл. 2.100.

HPfssps/ZA, /CP/as ps/ze

Шкот-тель

1U .

II I



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 [59] 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0097