Главная Об интегральных микросхемах



Параметр

К500ЛЕ123.

К500ЛП114.

Режим

К500ЛЕ123М

К500ЛП1 14М

измерения

t/on. в

здр- НС, не более здр, НС, не более В

(Г, В

Сф ВЫХ

сфвых в

Б.О 5,0

-0,81...-0,96 -2,030

-1,23...-1,35 4,0 4,0

-0,81...-0,96 -1,65...-1,85 -0,81...-0,96 -1;65...-1,85

1, 2 1, 7, 8 1. 7, 8 1-2 1, 2 1, 2 1, 2

Примечания: 1. Г=+25° С. 2. Ua ni=-5.2 В. 3. С/х=-0-81 В. 4. Uex =

=-1,85 В. 5. Unop=-1,105 В. 6. Lnop= -.75 В. 7. С/я п.=2 В (подается на общпП вывод). 8. Си п1=-3.2 В.

Таблица 2.116

Параметр

Режим измерения

<в о. ИС, не более

<в р, <о хр, ПС, не более

в зп, в сч, НС, не более

Хзп, ПС, не более

*сзп а,. НС, не более

<сх а аш; НС, ИС более

зп ii, <сх ii зп, НС, не более вп р, tcY. зп р, НС, не более

Руд, .мВт/бит

/пот. мА, не менее . .

/вх. МкА, не более

/вх. -мкА, не менее

Lix.h..B. не менее

Еых и. В, не более ,

0,5 -140

50 -50 -0,98 -1,63

Т = +25°С; (У„п= =-5,2В; Ul = -0M В; <=-1,85 В



Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации в диапазоне температур -10 ... +70°С

Л-\пн11малы1ое кратковременное напряжение источника" питания (в течение 5 мс)..........-7 В

Напряжение источника пнтання:

минимальное............-6 В

максимальное...........О

Минимальное входное напряжение ........-5,5 В

Максимальный выходной ток........50 мА

Предельно допустимая температура кристалла . . . 125°С

СЕРИЯ К501

Тип логики: МОП-структуры (р-канальные).

Состав серии: К501КИ1П - три 4-входовых кодовых ключа. К50ПШ2П - 16-входовый кодовый ключ.

К501ХЛ1П-набор из шести многофуикцнональных двухвходовых логических элементов.

К501ХЛ2П - набор из трех многофункциональных четырехвходб-вых логических элементов.

К501ТКШ -три одпотактных двухступенчатых комбинированных JKD-триггера.

К501ИВ1П -шифратор 16-4. • •

К501ИД1-П-дешифратор 4-16.

К501ИК1П - двопчио-дсся-Л1чное последовательное арифметическое устройство с коррекцией результата суммы с возможностью су.ммнрования и вычитания десятичных чисел.

К501ИК2П - счетчнк-рсгнстр универсальный 4-разрядный.

К501РЕШ - постоянное запоминающее устройство 2048 бит (256 слов X 8 разрядов).

Корпус: прямоугольный пластмассовый 209.24-3.

Выводи: общпй - 12; -{/„ щ - 24; Ua es-23.

Напряжение нсточнпка питания: t/„ui =-12 В±10%; fu ns== = -27 В±10%.

Электрические параметры приведены в табл. 2.117-2.120.



BxAI-BxAZ

8x81 4-Bx8Z -2-

BxCI BxCZ

BxJiZ. BX7

, Iff

BxS-

BxfO-i

BxriA

ВХА-Щ-

влвЖ

8xP OxR BxS

-8tixA

BxEl

BxEZ

BxBf

вхггЖ-

11 Вых D

moix/!fn

Bxml ехлг-

-8ых1Г

ffblxB

-BulxF



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 [68] 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0767