Главная Об интегральных микросхемах



Пар-метр!)

к

30,0

/вхФ2. мкА. не более (при {/ф1 = =0 В)

зд более

зд" более

мкс, не более

мкс, не более frfiax. кГц тф, мкс, не менее)

I) Параметры микросхем даны при Ьиш,--12 В±10%. t/n П2=-27 Б±10%, Сц=250 пФ, Лп = 1 МОм, Г=-45,,.+7CF С. Коэффициент разветвления пе более 30 (кроме К50ПШ2П). Время задержки импульса и хранения ннформацпи фазы Ф2 для К501ИК1П соответственно равно 30 и 50 мкс.

Ч Длительность фазовых (тактовых) импульсов.

Таблица 2.119

Емкость вывода. пФ (f = 125 кГц)

Вывод ис

о

¥

«--

о ю J

10



Вывод ИС

Емкость вывода, пФ (f=tl25 кГц)

и:

14 15 16 П 18 19 20 21 22

S 5 5 5 5 5 5

4 4 5 4 4 5 4 4 5

5 4 4 4 4 4 4 4 11

4 4 8 9 4 4

5 4 5 7 5 4 5 5 4

4 4 И

Эксплуатационные параметры KSOlPEin в диапазоне

температур -45 ... +70° С при f/„«, = -12 В ±107о II 1/„ п2 = -27 В±1в%, /?„=! МОм и С„=200 пФ

Входное напряженно:

вх . "е более ......... минус 8,5 В

вх- . "е менее......... минус 2 В

Выходное напряжение:

Чык не более......... минус 10 В

вых (при /„=10 мкА), не более .... минус 1 В

Входной ток «I», пе более .... 5 мкА Выходной ток:

/ь1Х "6 более......... 50 мкА

Чых- "е более......... 50 мкА

Ток, потребляемы!! от источника питания:

по цепи - и„ „(, не более . . . . \. . 22 мА

по цепи - Vn п2, не более..... 4 5 мА

Частота команды считывания, не более ..." jo кГц Время задержки кома1ЩЫ сштывания от1[Оситель-

т входа адреса, не более...... 2 мкс

Время счптыпаиня:

С,, не более . . ....... 2,5 мкс

сч ие более....... 45 с

Время выключения: i

Еыкл ие более......... 1,5 мкс

выкл «е Солее........ 2 мкс

Время цикла, не более ... . 6 мкс

Емкость логических входов, не более . \ 20 пФ

Емкость выходов, НС более...... 11 пФ



Номера 8-разрядньгх ячеек накопителя ПЗУ К501РЕ1П от О до 255 являются десятичным выражением двоичного кода ло-хгХг-ХзХ XXi-yi-Ui-yz на адресных входах микросхемы, где У2- млaдшнt разряд числа Xfi-x,-X2-X3-X4-i/i-(/г-Уз, а х,-старший разряд.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации К501

Напрйжепне положительной полярности на любом выводе,

не более......... . .0,3В

Напряжение источника питания:

fii п1, не менее......... . -20 В

fudi (для К501РЕ1П), пе .менее......-15 В

и а 1т2, не менее...........-30 В

Напряжение:

f/ux, ие менее ...........-30 В

1/еых, не менее ...........-20 В

г/вых (для К501РЕ1П), пе менее..... -25 В

Мощность рассеивания (для К501РП), не более . . . 450 мВт

Допустимое зггаченне статического потенциала иа выводах,

не более.....*.........30 В

Допускается применение ИС серии K50I (кроме K50IРЕ 1П) при токе нагрузки 0,4 мА в состоянии «О» на выходе при изменении выходного напряжения «О» до -2 В. Допускается ток нагрузки до 1 мА Б состоянии «О» без регламентации уровня. Допускается выходное напряжение -6,5 В в состоянии «1» при подключении резистора /?н=13 кОм между контролируемым и общим выводами микросхем.

СЕРИЯ К502

Тип логики: МОП-структуры (р-канальные). Состав серии:

К502ИР1 -24 разрядный последовательный динамический регистр сдвига с возможностью изменения чпсла разрядов от I до 24.

К502ИС1 - сумматор приращений.

К502ИП1 - масштабный интегратор.

Корпус: прямоугольный пластмассовый 201.14-1.

Выводы: общий- l/nni -5; f/„ па - 7 (К502ИП1, К.502ИС1); t;„ „2-2 (К502ИР1).

Напряжения источника пнтання: {/ип1=-9 В±10% (относительно вывода 14); 6ип2=-9 В±10% (относительно вывода 8).

Электрические параметры приведены в та,бл. 2.121-2.123.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 [71] 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0115