Главная Об интегральных микросхемах



Параметр

К502ИС1

Режим измерения на выводах* (напряжение. Б)

12, 13

-7,5 (выводы 5, 6)1)

-7,0 (выводы 5,- 6)1)

+25 -45;+70

-6,5

-6,5

-6,5

-8,1

-8.1

-6.5

-6,5

i/bix> В. не менее

-0,7 (выводы 5, 6)1)

-0,5 (выводы 5, 6)1)

-45; +70 +25

-1.5 -9.9

-1.5 -1,5

-1,5 -1.5

-9,9 -9,9

-9,9 -9,9

-1.5 -1.5

-9,9 -9,9

пот1 • более

3 (вывод 8) 4 ,5 (вывод 8)

+25 -45;+70

-9,9

-9,9

-9,9

-9,9

-9,9

-9.9

-9,9

пот2» *"> более

1,4 (вывод 7)

-9,9 -1,5

-1.5 -1.5

-9,9 -9,9

-9,9 -9,9

-1,5 -9,9

-9.9 -1.5

-9,9 -9,9

утвх> мкА, не более

0,5 (выводы 5-/3) 1,5 (выводы 1-4. 9-ГЗ)

+25 -45;+70

-9,9 -9,9

-9,9 -9.9

-9,9 -9,9

-9,9 -9.9

-9.9 -9.9

-9.9 -9,9

-9.9 -9.9

-9,9 -9.9

кГц 250 1 +25

-9 -9

- 1 -

, ) Режнм изкергния приведен для вывода 5. =) /?н=1 МОм±!0%.

•) Частота тактовых импульсов. •) На выводе б сигнал отсутствует; вывод 14



Параметр

К502ИШ

Т, "С

Режи;1 измерения на выводаха) (-напряжение. Б)

5 16, 111 7. 8 ho, 12 13

1/° ,В, не более

-7.5 (выводы 3, 4, 9)1) 7,0 (выводы 3,

4, 9)1)

+25 -М

-45; +70

-1,5

-6,5

-8,1

-6,5

-6,5

t/Jbix- В. не менее

-0.5 (выводы 3, 4, 9)Ц -QJ -(выводы 3. 4, -9)1)

45; +70

-I Г

-9,9 -1,5

-9,9

•9.9-М-

noTi. мА. не более

4 (вЫВО;

5,6 (вывод 8)

)Д+25

-45; +70

И~ -1.5

-9,9

-9,9

-9,9

-9,9

пот2- мА, не бо-

1,4 (вывод 7)

-I I-

1 Г

-9,9

-1,5

-9,9

-9,9

/ут вх. мкА. не более

0.5 (выводы /, 2, 5, 6, 10-13) 1,5 (выводы /, 2, 5, 6, 10-13)

-45; +70

-9,9

-9,9

-9,9

-9.9

-9.9

-9,9

-9.9

/ти. кГц. не более

-8,1

) Режим измерения приведен для вывода 3.

Ч На выводах 3, 4 п 9 сигналы отсутствуют; вывод 14 заземлен.

СЕРИИ КР505, К505

Тип логики: МДП-структуры. Состав серий:

КР505РЕЗ - постоянное запоминающее устройство емкостью 4096 бит статического типа с полной дешифрацией адреса, выходными усилителями и схемой управления.



К505ИРЗА, К505ИРЗБ - два последовательных динамических регистра сдвига по 128 разрядов каждый с дополнительными промежуточными входами, допускающими организацию 2X100 разрядов. К505РУ4 - оперативное запоминающее устройство на 256 бит (256 словXI разряд). -

Корпус: прямоугольный металлокерамический: 405.24-7(КР505РЕЗ); 402.16-1 (К505РУ4); "

прямоугольный металлостеклянный: 401.14-4 (К505ИРЗ).

Выводы общий -/2 (КР505РЕЗ), 7 (К505ИРЗ), S (К505РУ4): -и„ - 24 (КР505РЕЗ), 1 и 13 (К505РУ4); -ft/ипг -/3 (КР505РЕЗ), 14 (К505ИРЗ), 16 (К505РУ4); -Unni~13-(К505РУ4).

Напряжения источников питания t/iini=-12 В±10%; <Уи п2= =5 В±10%; гУипз=-12 В±10% (К505РУ4).

Электрические параметры приведены в табл. 2.124-2.126.

При измерении и" эксплуатации микросхем необходимо учитывать следующие импульсные параметры: длительность положитель- ного тактового импульса, измеренного на уровне 0,1 [/т не менее 150 не; длительность отрицательного тактового импульса, измеренного на уровне 0,9 <Ут не менее 100 нс; длительность фронта (среза) тактового импульса не более 20 нс; время задержки фронта и спада входного сигнала (на уровне 0,4 В и 2,4 В соответственно) относительно фронта тактового сигнала (на уровне 0,1 <Ут) не менее 25 нс; время опережения фронта и спада входного сигнала (на уровне 2,4 В и 0,4 В соответственно) относительно фронта тактового сигнала (на уровне 0,9 t/т) не менее 100 нс.

AD Al

ycoKumejfu-фортрова-

Дешифратор х

адресов

А7 4- фортроВа-

Дешифрсг-. тор У

Haifonumeib штричного

типа itOSB Вит

Леремюча-те/гь С17ю/1Вцв8

ВыВсрИС-

Иси/щтель-формирова-

ШхоВше

усилители

1P 9876513



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [73] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0096