Главная Об интегральных микросхемах



KSOSHPSA, /(SOSHPSB

RG,*

y1 yz y3 y*

4 AjAA-

входные t/Du/iumeM-фррниравствли

Дешифратор Y

Матрица ZSSBum (zsexip)

-BblX

vuMa

Входной усиугитвль форнироВа-тель

Схема упрод/1еная

3jf/Cv

UnpaB/ieuuE Зп/Сч ВЫБОР ВС

Эксплуатационные параметры и режимы КР505РЕЗ в диапазоне температур -10 ... +70° С

Напряжение «О» на адресных входах и входе выбора, не более ..."....... 0,2 В

Напряжение «1» на адресных входах и входе выбора ............ 2,7...5,5 В

Время цикла обращения, не менее .... 1,5 мкс

Емкость нагрузки, не более...... 100 пФ

Помехоустойчивость, не более ... . . 0,2 В

Удельная потребляемая мощность, не более . . 0,25 мВт/бит

Эксплуатационные параметры и режимы К505ИРЗА, К505ИРЗБ в диапазоне температур -45 ... +55° С

Задержка выходного сигиала относительно входного:

по входам 11,4........ 100 бит

по входам 3,12........ 128 бит

Частота импульсов тактового напряжения:

К505ИРЗА.......... 50...2500 кГц

К505ИРЗБ . . . ....... 50... 1000 кГц

Входная емкость, не более...... 10 пФ

Емкость по входу тактового напряжения, ие более .......... . . . 80 пФ

Емкость нагрузки, не более...... 30 пФ

Максимальная потребляемая мощност{) . . , 260 мВТ



Параметр

из о.

t/g,, В, не менее (при /„=. =0.25 мА)

В, не бо-

лее (при /j,x=

=2,0 мА)

/дот. мА, не более

ут вх (на адресных входах и входе «Выбор ИС»), мкА. не более

ут вых (при невыборе) , мкА, не более

4ч. мкс, не более

вое. мкс, не менее

Свх (на адресных входах, входе «Выбор ИС»), пФ, не более

Свых. пФ, не более

2,8 2,4

0,3 0,4

38 54 32

2,02) 502)

2,04 5,03)

1.3 1.5

0.2 0,1

+25 -10 +70

+25 10 +70

+25 -10 +70

+25 +70

25 +70

+25 +70

+25 -10

Режим измерения

Адрес

Выбор ис

§

•5"

X о са

>

&

- 10,8

-10,8

-13,2 О

-13,2

-10,8 -10,8

5,5 О

4,5 4.5

0,4 0,4

2,5 2,5

2,5 2.5 3,5

2.5 2,5

<0.5 <0,5

<1 <0,1

100 100

) Тф (Тс) - длительность фронта (среза) входного сигнала. прн испытательном напряжении минус 20 Б Ч Прн испытательных напряжениях 0; 5,5 В.



Режим иЗмёрейня

«

<

к is

0 1)

/1б),кГц

Параметр

<

со 0. S

Л о ю

ю о ю

<,х. В. не более

0.42)

-45; +25; +55

-10.8

-21,6

-0,2... 0.4

2500

1000

В. не

менее

2.43)

-45; +25; +55

- 13.2

-26.4

-0,2... 0.4

2500

1000

/дх> мкА, не более

-45; +25; +55

-13.2

-26,4

-0.2.!.

0.4.

2500

1000

/дх. мкА, не более

-45; +25; +55

-13.2

-26.4

-0.2...

2500

1000

/пои. мА, не более

-45; +25: +55

-13.2

-26,4

-0.2... 0,4

2500

1000

/пот2. мА, не более

/ут, мкА, не более

-45; +25; +55

26,4

/0.1 Л.О 1 зд ф. *зд ф .

НС, не более

-45; +25; +55

0.4)

2,4)

- 10.8

-21,6

-0,2...

.0.4

2500

1000

) здф. зд ф - время задержки выходного сигнала относительно уровня

0,1 £/т на фронте тактового импульса прн переходе выходного сигиала из состояния «1» и «О» и из состояния «О» в «1».

) Резистор нагрузки 2,8 кОм подключен между выходом ИС и общим выводом.

) Резистор нагрузки 48 кОм подключен, между выходом ИС и С/и ni. Ч C/j, C/.J - тактовое напряжение «О» и «1». Ч С/исп - испытательное напряжение.

) fi - частота следования импульсов такгового напряжения. ) Сн=30 пФ.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 [74] 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0151