Главная Об интегральных микросхемах



Параметр

К514ИД2

Т, "С

Режим измерения на "выводахз) (напряжение. В)

\2, 4\ 6 \ 7 \

4ых мкА. не более!)

225 250

-Ь25 -60; --70

5.25

вых.В.ие бо-лее2)

0,36 0,4

-60;+70

4,75

мА, не более

-1,6

-60;+25; +70

5,25

ll, мА, не более

-60;+25; +70

5„25

/сх пр доп > мА,

-60; +25;

5„25

не более

/дот. мА, не более

+25; -60; +70

5,25

) 1;вы1=10 в.

=) /вы1=20 мА.

Ч Вывод 8 заземлен.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Для ИС К5МКТ1

Ток иа входе закрытой ИС, не более ... 150 мкА

Импульсный выходной ток (при скважности 9 и длительности импульса не более 500 мкс), ие более ............. 400 мА

Входное напряжение, пе более..... 1/и п

Для ИС К514ИД1. К5МИД2

Ток нагрузки па каждом выходе:

для К514ИД1......... 7.5 мА

для К514ИД2......... 22 мА

Напряжение источника питания, не более . . 5,25 В

Входное напряжение, не более..... 5,25 В

Напряжение на каждом выходе (для К514ИД2) 6 В



СЕРИЯ К523

Тип логики: высокопороговая импульсная ДТЛ (диодно-транзи-сторная).

Состав серии:

К523ЛЕ1-два элемента ЗИЛИ -НЕ с возможностыо расшипеиия по ИЛИ.

К523ЛН1 - три элемента НЕ с возможностыо расширения по ИЛИ. К523ЛД1 - расширитель (матрица из 7 диодов). • К523ЛИ1 - элементы ЗИ и 4И с возможностыо расширения по И. К523ИК1 - шифровый обнаружитель сигналов с автозахватом и автосбросом.

К523АГ1 - формирователь одиночных импульсов. К523БР1-элемент времеиной задержки.

К523ПУ1 - два элемента сопряжения ВПЛ с ТТЛ ИС с возможностью расширения по ИЛИ. К521ПУ2 - два элемента сопряжения ТТЛ и ИС с ВПД с возможностью расширения по И.

Микросхемы К523ИК1 применяются совместно с К523ЛН1.

Корпус: прямоугольный пластмассовый 201.14-1.

Вьшоды: общий - 7; напряжение подпора -13 (К523АГ1, К523ПУ1, К523ПУ2), 12 (К523ЛН1, К523БР1), 1 (К523ЛЕ1), 11 (К523ИК1); напряжение питания: 13. 14 (К523ЛЕ1), 10. 11. М (К523ЛН1), 12. 14 (К523ЛИ1); 5. 6. 12. 14 (К523ИК1), 1. 3. 14 (К523АГ1), 10. 11, 14 (К523БР1), 2. 3. И. 14 (К523ПУ1). /, 2, 8, 14 (К523ПУ2).

Напряжение псточ.ника питания: импульсное напряжение трапецеидальной формы частотой 50 Гц с длительностью фронтов не более 4° и амплитудой 6 В±10%.

Однофазное напряжение для К523ЛЕ1, К523ЛН1, К523ЛИ1, двухфазное напряжение: К523ПУ1 (фаза 1/дв - выводы 2, 11, фаза-Иъс - выводы 3, 14); К523ПУ2 (фаза 1/дв - выводы 1, 14, фаза fsc-выводы 2, S).Сдвиг фазы i/вс относительно фазы Uab равен 120°.

Трехфазное напряжение: К523ИК1 (фаза 1/дв-выводы 5. 8, фаза i/вс - вывод 12, фаза t/сд -выводы 6, 14); К523АГ1 (фаза Оав - вывод 1. фаза Овс - вывод 14. фаза {/сд -вывод 3); К523БР1 (фаза 1/дзв-вывод , фаза 1/вс -вывод 10. фаза Оса- вывод 14).

Все. фазы Uab. Vbc, Uca сдвинуты по отношению друг к другу . на 120°. Напряжение подпора для всех микросхем 12 В±10%.

Электрические параметры К523ЛД1

Прямое напряжение - на диодах (при /пр=1 мА), не бо- . • лее:

при 7=-1-25° С.......... 0,9 В

при 7=-10°С . . . . . . . . . . 1.0 В

Обратный ток диодов суммарный (при 1/обр=30 В), не более:

прн 7-==-1-25° С.......... 7 мкА

при 7=-Ь70°С..........15 мкА

Электрические параметры остальных ИС серии приведены в табл. 2.136-2.139.




д .-,

"Ж.

OSui

KSZZXIHI

й s s

9 IS


A-SZSffPf / . 13

.2./2

KSZSHKI



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 [81] 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0155