Главная Об интегральных микросхемах



KS37P!/fA-H5S7Pm

АВрвс X, -x,g

ffx. данных.

---->7Г

ОыдорИС 0,5

Затсь

В537РУ7А-/<537РУ1В

Временная диаграмма контроля минимального времени цикла записи или считывания ИС серии К537

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Входное напряжение:

не более..........4,5...5,5+0,2 В

(но не более 6 В)

не менее ,......... -0,5 В

Напряжение, приложенное к выходу:

не более ,.........4,5...5,5+0.,2 В

(но не более 6 В)

не менее.......... . -0,5 В

Напряжение источника питания, не более . . 6 В



Параметр

Т. "с

ни-В

"вхВ /.кГц

пот ст-более)

по г дин более

мкА, не

погдин- «А. не

f, кГц, не более) зп> мкс, ие более)

более

i;" , . в,

вых вых не более ве менее

25 100

835 0,8 1.2 0.4 0,6

0,35 2,3

25 100

-1,95

0.35 2.3

25 100

250 2,5 3.75

1.2 1.8

0.35 2.3.

-Ь25, -60 +85

+25 -Ь25. -60 +85

+25, -60

.+85

1-25 Ц25

4.5...5.5 4.5

4,5 4.5

0.4 0,4

2,4 2,4 2.4

2.4 2,4

500(К537РУ1А) 250(К537РУШ) 250(К537РУ1В)

250(К537РУ1А) 250(К537РУШ) 100(К537РУШ) 10 000

1) Р =4.6 кОм. в ОЗУ должны быть записаны все .1" или все ,0.

2) Выходная ин.{юрмация иявертярованз относительно входиоЯ. Время задержки импульса .выбор микросхемы" по отношению к коду адреса не менее 100 нс.

5) i?jj=4.6 кОм, Cjj=30 пФ (между выводами 4 и 5).

Таблица 2.165

Тип микросхемы

Временные параметры при контроле минимального времени цикла записи илн считывания

К537РУ1А К537РУ1Б КБ37РУ1В

1300 2000 4000

200 300 600

900 1400 2800

200 300 600

400 600 1200

800 .1230 2460

50 77-144

Примечания:1. Указанные интервалы врзмеии могут быть образованы от единой опорной частоты. 2. Д1нтельность строЗзрующего и.\1пульса может быть неизменной для всех трех групп ИС и равна 50 нс.

СЕРИЯ КР541

Состав серии:

КР541РУ1 А -оперативное статическое запоминающее устройство с информационной емкостью 096 бит (4096 слов X X 1 разряд).



КР541РУ1 Б -оперативное статическое запоминающее устройство с информационной емкостью 2048 бит (2048 слов X X разряд), прн подключенном выводе 7 к напряжению «О».

КР541РУIB- оперативное статическое запоминающее устройство с информационной емкостью 2048 бит (2048 слов X X 1 разряд), при подключенном выводе 7 к -напряжению «1».

КР541РУ2 - оперативное статическое запоминающее устройство с информационнойемкостью 4096 бит (1024 слова X Х4 разряда).

Корпус: прямоугольный пластмассовый 2107.18-1. Выводы: общий - 9, +IJbu - 18. Напряжение источника питания: -Ь5 В±57о:

Электрические параметры и режимы работы приведены в таб.л. 2.166-2.169.

/12 4-А5-

Дешифратор X с адреа-ными формиро-

W£. CS MI

Схема Bo/fopKU

Kuxpo-схемы и разрешения записи cwmbi-

Ватя

KP5i7PytA-/fP5<i7Pm f

Матрица s/iBMBfimoS ламяти

• Bli

Дешифратор У

сразрят/bwu

формирова/77в-

АВА7АВАЭА10АП

тиха хранения

Выходное j/cmpou- стВа

адреса

Вх WE

Вх CS

ВхЛТ

Ibroj, BxWE J

Bx es

BblX ifcp

«срсч

Bx адреса

5схир BblX

Временная диаграмма работы ИС серии КР541 в режиме записи (относительно сигнала WE)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 [88] 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0107