Главная Об интегральных микросхемах



Параметр

К552РУ1

Режим измерения

Т. С

§

с. 6

готхр!» мА, не более)

4,5 5

+25 -10. +70

12,6

5,25

-2,85

<0,4

пбгхрг. мА. ие более)

-0.5...4 -0.5...4.5

+25 -10, +70

12,6

5,25

-2,85

<0,4

/утвх> мкА, не более

5 10

[-25 -70

-3,15

5,25

1°ут Вых хр» мкА, не менее

-50 -100

+25 +70

12,6

5,25

-2,85

Луг вых хР мкА, не более

50 100

+25 -10. +70

12,6

5,25

-2,85

5,25

Свх. пФ. не более

-2,85

Свых. пФ, не более

12,0

-2.85

*) Задаются следуюнке допслнителькке рсжЕмы: t, 80 не; вх ВМ* у ар "> cBMbx" ф20 ис; т<20 нс

С„ = т пФ.



Эксплуатационные параметры и режимы работы К552РУ1 в диапазоне температур -10... +70° С

Входное напряжение:

........... -1Д..0.4 В

Ul............ 2,4...5,5 В

Напряжение «О» сигнала выходной информации

(при /«х мА)........ 0...0,4 В

Напряжение «1» сигнала выходной ннфоркации

(йрн /1ых<0.8 мА)........ .2,4...5.25 В

Время цикла записи или считывания, ие мейее . 600 нс

Время выборки адреса, не более . . . . . 450 ис

Время выборки разрешения, ие более . . . 100 нс

Время сдвига сигнала разрешения относительно

сигнала выбора микросхемы (<срвм) . . 75...150 нс

Длительность сигнала разрешения .... 250...500 нс

Время сохранения сигнала выбора микросхемы

после сигнала разрешения <схвмр .... 80...160 нс

Время восстановления, не менее..... 80 ис

Время сохранения входных сигналов после сигнала выбора микросхемы <сх вх в м, не менее . . 30 ис Время удержания сигналов адреса относительно

сигналов разрешения, не менее..... 50, нс

Время сдвига сигналов выбора микросхемы относительно входных сигналов tc вы вх не менее . О Время сохранения сигнала выходной информации после сигнала выбора микросхемы /схивм, не

менее............ - 20 не

Ток потребления в режиме записн от источников напряжения Ua пь i/и пг, Ua пз."

/noisni, не более....... . . 2,5 мА

/потзпг, не более........ 1,5 мА

/пот зпз, не более........ 0,2 мА

Ток потребления в режиме считывания от источников напряжения t/и ni и Ua пг:

/пот СЧ1, не более........ 16 мА

пот СЧ2, не более........ 8 мА

Ток потребления в режиме хранения от источник ков напряжения £/и п i и 1/и п г:

пот хр I, не более . ....... 5 мА

/потхрг..........-0,5 ... -4,5 мА

Входная емкость, не более...... 8 пФ

Выходная емкость, ие более...... 10 пФ

Коэффициент объединения по выходу (при нагрузке на 1 вход ИС серии К155), не более . . 8 Длительность фронта входных сигналов, ие более 100 нс Длительность среза входных сигналов, не более 100 нс

При наличии на выводах питания соответствующих напряжений микросхема должна находиться в режиме нли «записи», или «считывания», или «хранения».

В режимах записи и считывания порядок следования сигналов иа выводах микросхемы должен соответствовать временным диаграммам (рис. 2.362 и 2.363). В режиме хранения на выводы 1,1 и 14 микросхемы К552РУ1 должны быть поданы напряжения «О», при



этом выход микросхемы переходит в состояние с высоким выходным импедансом.

Подача напряжений на выводы питания микросхемы должна проводиться в следующем порядке: Un пз, Un п2. Un щ.

Отключение напряжений питания должно производиться в обратной последовательности. Допускается одновременное, с точностью ±10 мс, включение и выключение всех источников питанпя.

После подключения к источникам питающих напряжений микросхема в течение времени не менее 10 мс должна находиться в режиме хранения.

Предельно допустимые режимы эксплуатации К552РУ1 в диапазоне температур -10 ... +70° С Напряжение источников питания):

£/ип1, не более........ 15 В (при

г/и п 2=4,5...6 В, г/ипз=-2,7... ... -5 В)

Uyiui, не более........+6 В (при

Un вд=-2,7... ...-5 В)

Un п S. не менее........ -5 В

Напряжение на входах, не более..... 6 В)

Напряжение на информационном выходе, не бо-

лее............ . 5,5) В

Максимальное отрицательное напряжение на выводах (кроме Unas)........1,5 В (при

г/ппз<-1.2В))

Максимальное отрицательное напряжение на выводах относительно вывода t/и п з .... 0,3 В Максимальный ток на информационном выходе,

не более........... 5 мА

Мощность рассеивания, не более..... 700 мВт

Емкость нагрузки, не более...... 150 пФ

Значение статического потенциала, не более . . 20 В

) Режимы указаны относительно общего вывода.

СЕРИЯ К555

Тип логики: ТТЛШ.

Состав серии: К555ЛА1 - два элемента 4И-НЕ. К555ЛЛ2 - элемент 8И-НЕ. К555ЛАЗ - четыре элемента 2И-НЕ. К555ЛА4 - три элемента ЗИ-НЕ.

К555ЛА9 -четыре элемента 2И-НЕ с открытым коллектором.

К555ЛЕ1 - четыре элемента 2ИЛИ-НЕ.

К555ЛИ1 -четыре элемента 2И.

К555ЛИ6 -два элемента 4И.

К555ЛЛ1 - четыре элемента 2ИЛИ.

К555ЛН1 -шесть элементов НЕ.

К555ЛН2 - шесть элементов НЕ.

К555ЛР11 - два элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ и 3-ЗИ-гИЛИ-НЕ. К555ТВ6 -два JK-трнггера СО сбросом.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 [92] 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0126