Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



в формуле (10.1) при определении /?oip учитываются выходное сопротивление питающей сети Гс, активные сопротивления обмоток дросселей г фильтра защиты от индустриальных помех, а также эквивалентное последовательное сопротивление электролитических конденсаторов г,,.а фильтра сетевого выпрямителя н внутреннее сопротивление днода на постоянном токе Гц. Сопротивления f I п.э могут быть взяты из технических условий на применяемые дроссели, диоды и конденсаторы, значение г,, определяется экспериментально и в первом приближении может быть принято равным I Ом.

Со--


Со Ф Vo

Uco-W-(/со-

(/с о-W-

Со 4=0


Рис. 10.2. Схемы входных выпрямителей источников питания с бесг трансформаторным входом:

и - п1 = 2: б - т=\; S -т=6; г -т=3; й -схема ограничения

пускового тока



При выходной мощности 150-200 Вт и более на резисторе /?огр а процессе работы ИПБВ рассенваетея значительная мощность. В этих случаях ограничительный резистор после заряда конденсатора фильтра необходимо шунтировать тиристором, как показано на рис. 10.2, д, который во включенном состоянии поддерживает падение напряжения на /?о,,р на уровне 1,5-2 В. В схеме после подключения ИПБВ к питающей сети происходит заряд конденсатора Со через ограничительный резистор /?огр. сопротивление которого выбрано в соответствии с (10.1). При этом, как правило, время заряда Со не превышает половины периода напряжения сети. Под действием напряжения иа конденсаторе Со начинает работать преобразователь и на обмотках выходного трансформатора ТУ (в том числе и на W,) появляется переменное напряжение, которое выпрямляется и через ограничительный резистор подается на управляющий электрод тиристора VS, в результате чего он открывается и шунтирует резистор Лргр.

Расчет амплитуды импульса тока через диоды выпрямителя с емкостным фильтром в установившемся режиме по известным методикам in дает значительно заниженное значение. Для определения амплитуды импульсов тока могут быть рекомендованы эмпирические соотношения, приведенные в табл. 10 1

Во всех случаях значения /пр.п должны уточняться экспериментально. Выпрямленное напряжение при максимальной иагрузке для схем на рнс 10.2, а. г может быть определено по формуле

(10.2)

Емкость конденсатора фильтра сетевого выпрямителя С„ рекомендуется выбп рать исходя 113 максимально допустимой амп.шту-дЫ пульсаций на частоте следования импульсов напряжения на выходе выпрямителя

0.5Я„

(; .

"~ Ми Lc ,„;„ /с "

(10,3)

В этом случае предполагается, что относительная амплитуда пульсации на пыходе ИПБВ. обусловленная пульсациями напряжения на С„. может быть уме» ьшеиа за счет фильтрующих свойств ИСН или стабилизирующего преобразователя, входящего в состав ИПБВ

Таблица 10.1

Значения амплитуды тока диода для некоторых схем выпрямителей

Тип выпрямителя

/ II р. II

Мостовой диодный выпрямитель

(7-10)-/„

с удвоением напряження

(10-14),/о

Однотактным трехфазный выпрями-

(4-7)./о

тель



Для уменьшения пульсаций с частотой преобразования, наводимых на входную сеть, на. выходе двухтактного трехфазного выпрямителя рекомендуется устанавливать лакопленочный или бумажный конденсатор

10.2. Транзисторные усилители мощности

Наиболее часто в ИПБВ применяются однотактные транзисторные усилители мощности (УМ), схемы которых приведены на рис. 10..3 и двухтактные усилители мощности (рис. 10.4). На схемах показаны также эпюры тока коллектора силовых транзисторов усилителей

Среди однотактных УМ могут быть выделены УМ с прямым (рис. 10.3, а, б) и обратным включением диода (рис. 10.3, в). Однотактные УМ с прямым включением диода и размагничивающей обмоткой Wp(pHc 10.3. а) применяются в одноканальных ИПБВ мощностью до 70 Вт В этой схеме диод VD2, включенный между выводом вторичной обмотки трансформатора TV и дросселем L, отпирается при открывании транзистора VT и передает энергию в нагрузку через сглаживающий LCффильтp. Для ограничения амплитуды импульса напряжений на коллекторе транзистора VT После его запирания и обеспечения передачи в источник питания практически всей энергии, накопленной магнитным полем трансформатора TV за время открытого состояния транзистора VT, применяют размагничивающую обмотку

Число витков размагничивающей обмотки Wp определяется «о формуле

VP<---- (10 4)

О 7 " Э. II тих I

и о max

Максимальное значение коэффициента заполнения

W,/Wp

\i-w,,Wp

.Амплитуда импульсов коллекторного тока

ки = т:- (10.б)

0 т in Утах 1и

Для получения в схеме на рис 10.3, а Vma.v 0,9, при кото ром улучн1ается использование транзистора по коллекторному току и повьмнается КПД, в УМ необходимо применять транзисторы кэ и тех- " несколько раз превышающим t/g ,„„. В связи с этим схему на рис 10.3. а рекомендуется применять в ИПБВ, рассчитанных на питание от сети с напряжением 115-127 В.

В мостовом однотактном УМ с прямым включением диода (рис. 10.3, б) коллекторное напряжеиие транзисторов V7,, VT. и напряжение на обмотке Wi трансформатора TV в режиме размагничивания сердечника ограничено уровнем, не превышающим Ug. В связи с этим угпях в этой схеме не должен превышать 0,5. Транзисторы VTl и VTj включаются и выключаются одновременно, при чем разброс их времени включения и выключения не сказывается



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 [132] 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.027