Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



VTs осуществляется форсированное запирание транзисторов VTg и VT,.

Частота следования импульсов в схеме на рис 10.12, о при С, С,

Л, « 2,7 C,R.,. (10,26)

Максимальная длительность импульсов (при закрытом транзисторе КГ, и С С.,)

/„,„„,, * 0.38 R,C, (10.27)

Схема на рис 10 12, а рекомендуется для однотактныл ИПБВ мощностью до 100 Вт с обратным нли прямым включением диода и размагничивающей обмоткой,

На рис 10 13. U приведена схема ЗГ. выполненная на тран-зистора.ч типа р п р. которая рекомеидуется для управления мостовым однотактным усилителем ИПБВ (рис 10,3. б). Осиову схемы ЗГ составляет одновибратор с элементами автоматического запуска (VT - VTb. КО, -KDj). аналогичный рнс 10.12, а, На рис 10 13, б. № приведены эпюры напряжеиий в точках схемы, обозначенных соответствующими цифрами Отличие схемы от рнс 10 12. а состоит в том, что здесь введен эмиттерный повторитель на транзисторе VT.. который позволяет увеличить сопротивление резистора уменьшить емкость конденсатора C. и тем самым уменьшить минимальную длительность импульсов. Процессы, протекающие в обеих схемах, практически одинаковы. Транзистор КГ,, нагруженный на первичную обмотку трансформатора ГК. открывается на время действия импульса одновибратора и обеспечивает формирование управляющего импульса на базах транзисторов yAi. под действием которого они открываются. За время открытого состояния транзистора КГ конденсатор Сз практически полностью разряжается Положительный перепад напряжения на коллекторе транзистора КГ„, который возникает при его запирании после окончания импульса одновибратора, отпирает транзистор КГ,. нагруженный на обмотку W.. Вследствие этого на базах транзисторов КГ,„. КГ,, УМ формируется отрицательный импульс напряжения, обеспечивающий форсированное запирание транзисторов ум, Минимальная длительность запирающего импульса определяется экспериментально. Для транзисторов типов КТ809А, КТ826А и КТ828А она составляет 1.5; 2,5 и 3.5 мкс соответственио при амплитуде запирающего тока базы 0,8/g,„„.. Длительность запирающего импульса в основном определяется постоянной времени

н,за,.«2/?,5С..,. (10.28)

Для исключения :паразитного колебательного процесса после запирания транзистора КГ», который может привести к кратковременному отпиранию транзисторов УМ на интервале времени между отпирающими импульсами, к обмотке W. через транзистор КГ, подключается демпфирующий резистор

По, окончании действия запирающего импульса напряжение на базах транзисторов УМ остается отрицательным за счет ЭДС самоиндукции, возникающей при размагничивании магннтопровода трансс{к)рматора ГК, и тока через обмотку W, транзистор ГК, и резистор



Длительность управляющих импульсов в схеме на рис 10.13, о регулируется за счет изменения управляющего напряжения Су. которое вызывает изменение коллекторного тока транзистора КГ, Частота следования импульсов определяется по формуле (10.26), а длительность импульсов по формуле (10.271 прн закрытом тран эисторе КГ,. Максимальный коэффициепт заполнения в схеме на рис. 10.12, а может достигать 0,8.

На рис. 10.14, а приведена схема ЗГ, выполненная на цифре вых микросхемах. Она рекомендуется для применения в ИГ1БВ с выходной мощностью 100 Вт, УМ которых выполнен по однотакт ной схеме. Эпюры напряжений, в точках /, 2. 3 схемы приведены на рнс, 10.14, б.

На инверторах DDI Л и DDI.2 выполнен генератор такто вой частоты, импульсы которого дифференцируются и поступают на входы инвертора DD1.3. Последовательность отрицательных им пульсов, длительность которых ие превышает 10 % периода, с выхода инвертора DDI.3. через конденсатор С., прикладывается к, пере ходу база-эмиттер транзистора VT.. В результате за время аейст ВИЯ импульса конденсатор Сд заряжается до напряжения питания (7ц.

После окончания импульса напряжение на выходе инвертора DDL3 становится близким к напряжению питания и под денет вием напряжения на конденсаторе С;, транзистор VT.2 :1апирается После запирания транзистора VT.f напряжение на э\1иттере тран зистора VT„ становится близким к напряжению питания й иачииа ется стадия формирования импульса управления транзисторами УМ, Под действием то-ка через резистор /?» н коллекторного тока транзистора VT, конденсатор С;, начинает разряжаться и при уменьшении напряжения на нем до значения, при котором начинает про текать ток по переходу ба,эа - эмиттер транзистора VT.,, он откро ется, а КГц закроется, что соответствует моменту окончания управ ляюи1его импульса. Изменением тока коллектора транзистора КГ, регулируется длительность импульсов на выходе ЗГ, при закрытом транзисторе VT, она равна

/„ 0.7-/?„Cj, (10,29)

Период следования импульсов иа выходе тактового генератора

Г„ « 2.7/?,С,, R, R, 5/?4. (10,30)

Транзисторы VT; и VT, форсируют запирание транзисторов VT-, и VTb.

Модуляторы длительности импульсов. Модуляторы длитель ности импульсов (МДИ) вырабатывают последовательность импуль сов, длительность которых изменяется в зависимости от изменения входного сигнала цепи обратной связи.

Последовательность импульсов с выхода МДИ может быть ис пользована для непосредственного формирования сигналов управ леиия транзисторами в одиотактных УМ или для получения иа вы ходе ЗГ двух напряжений, сдвиг по времени между которыми изменяется в соответствии с входным управляющим напряжением. Чаще всего с помощью Л\ДИ иа выходе ЗГ формируется напряжение с паузой иа нуле, длительность которой должна изменяться в соотнетст-иии с входным управляющим напряжением.

По принципу действия МДИ разделяются на интегрирующие и с управлением по амплитудному напряжению.



ил,.,


1 1

J *

1

Рис. 10.14. Схема задающего генератора ма микросхемах для однотактного усилителя мощности (а) и

эпюры напряжений к точках/-схемы (6)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 [138] 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0112