Главная Источники вторичного электропитания - часть 2




Us,, О

-о I I I I 1 r I

-L L

I II I II

Рис. 10.19. Схема модулятора длительности нмлульсоп с генератором симметричного пилообразного иапряжения (я) и эпюры напряжений

входном напряжении равно йулю. Для обеспечения нелинейности пилообразного напряжения, не превышающего 10 %, необходимо, чтобы kpCf > 5Г„. Прн Этом двойная амплитуда выходного иапря Жения может быть бпределена по формуле (10.36). Частота следования симметричных треугольных импульсов на выходе МДИ ра» йа частоте входного напряжения. В схемах МДИ на рис. 10 18 и 10.19 коэффициент заполнения управляющих импульсов может изменяться от О до 1

При выборе схемы МДИ следует исходить из того, что если требуется получить коэффициент стабилизации ИПБВ, не превышаю щий 30, то можно использовать как интегрирующий МДИ, так н с управлением по амплитудному напряжению. При необходимости обеспечить коэффициент стабилизации более 30 следует Применять МДИ интег)зирующего типа

Базовые цели силовых транзисторов играют определяющую роль в формировании траектории рабочей точки транзисторов УМ, от которой зависят динамические потери мощности.

Схема базовой цепн иа рис. 10.20, а 11 7] используется в мощных ИПБВ с мостовым илн полумостовым усилителем, Эпюры напряжений в базовой цепн одного транзистора УМ приведены на рис. 10,20. б-г Для управления транзисторами УМ используют два трансформатора (ГК, и 712), обмотки которых (121 и IK22) соединяют через диоды VD, и VD2 параллельно. Длительность открывающих импульсов равна" времени перекрытия положительных полуволн прямоугольного напряжения Ue.x 1 и Uax 2. Изменяя время перекрытия положительных импульсов напряжения Ubx 1 и Uax з, можно изменять длительность открывающих импульсов и обеспечить тем самым шн-ротно импульсную модуляцию. При формировании управляющего напряжения для другого транзистора из напряженнй, сдвинутых по времени относительно (7вх 1 и Uax 2 соотпстстисннп на половину периода, образуется последовательность упр.в.мяющих импульсов.



сдвинутых на половину периода относительно последовательности управляющих импульсов, образованной из Uex i и Увх 2.

Из эпюр на рнс. 10.20, бив видно, что ло окончании положительного импульса Ubx 2 следует отрицательный перепад управляющего напряжения t/gg (рис. 10.29, г), который используется для форсированного запирания транзисторов УМ.

Минимальное значение запирающего напряжения равно Ubxi.i - Unp, а максимальное Ubx i + Ux 2. Амплитуды импульсов Ubx i и Uax 2 выбираются, как правило, равными, причем сумма напряжений U , + U j не должна превышать O.yt/gg „„. Минимальный ток базы

/вти. = ((>вх. + вх2--БЭши..) ?1 (10.37)

Сопротивление резистора выбирается из условия

R, R,/(2 -г 3). (10.38)

а емкость, форсирующего конденсатора

С, = 0,35- 10-б ?2

(10.39»

Амплитуда импульсов запирающего тока базы силовых траи зисторов усилителя мощности зависит от многих факторов и должна уточняться экспериментально. Оиа не должна превышать допустимого значения для выбранного типа транзистора. Напряжения вх 1 " вк 2 схеме на рис. 10.20. а выбирают в пределах 1,8- 2,2 В, что обеспечивает надежное отпирание и запирание транзисторов УМ при незначительных потерях мощности в цепях управления.

На рис. 10.21, а приведена схема базовой цепи транзисторов УМ, рассчитанных на выходную мощность 70-200 Вт. Эпюры напряжений в схеме приведены на рис. 10.21, 6, в. Входное напряжение базовой цепи (/„ формируется в однотактной схеме управления, которая должна обеспечивать протекание форсирующего за


If 41

Рис. 10.20. Схема базовой цепи транзисторов мостовых и полумосто вых усилителей мощности



Hl-t

Рнс 10.21 Схема базовой цепи транзисторов мощных однотактных усилителей


пираюп1ег() тока па начальном участке отрицательной полуволны управляющего иапряжения.

Диод KD, служит для подключения перехода база-эмиттер транзистора УМ непосредствеино ко вторичной обмотке трансформатора TV при отрицательной полуволне управляющего напряжения. Амплитуда импульса положительной полярности (отпирающего импульса) иа входе схемы базовой цепи U. выбирают в пределах 3.5 5 В. я амплитуду запирающих импульсов - в пределах 0,5-O.TC/gg Емкость форсир/ющего конденсатора Cj рассчи-

тывается по формуле (10 39). Амплитуда импульсов запирающего тока в этой схеме также определяется экспериментально. Для ограничения запирающего тока последовательно с диодом, KD, включают резистор.

На рис. 10.22. а приведена схема базовой цепи для мостовых и полумостовых УМ, рассчитанных на выходную мощность 70- 200 Вт-, эпюры напряжений в ней приведены на рис. 10,22, б, е. При поступлении иа вход импульса положительной полярности (рис 10.22, б) транзистор VT закрывается, поскольку сопротивления резисторов /?а и /?, выбираются такими, чтобы напряжеиие эмнттер -база КТ было близко к нулю. При уменьшении напряжения 6/,, до иуля транзистор VT открывается под действием напряжения на резисторе R. который подключен к дополнительному источнику отрицательного напряжения, выполненному иа диоде VD\

TV и.

с R,

□ П


Рис. 10.22. Схема базовой цепи транзисторов мостовых и полумостовых усилителен мощностью 70-200 Вт



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 [140] 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0161