Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



Полученное 311ачение в 4 раза превышает допустимое (0,8- 10-). Для уменьшения коэффициента пульсации, обусловленного r„,.j. ,ia выходе ИПБВ необходимо включить дополнительный одиозвен-„ый .Сфильтр. Принимаем = 0,05 U и находим

Кл1 3.10-д

0,06ft„.„ «2 ~ 0.06.2.6.39.5.2.5.35 "

Выбираем конденсатор Са типа К73-16-63-6,3 мкФ ± 10 %. Выбираем конденсаторы Cjs и С, типа КЮ-17-2а-Н90-1 мкФ. Выбираем i.2= 100 • 10-« Гн.

Емкость конденсаторов C,]-C,2-Ce-C,o-Ce-C.i выбираем по 0.033 мкФ, тип конденсаторов К75-10: выбираем Cj = 2,2 мкФ типа К75-10.

Емкость конденсатора С., при /?в ~ 33 кОм по формуле (10.66)

Сз= (--+ --+• --] 20-20- 10-4 = 0,035 мкФ

V 33-103 22-103 30-3-103 j

Выбираем конденсатор типа КМ-6А-НЗО-0,033 мкФ.

23. Постоянную времени демпфирующих цепочек из», Со и /?,,9, С21 выбираем в пределах (0,04-0,06) • 10-», причем емкость конденсаторов Со, Сд, выбираем по 470-750 пФ.

После сборки и настройки макета ИПБВ проверяем траекторию рабочей точки транзисторов УМ в пределах ОБР и уточняем режимы работы элементов.



ЧАСТЬ ЧеТвЕРТАЯ

ВОПРОСЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ И КОНСТРУИРОВАНИЯ ИСТОЧНИКОВ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

Г лава одиннадцатая

Основные вопросы проектирования источников вторичного электропитания

11.1. Выбор структурных схем и функциональных узлов

Система вторичного электропитания (СВЭП) радиоэлектронной аппаратуры может быть выполнена по одной из структур, каракте-ристики которых приведены в табл. И.1.

Централизованная СВЭП применяется преимущественно в больших стационарных комплексах, например в ЕС ЭВМ {17}. В состав таких систем помимо источников электропитания, которые, как правило, являются одноканальными. входят различные вспомогательные устройства контроля и управления энергоснабжением, защиты и сигнализации, приборы диагностики источников электропитания. Достоинством централизованной СВЭП является удобство обслуживания и эксплуатации. Недостатки: трудность передачи больших токов (100-200 А) по проводам, необходимость резервирования блоков, а также трудности миниатюризации ИВЭ, которые содержат большое число элементов, резко отличающихся по своим габаритам

Таблица 11.1

Основные характеристики некоторых систем вторичного электропитания

Структура СВЭП

Особенности размещения ИВЭ

Выходные токн ИВЭ

Централизованная

Децентрализованная

Смешанная

Сгруппированы в отдельные шкафы, размещаемые вне секций РЭА Непосредственно в приборах и на платах функциональных узлов РЭА, которые онн питают В секциях, шкафах нли устройствах РЭА, которые оии питают

Десятки и сотни ампер

До нескольких ампер

Единицы и десятки ампер



и массе, например интегральные микросхемы с плаиарными вы дами и электролитические конденсаторы большой емкости, имеющие цилиндрическую конструкцию, и т.п.

Децентрализованная СВЭП применяется в основном в РЭА ле тательных аппаратов, работающих от низковольтной сети постоя и ного тока, со сложной программой включения и выключения раз личных приборов. Достоинством этой системы является возможность миниатюризации входящих в нее ИВЭ за счет повышения частоты преобразования и применения интегральных микросхем. Недоста ток системы; необходимо иметь большое число многоканальных источников питания (по числу функциональных приборов), отли чающихся выходной мощностью и номиналами напряжений.

Смешанная СВЭП содержит как централизованные, так и децентрализованные устройства электропитания. На рис. 11 1,й приведена смешанная структурная схема системы электропитания на основе источников питания с бестрансформаторным входом (ИПБВ) Здесь ИПБВ является централизованным основным источником пи тания аппаратуры, размещаемой в одном шкафу; ои обеспечивает на выходе напряжение 5 В при токе 15 А. Стабильность напряжения поддерживается регулируемым преобразователем в ИПБВ Допол иительные источники питания Cflj, СВ выполнены в виде отдельных модулей. Они имеют свои трансформаторы, подключаемые к ИПБВ (/„ = 20 кГц), выпрямители н выходные интегральные стабилиза торы, Наличие таких модулей питания на определенные уровни .напряжений (С,„, Уна) позволяют строить систему электролита н;ия комплекса на унифицированных модулях питания с макснмадь ным использованием ИВЭ по мощности.

На рис. 11.1, б приведена смешанная структурная схема систе мы электропитания, работающей от сети 220 В, 400 Гц на основе централизованного регулируемого выпрямителя (тиристориого ста билизатора). В приборах РЭА, размещаемых в одном шкафу е источником электропитания, в зависимости от требуемого качества питающих напряжений устанавливаются стабилизаторы непрерыв иого,типа (СН) на токи нагрузки до I А или импульсные стабилизаторы (ИС) на токи 3-5 А. Это позволяет повысить КПД ИВЭ, уменьшить их массу и габариты.


Сеть -3808, 50Ги

Сеть

Рис. 11.1. Структурные схемы системы электропитания: на основе источников питания с бестрансформаторным входом; б - на основе регулируемого тиристориого выпрямителя



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 [146] 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0094