Рис. 12.11. Ход решений номограммы на рис. 12.10 foi =0,16(LCo)-; fo2=0,lQ,{LoC )-<>

2. Определим возможность испольгования блокирующего конденсатора:

выбираем схему замещения п. 2.2 табл. 12.4;

для выбранной схемы замещения и заданным значениям Cj = = 0,1 мкФ и Ко min - 100 (40 дБ) определяем емкость блокирующего конденсатора:

Сбл = Komi,, С,- = 100 - 0,1 = 10 мкФ;

по номограмме на рис. 12.5 для диапазона частот 5 - 70 МГц конденсатор емкостью 10 мкФ должен иметь собственную индуктивность порядка 10"в мкГи, что не может быть выполнено для конденсаторов большой емкости.

3. Расчет индуктивно-емкостного ППФ: по номограмме на рис. 12.5 для заданного диапазона частот 5-70 МГц по параметру замещения сети С,- = 0,1 мкФ определяем реактивное сопротивление Х. - 0,35 - 0,02 Ом. Аналогично по номограмме иа рис. 12.6 по параметру замещения нагрузки "" 50 мкГн определяем реактив ное Сопротивление

1,5 • 10 - 2 • 10« Ом.

4. Ориентируясь иа полученное соотношение сопротивлений сети и нагрузки по табл. 12.3 выбираем Г-образиый фильтр с индуктивным входом для несимметричных помех.

5. Определяем элементы ППФ по номограмме на рис. 12.10: по заданным Ко max 60 дБ, 5 МГц, foz - 70 МГц иаходим значения произведений LC 1 мкГн - мкФ и LCo - 6 X X 10-» мкГи • мкФ;

по заданному Ко тШ "=• 40 дБ прн частоте /н.ц 1 МГц определяем прямую, соответствующую произведению LC = 3,5 мкГнХ X мкФ. При этом новое значение частоты /oi 3 МГц.

6. Задаваясь индуктивностью L = 10 мкГи, определяем

С =3,5. 10 «=-0,35 мкФ:

по номограмме на рис. 12.10 для частоты foi °= 3 МГц и С = =» 0,35 мкФ находим /-о ~ Ю"* мкГн, а для частоты /оа 70 МГц н L = 10 мкГн - зиачение = 0,5 пФ;

определяем емкость Сф по формуле п, 6.2 табл 12.4 и заданным значениям К„щ1п= 100 (40 дБ) и /н.п" МГц. Принимаем L - = Lф 10 мкГп

Kami,, С+ф/-м) 100.1.2

С, -- -=.0.3 мкФ

4л/„„/.ф 40.1.10

Выбираем большую из емкостей С и Сф С ~ 0.35 мкФ

6, По заданной длине проводов ИВЭ - нагрузка и нх диаметру (0.5 м и 0,5 мм) по рнс. 12.9 определяем индуктивность проводов линии питания /-л - 2 . 0.85 - 1,7 мкГн. Л1ножитель «2» учитывает обратный провод.

7. По номограмме на рис. 12.7 и ее параметрам С = Сф = = 0,35 мкФ и L = /..I -+- i-H - 1.7 -I- 50 W 52 мкГн проверяем гра ничную частоту резонанса контура подавления помех в соответствии с ходом решения, приведенным в п. 6.2 табл 12.4

Частота /i-,, =0,1 МГц. Требование /ц.</п.п = 1 МГц выполняется.

Определение диапазона частот подавления ЭМП по известным параметрам ППФ осуществляется по номограмме на рис. 12.10, При этом производится Оценка максимального коэффициента ослабления Котах. На рис, 12,11, в показан ход решения поставленной Задачи.

Пример 2, Даны параметры нндуктивно-емкостного ППФ-

/. =10« мкГи. С=10"" мкФ. С„ = 1 пФ. 1„=10-- мкГн,

Требуется определить границы частотного диапазона, в котором осуществляется максимальное ослабление помех.

1, По заданным параметрам вычисляем произведение:

LC = iQ* - 10~ 1 мкГнмкФ; /.„ С„ = 10"- 110-= 10"-* мкГимкФ

2, По номограмме на рнс. 12.10 в соответствии с рис. 12.11, в определяем /oi = l,5 МГц, /ог=150 МГц. Значение Ко тах= 40 дБ,

Параллельное включение блокирующих конденсаторов увеличивает частотные пределы помехоподавления, если подключаемый конденсатор более высокочастотный, чем основной. На рнс. 12.12 приведена эквивалентная схема включения конденсаторов и спрямленные частотные характеристики полного сопротивления цепн. Резонансная частота параллельно включенных конденсаторов лежит между резонансными частотами /. конденсаторов С,. Сг и равна

/p=0,l6(iLo.., С:,)-«- (12.9)

где Z.„a=/-,„-f £„г. Са=С, Cs/(Ci-f Са).

Модуль полного сопротивления на частоте резонанса /(>

г,,., (12.10)

-0.5

Обынио Ui « Lni. Ci « Ci. Прн этом fp=0,16 (Lo,. Са) Zo.e-0,5 Vu,(Ci.

Последовательное включение дросселей предусматривает увеличение полного сопротивления индуктивного элемента ППФ, Иа рис, 12.13 приведена эквивалентная схема включения индуктивно несвязанных дросселей и спрямленныр частотные характеристики полного сопротивления цепи.

Резонанс}ая частота последовательно включенных дросселей

/р-0.16 С,

(12.11)

где L; - L,Lil(Li-\-Li)\ Co-.i = Coi + С02. Модуль полного сопротивления на частоте резонанса

2o, = 0,5Ki..,/C„„

(12 12)

Взаимная индуктивность близко расположенных дросселей увеличивает полное сопротивление цепи. При включении однотипных дросселей

/„ =Q.H\(LC,)-0- и Zo;=0,25 уЩ;,. где 1-1, = L,. С„~Со,-Со-2.

Поглощающие фильтры применяются в диапазоне частот свыше 20-50 МГц. Они используют магнитопровод тороидального типа с внутренним диаметром, согласованным с диаметром провода, подключаемого к входным или выходным зажимам ИВЭ. Материалом магнитопровода являются ииксль-цинковыс ферриты с низкой начальной магнитной проницаемостью и альсифсровые магнитоди-электрические материалы.

Включение поглощающего фильтра в контур подавления ЭМП эквивалентно применению последовательной индуктивности, Гн 1101),

Z.=0,2po Л In 10-9 (12.13)

где ро ~ ITi j-jj, мкГн/м - обратная магнитная постоянная; Л -

длина магнитопровода, м; D, d магнитопровода.

- внешний и внутренний диаметры

1), Л

Рис, 12,12, Частотные характеристики двух параллельно включенных конденсаторов

Рис. 12.13. Частотные характери стики двух последовательно включенных дросселей