Главная Источники вторичного электропитания - часть 2




Рис. 12.11. Ход решений номограммы на рис. 12.10 foi =0,16(LCo)-; fo2=0,lQ,{LoC )-<>

2. Определим возможность испольгования блокирующего конденсатора:

выбираем схему замещения п. 2.2 табл. 12.4;

для выбранной схемы замещения и заданным значениям Cj = = 0,1 мкФ и Ко min - 100 (40 дБ) определяем емкость блокирующего конденсатора:

Сбл = Komi,, С,- = 100 - 0,1 = 10 мкФ;

по номограмме на рис. 12.5 для диапазона частот 5 - 70 МГц конденсатор емкостью 10 мкФ должен иметь собственную индуктивность порядка 10"в мкГи, что не может быть выполнено для конденсаторов большой емкости.

3. Расчет индуктивно-емкостного ППФ: по номограмме на рис. 12.5 для заданного диапазона частот 5-70 МГц по параметру замещения сети С,- = 0,1 мкФ определяем реактивное сопротивление Х. - 0,35 - 0,02 Ом. Аналогично по номограмме иа рис. 12.6 по параметру замещения нагрузки "" 50 мкГн определяем реактив ное Сопротивление

1,5 • 10 - 2 • 10« Ом.

4. Ориентируясь иа полученное соотношение сопротивлений сети и нагрузки по табл. 12.3 выбираем Г-образиый фильтр с индуктивным входом для несимметричных помех.

5. Определяем элементы ППФ по номограмме на рис. 12.10: по заданным Ко max 60 дБ, 5 МГц, foz - 70 МГц иаходим значения произведений LC 1 мкГн - мкФ и LCo - 6 X X 10-» мкГи • мкФ;

по заданному Ко тШ "=• 40 дБ прн частоте /н.ц 1 МГц определяем прямую, соответствующую произведению LC = 3,5 мкГнХ X мкФ. При этом новое значение частоты /oi 3 МГц.

6. Задаваясь индуктивностью L = 10 мкГи, определяем

С =3,5. 10 «=-0,35 мкФ:

по номограмме на рис. 12.10 для частоты foi °= 3 МГц и С = =» 0,35 мкФ находим /-о ~ Ю"* мкГн, а для частоты /оа 70 МГц н L = 10 мкГн - зиачение = 0,5 пФ;



определяем емкость Сф по формуле п, 6.2 табл 12.4 и заданным значениям К„щ1п= 100 (40 дБ) и /н.п" МГц. Принимаем L - = Lф 10 мкГп

Kami,, С+ф/-м) 100.1.2

С, -- -=.0.3 мкФ

4л/„„/.ф 40.1.10

Выбираем большую из емкостей С и Сф С ~ 0.35 мкФ

6, По заданной длине проводов ИВЭ - нагрузка и нх диаметру (0.5 м и 0,5 мм) по рнс. 12.9 определяем индуктивность проводов линии питания /-л - 2 . 0.85 - 1,7 мкГн. Л1ножитель «2» учитывает обратный провод.

7. По номограмме на рис. 12.7 и ее параметрам С = Сф = = 0,35 мкФ и L = /..I -+- i-H - 1.7 -I- 50 W 52 мкГн проверяем гра ничную частоту резонанса контура подавления помех в соответствии с ходом решения, приведенным в п. 6.2 табл 12.4

Частота /i-,, =0,1 МГц. Требование /ц.</п.п = 1 МГц выполняется.

Определение диапазона частот подавления ЭМП по известным параметрам ППФ осуществляется по номограмме на рис. 12.10, При этом производится Оценка максимального коэффициента ослабления Котах. На рис, 12,11, в показан ход решения поставленной Задачи.

Пример 2, Даны параметры нндуктивно-емкостного ППФ-

/. =10« мкГи. С=10"" мкФ. С„ = 1 пФ. 1„=10-- мкГн,

Требуется определить границы частотного диапазона, в котором осуществляется максимальное ослабление помех.

1, По заданным параметрам вычисляем произведение:

LC = iQ* - 10~ 1 мкГнмкФ; /.„ С„ = 10"- 110-= 10"-* мкГимкФ

2, По номограмме на рнс. 12.10 в соответствии с рис. 12.11, в определяем /oi = l,5 МГц, /ог=150 МГц. Значение Ко тах= 40 дБ,

Параллельное включение блокирующих конденсаторов увеличивает частотные пределы помехоподавления, если подключаемый конденсатор более высокочастотный, чем основной. На рнс. 12.12 приведена эквивалентная схема включения конденсаторов и спрямленные частотные характеристики полного сопротивления цепн. Резонансная частота параллельно включенных конденсаторов лежит между резонансными частотами /. конденсаторов С,. Сг и равна

/p=0,l6(iLo.., С:,)-«- (12.9)

где Z.„a=/-,„-f £„г. Са=С, Cs/(Ci-f Са).

Модуль полного сопротивления на частоте резонанса /(>

г,,., (12.10)

-0.5

Обынио Ui « Lni. Ci « Ci. Прн этом fp=0,16 (Lo,. Са) Zo.e-0,5 Vu,(Ci.



Последовательное включение дросселей предусматривает увеличение полного сопротивления индуктивного элемента ППФ, Иа рис, 12.13 приведена эквивалентная схема включения индуктивно несвязанных дросселей и спрямленныр частотные характеристики полного сопротивления цепи.

Резонанс}ая частота последовательно включенных дросселей

/р-0.16 С,

(12.11)

где L; - L,Lil(Li-\-Li)\ Co-.i = Coi + С02. Модуль полного сопротивления на частоте резонанса

2o, = 0,5Ki..,/C„„

(12 12)

Взаимная индуктивность близко расположенных дросселей увеличивает полное сопротивление цепи. При включении однотипных дросселей

/„ =Q.H\(LC,)-0- и Zo;=0,25 уЩ;,. где 1-1, = L,. С„~Со,-Со-2.

Поглощающие фильтры применяются в диапазоне частот свыше 20-50 МГц. Они используют магнитопровод тороидального типа с внутренним диаметром, согласованным с диаметром провода, подключаемого к входным или выходным зажимам ИВЭ. Материалом магнитопровода являются ииксль-цинковыс ферриты с низкой начальной магнитной проницаемостью и альсифсровые магнитоди-электрические материалы.

Включение поглощающего фильтра в контур подавления ЭМП эквивалентно применению последовательной индуктивности, Гн 1101),

Z.=0,2po Л In 10-9 (12.13)

где ро ~ ITi j-jj, мкГн/м - обратная магнитная постоянная; Л -

длина магнитопровода, м; D, d магнитопровода.

- внешний и внутренний диаметры

1), Л



Рис, 12,12, Частотные характеристики двух параллельно включенных конденсаторов

Рис. 12.13. Частотные характери стики двух последовательно включенных дросселей



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 [163] 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.011