Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



Таблица 12.6 Эффективность экранирования замкнутых экранов

Тип экрана

Материал экрана

Электрическое поле

Магнитное поло

-1омограмма

Сплошной

Медь

lim 3jT

nkm Э

Рис, !2 17

Алюмнннй,

латунь

бронза

km 5e

Сталь, пермаллой

kl km Эр

nkl km Э

Перфорированный

Медь

k,i km Э

nkn lim Э

Рис. 12,17

Алюминий,

латунь,

бронза

1(,Ппкт Эе

nk fe„ km Э

Сталь, пермаллой

(, 11 Эр

nkl n "i

Сетчатый

Медь

km 5£

nkm3%

Рис. 12.18

Алюминий,

латунь,

бронза

ftg km

nkfy km Э)т

Сталь

fc* ь

nkl 1m 5e

Из фольги

Медь

nkm 5

Рис. 12.19

Алюминий

nkm k(,9%

Металлизированный

См. номограмму иа рис. 12.20

km 3g

nkm 5£

Рис. 12.20




Рис. 12.26. Параметры перфорации

6. Искомая эффективность экранирования магнитной составляющей поля для экрана нз алюминиевой фольги определяем по формуле из табл. 12.6:

9%=nkg km Э = 2.5-10---0,82 X

X 0,94-1 ,3-105=2,6-10» (68 дБ)

Пример 4, Определить допустимое Значение показателя электрической негерметичности тдля сплошного экрана из стали Э46 но следующим исходным данным: эквивалентный радиус экрана = 0,02 м; толщина стенки d = экранирования на частоте 100 МГц

= 0,75 мм. Эффективность должна быть = 10*.

1, Для стали Э46 по справочным данным относительная магнитная проницаемость (х = 750; удельное сопротивление р -55 х

X 10-8 Ом • м.

2, По графикам на рис, 12,23 находим значение коэффициента kl = 0,075,

3, По формуле эффективности экранирования сплошного стального экрана (табл, 12,6) определим значение для медного экрана; при этом по графикам на рис. 12.24 для частоты /=з 100 МГц примем ориентировочно пределы коэффициента k- 0.75-0,95:

о О /п

10/(0.75 0,95) X 10».

0,075 = (1,41,8) X

4, По номограмме на рнс, 12,17, используя значения Э. j. R, определяем отношение d/m„ = 0,1-f-0,15, Ход решения принимается противоположным указанным на номограмме направлениям стрелок,

5. Допустимое значение электрической негерметичности экра на при заданной толщине стенок d - 0,75 мм составит

т„ - rf/(0,l-0,l5) = 5 7,5 мм.

Общая эффективность подавления ЭМП посредством ППФ. встроенных в экранируемый ИВЭ, обеспечивается в случае, если ослабление помех в проводах примерно равно эффективности экранирования. При Этом принимаются меры для уменьшения паразитных связей между входом и выходом встроенного ППФ.

В связи с тем, что приведенные методы расчета эффективности подавления кондуктивных помех и экранирования излучений от ИВЭ являются приближенными, на частотах выше 200--300 МГц необходимо иметь Достаточный запас. При оценке границ уверенного (с точки зрения точности) расчета можно использовать номограммы на рис. 12.5 и 12.6 для элементов ППФ по их практической реализуемости и неравенство /, МГц 50 ?э, м для контроля эквива-леитного радиуса экрана при заданной верхней границе частот подавления помех излучения.



12.4. Электромагнитны-е помехи в гибридных интегральных микросхемах и микросборках

Миниатюризация ИВЭ на основе гибридных интегральных микросхем и микросборок прявела к качественному изменению излучаемых и передаваемых ио проводам помех. Повысилась роль емкостных связей между близко расположенными элементами, сократились расстояния от ИВЭ до ее нагрузки. В микросборках помехи ослабляются металлическим корпусом.

Методы подавления помех, приведенные в § 12.1, в основном применимы к ИВЭ, выполненным по гибридно-пленочной технологии; однако необходимо учитывать следующие особенности:

при установке иа подложку бескорпусных конденсаторов должно быть обеспечено четырехпроводное соединение их с другими элементами схемы так, чтобы создать раздельные входные и выходные импульсные цепи;

взаимное расположение элементов микросборки осуществляется с учетом самокомпенсации импульсных магнитных полей;

экранирование дросселей импульсных стабилизаторов и трансформаторов преобразователей должно предусматриваться в конструкции корпуса микросборкн;

входные и выходные выводы микросборки попарно располагаются так, чтобы соединения их с контактными площадками имели минимальную площадь. Вход и выход модуля ИВЭ должны быть разнесены или расположены на противоположных сторонах корпуса.

Оценка перекрестных помех внутри микросборки производится по воздействию ннзкоомного силового контура импульсного ИВЭ {активная цепь) на высокоомный контур управления (пассивная цепь).

Прн этом определяются [85]: индуктивность проводника (резистора) L, мкГи

L = 2 • 10-/ [2,3 Ig (2 6) Н- 0,226 -f 0,51; (12.18)

взаимная индуктивность связи Мсв> мкГн, параллельных проводников одинаковой длины

Мсв = 2 • 10-» / [2,3lg (211а) - 1 - all] (12.19)

емкость связи Сев. в пересечении проводников

Сев - 0,05 (El -Ь Bj) Sid. (12.20)

Здесь I ч Ь длина и ширина проводника или резистора, см; а - расстояние между осями проводников, см; е, - относительные диэлектрические проницаемости окружающей среды и подложки; S - площадь взаимного пересечения, см*; d - толщина диэлектрика, см.

Максимальное значение емкостной помехи от перепада напряжения в активной линнн U.n с длительностью фронта <ф при воздействии на пассивную линию с эквивалентной нагрузкой в виде параллельно включенных емкости Сн.дкв " активного сопротивления /?„.экв noij:

с.а.- """f;-"" At/.a[l-expx

(-1-ic\c ))]• -

\ «К.ЭКв l-Свт-н.экв . 17 алк.Ш 513



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 [168] 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0123