Максимальное значение индуктивной помехи в пассивной цепи с внутренним сопротивлением Rua и эквивалентной нагрузкой н. экв от скачка тока в активной цепи А/д с длительностью фронта <ф:

, пример 5- Требуется оценить индуктивную перекрестную помег ху для гибридного импульсного ИВЭ по следующим исходным дан-: ным; длина н ширина проводников / == 5 см, 6 = 0,7 мм; расстояние между проводниками а = 1 мм; отношение внутреннего сопро-.тивления.и эквивалентной нагрузки пассивной линии RjJRh, див = = 0,5; скачок тока в активной линии и длительность его фронта А/а = 5 А, = 0,3 мкс.

!. Взаимная индуктивность связи проводников

Мса = 2 • 10-« • 5 [2,3 lg (2 • 5/0,1) - 1 - 0,1/5] = 3,6 х X 10-2 мкГн.

2. Максимальное значение индуктивной помехи иа эквивалентной нагрузке пассивной лннин по формуле (12.22)

/.тй;.=-3.6-10-9--= -0,14 В.

0.3.10-«(0,5+1)

Пример 6. Требуется оценить значение емкостной помехи от пересечений проводников по следующим исходным данным: площадь взаимного пересечения 5 = 0,25 см; толщина диэлектрика d = 0,3 мм; диэлектрическая проницаемость среды и подложки 1= 1> 2 = 6. Эквивалентные параметры нагрузки в пассивной линии Сд.зкв = 40 пФ, Rji.am = 500 Ом. Перепад напряжения и его фронт в активной линии AUji.a ~ 27 В, = 0,2 мкс.

1. Емкость связи в пересечении проводников

Сев = 0,05 • (1-f 6) • 0,25/0,03 = 0,27 пФ.

2. Максимальное значение емкостной помехи на эквивалентной нагрузке пассивной линии по формуле (12.21)

0,27-10-2.50о

- ехр

0,2.10~

500 (0,27-Ь40) 10-2

= 0,018В.

Эффективность экранирования корпуса микросборки с учетом электрической негерметичности за счет выводов определяется по Номограмме на рис. 12.17. Длина щели экрана = ПвС/о.в> Д® Пц - число выводов, do.в - диаметр отверстий под выводы.

Пример 7. Требуется определить эффективность экранирования корпуса типа К-159 на частотах 1 и 100 МГц для магнитной состав- ляющей поля по следующим исходным данным: внутренний объем корпуса = 12,3 см; материал корпуса - сплав 47НД; число выводов Пв = 44 (4 вывода не учитываются, так как они расположены на одной линии с другими выводами); диаметр отверстий ЭМ-,,Водой do.в =1,1 мм; средняя толщина стенок d == .1 мм.

1. Определим величину = 44 1,1 = 48,5 мм.

2. Параметры номограммы d/m„ = 1/48,5 = 0,02;

/?э =0,63 V12.3-10- =1.43.10-

3. Для сплава 47НД находим удельное электрическое сопротив-.чение р = 45 • 10-* Ом • м и относительную магнитную проницаемость = 160.

4 По графикам на рис. 12.23 определяем коэффициент feg =i =0,13.

5. По графикам на рис. 12.24 находим значение коэффициента ™ 1 и 0,75 для частот I и 100 МГц сответственно.

6. По графикам на рис. 12.21 определяем коэффициент « = = 3 • 10-* и 3 • 10~ для частот 1 и 100 МГц соответственно.

7. По номограмме на рис. 12.16 пределяем эффективность экранирования электрической составляющей поля медным сплошным экраном:

для h = 1 МГц 5= 1,3 • 10" (124 дБ), для /., = 100 МГц 10* (80 дБ).

8. По формуле из табл. 12.6 для стального сплошного экрана определяем эффективность экранирования магнитной составляющей поля:

для ft ~ 1 МГц; Эд = fejrtfe,,, = 0,13 • 3 • I0-* IX X 1,3 • 10« = 51 (34 дБ); для /г 100 МГц Э = 0,13 • 3 к К 10-2 . о 75 . 10* = 29 (29 дБ)-

12.5. Измерение электромагнитных помех

Кондуктивные ЭМП измеряются на всех входных и выходных контактах, включая цепи управления, сигнализации и др. Напряженность поля ЭМП измеряется иа заданном расстояний от ИВЭ, как правило, со стороны передней панели. Методы испытаний, технические требования к приборам и нормы на ЭМП определяются нормативными документами, которые распространяются на функционально законченные системы электропитания, стойки, блоки, узлы и модули, непосредственно подключаемые к общей первичной сети.

Источники электропитания могут излучать уровни ЭМП выше установленных норм, если объединяющие их устройства содержат ППФ и экраны, обеспечивающие необходимое подавление ЭМП. Последнее не распространяется на унифицированные ИВЭ.

Измерение напряжения ЭМП по симметричному пути распространения производится между зажимами на входе нли выходе, а по несимметричному - относительно одного из зажимов и корпуса устройства, содержащего ИВЭ, или нулевого провода сети (см. рнс. 12.1).

Контроль ЭМП предусматривает применение измерительных приборов (измерителей помех) с аттестованными техническими характеристиками. Измерение ЭМП другими приборами (осциллографом, микровольтметром эффективного илн амплитудного значений, спектрометром и др.) ие может обеспечить получения данных для сравнения с заданными нормами. В качестве примера иа рис. 12.27

17* 515

0,05 0,1

50 WO -е.мги,

Рис. 12.27. Нормы на допустимые электромагнитные помехи по напряжению (нулевой уровень соответствует напряжению 1 мкВ):

/. 3 - для радиоприемныхустройств; 2. 4 - лля вычислительных устройств; 5 -для телефонии и телеграфии

И 12.28 приведены нормы иа допускаемые уровни напряжения и напряженности поля ЭМП помех для некторых типов функциональных приборов РЭА.

Основные приемы измерения помех заключаются в следующем.

Измерение напряжения ЭМП от ИВЭ должны проводиться в экранированных помещениях или вне нх прн условии, что уровни посторонних помех на 10 дБ ниже допускаемых нормами значений.

Схемы измерения напряжения ЭМП приведены на рис. 12.29, а, б. Они предусматривают подключение измеряемых ИВЭ к сетям переменного или постоянного тока через эквивалент сети, регла-ментируюи1ин нагрузку при измерении помех в питающей сети или

50 40 30

20 10

0,«

100 f, МГц

Рис. 12.28. Нормы на допустимые помехи по электромагнитному полю (нулевой уровень соответствует напряженности 1 мкВ/м)

/-для радиоприемных устройств; 2 - для, вьгчислительиых устройств; 3 - дЛя телефонии Я телеграфии