Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



Ь Определяем площади / = х частей поверхности радиатора: S, = (,1 - 1) аО = (11 - 1) 0,0 • 0,101= 1,01-Ю-м; = 2 (,1 - 1) HD = 2 (И - I) 0,02 • 0,101 =4,04 • 10- м«;

5з = WD = 2 • 0,025 • 0,101 = 0,505 • 10- м; S4 = п6 (D + 2Я,) + 2(Я - Я,) В = И • 0,001 (0,10/t+-+ 2 • 0,02) + 2 (0,025 - 0,02) 0,1 = 1,65 • 10- м; 5.5 = BD = 0,101 • 0,101 = 1,01 • 10-2 м

S = 2 S; = 8,3 .10-2 „2 1=1

2. В первом приближении задаемся средней поверхностной температурой радиатора Гр = 76 °С.

3. Определяем среднюю арифметическую температуру

Тт = 0,5 (Гр + Гс) = 0,5(76 + 50) = 63 "С. (13.26)

4. Определяем температуру окружающей среды между ребрами по формуле 1105)

Гс = Гр-(Гр - Гс)/И (S), (13.27)

•де М (I) - критерий, учитывающий повышение температуры окружающей среды между ребрами Гс относительно температуры в пространстве, достаточно удаленном от радиатора. Для воздуха Значения критерия М (I) приведены в табл. 13.9. Значения I определяется по формуле

1 = А,(Тт){а- Ь)(ии) ",7/" . (13.28)

D/* (мм)

где (Г) - параметр, учитывающий свойства окружающей среды при температуре Г (для воздуха этот параметр представлен в табл. 13.10); а, 6 и D - в миллиметрах.

Таблица 13.9 Зависимость критерия М от параметра

0,095

0,245

0,390

0,480

0,680

Окончание табл. 13.9

0,815

0,895

0,935

0,960

0,980

0,990



Таблица 13.10 Зависимость параметра Л4 от температуры Тщ

Г т. °С

0,395

0,375

0,36

0,35

0,335

0,325

0.315

Окончание табл. 13. tО

Тт. °С

0,303

0,293

0.280

0,260

0.250

0,235

Проводим численный расчет температуры Гс-

а) из табл. 13.10 определяем А (63 °С) = 0,311;

б) по формуле (13.28) рассчитываем

=0,311 (0,01-0,001) • 103

(76-.50)" (0,101-103)/*

I,985;

в) из табл. 13.9 определяем М (1,985) = 0,81;

г) по формуле (13.27) рассчитываем искомое зиачение темяе-ратуры

Tic = 76 - (76 - 50) • 0,81 = 55 "С.

5. Рассчитываем коэффициент теплообмена конвекцией для t-x частей поверхности радиатора:

а) для поверхностей Sj и S, по формуле, приведенной в табл. 13.1,

(76-55) \

\ 0,101

= 4,92Вт/м«-К.

где Л 2 (65,5 "С) = 1,3 прн Г = 0,5 (Гр + Гс) = 0,5 (76 + + 55)=65,5°С;

б) для поверхностей S3, S, Sg при Г,-с = Гс 50 °С и Тщ - ~ Тт ~ 63 °С (см. п. 3 примера) по формуле из табл. 13.1 определяем

КЗ, 4, 6 -

/ 76-50 \

.3-)==5.18Вт/м2.К.

\ 0.101 /

6. Определяем коэффициент теплообмена излученяел для 1-х частей поверхности радиатора:

а) для поверхностей Si и Sa по формуле (13.6) •

«л»,2 = вдфр.с / (Гр. Те} = 0,9 • 0,0476 • 8,6 =. 0.378 Вт/м»- К,



где коэффициент облученности определяется по формуле

tpcvi--= ---=0,0476,

" a + 2D 0,04-2.0,101

а выражение / (76 Т, 50 °С) = 8,6 Вт/м* • К - по формуле (13.7);

б) для поверхностей Sg, S4, с учетом соотношения Фр.сз.б = 1 по формуле (13.6) определяем

ал.3,4,5 = 0,9 • 1 • 8,6 = 7,75 Вт/м* - К.

7. Рассчитываем мощности, рассеиваемые i-ми частями поверхиости радиатора, и суммарную рассеиваемую мощность радиатора по формуле (13.25):

S S [«.uSi(7p-rc) + aaiS,(rp-fc)],

i=1 i=i

откуда

Pi = 4,92 • 1,01 • 10-476 - 55)+ 0,378 • 1,101 • 10- x (76 - 50) = 1,14 Вт; = 4,92 • 4,04 • 10-2 (76 - 55) + 0,378 • 4,04 10- x X (76 - 50) = 4,59 Вт; Pa =. 5,18 • 0,505 • IO-2 (76 - 55) + 7,75 • 0,505 • 10-* x

X (76 - 50)= 1,57 Вт; P, = 5,18 • 1,65 10-2 (76 - 55) + 7,75 • 1,65 • 10-* x

X (76 - 50) = 5,13 Вт; Рб = 5,18 • 1,02 • 10-2 (76 - 55) + 7,75 • 1,02 • lO-* x X (76 - 50) = 3,26 Вт; Pp = 1,14 + 4,59 -b 1,57 + 5,13 + 3,14 = 15,59 Вт.

Аналогично производится расчет для других значений средней температуры поверхиости радиатора, из которого можно получить тепловую характеристику радиатора в виде Р - f (Гр).

Теперь предположим: что на этом радиаторе установлены ЭРИ мощностью Р- 15,59 Вт; определим их температуру.

а) Пусть на радиаторе с помощью пасты КПТ-8 установлен транзистор КТ809А, рассеивающий мощность Р - 15,59 Вт; трг-да температуру перехода определим по формуле (13.16) .

Г„= Гс+ ДГр „о.+Рр («„.„ +/?„.р)-= Гр ;„о + Рр (/?„.„ +/?„.р) = = 76+15,59 (2,5+0,4) = 121,2° С.

б) Пусть на радиа.торе установлены транзисторы КТ809А (Рр == = 5,59 Вт) и КТ908А Рр - 10 Вт); тогда для транзистора КТ809А

... Г„=- 76 + 5,59 (2,5 + 0,4) == 92,1 "С;

для транзистора КТ908А

Г„ = 76 + 10 (2,5+0,4) = 105 "С.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 [178] 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0138