Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



Теплопро-

Материал

водность, Вт/м-К

Ситалл

1,22-1,46

Поликор

25-37,7

Ковар

15-21

Бериллиевая

керамика

0,2-1,0

Компаунды и

клеи

Пластмассы

0,2-1.0


Рис. 13.12. Фрагмент топологии микросборки

1. Определяем сум» арную толщину подложки и клея

<8= Лп + Лк= (0.5-f 0.1)X X 10-а= 0,6 • 10-3 м.

2. Рассчитываем тепловое сопротивление единицы площади годложки

0.5-10-3 0.1-Ю-» Гт=Л„аа+й„/Х,„ = ----f 0,083.10-3 м". к/Вт

3. вычисляем масштабный коэффициент Для двухслойной Пластины:

= (Лп +к)/(Лп + Ак Йп/А.к) = 0,6.10-»

0,24.

0,5.10-a-f 0,1 (1,5/0,3).10-»

4. Определяем значения функций у Kf, Ki) с помощью 1рафиков на рис. 13.13. предварительно вычислив относительные размеры пленочного и навесных С,, Kfj элементов 6i. 62 и 6i/C,

Примечание. Свойства функции, которые необходимо знать при расчете температурных полей элементов на подложке,

V (г. Я) = sign г sign qy(\r\, \q\)\ v С. Ф = V (<?. г).

Функции signr и signq учитывают знак параметра. Они равны 4-1, если знак параметра положителен, и нулю, если параметр равен « улю.

5. Определяем максимально возможный перегрев, элементов

max ~ f it i - т Ро-

6. Рассчитываем собственный перегрев элементов = = &ц тахУ я)- Результаты расчета по пп. 4-6 приведены в табл. 13.12.

б). Определить собственный перегрев тех же элементов, установленных на подложке из ситалла = 1,5 Вт/м • К с помощью клея Х.к = 0,3 Вт/м • К.




о.ог т 0,05 о,07 о,о9

o,w т 0,20 0,25 ио asf


3,0

0,40

ЬО 1,25 1,5 02,5 3,0

Рис. 13.13. Зависимость у-функ-ции от параметров q к г. . а -а = 0-4-0,1; б-q=Q,\~0,A; 0,45 0,5.0 0,60 0,7ЛР,8.0Л,9Л i в - q = 0,4~l,0; г - <?=1,0



(•асчет собственных перегревов элементов фрагмента топологии, установленных на подложке из поликора

Элементы

г 1«

<

о. IO

«

?>"

0,82

0,396

0,325

1,66

0,515

6,92

3,57

0,52

Порядок и расчет аналогичен предыдущему: ; 1./,= (0.5 + 0.1) 10-= 0,6 10-3 м;

2. = 0,5 • 10-V1,5 + 0,1 • 10-»/0,3 = 0.67 • 10-» м* К/Вт:

3. К 0,6 10-3/10.5 • 10-«--0-.1 (1,5/0,3) 10-3J = 0,6.

Остальные вычисления сведены в табл. 13.13.

Транзистор VTj на этой подложке имеет собственный перегрев 33,6 К и может создать заметную фоновую составляющую перегрева для соседних элементов R3 и С,. Поэтому следующим этапом расчета проверим тепловое влияние транзистора VT на соседние элементы Rs и С,.

4. Определяем фоновые составляющие перегревов фл и &фj)t в центре резистора 3 с координатами xj = 0,15 • 10-* м, Ущ - = 3,5 • 10-3 м, н в центре конденсатора С, с координатами Xq* = = -1,5 • 10-3 м, = -0,75 • 10-- м (координаты сняты из фрагмента топологии на рис. 13.12).

Таблица 13.13

Расчет собственных перегревов элементов, установленных на подложке нз ситалла

«

Элементы

<

<

-4

£

\S

1.74

0,88

3,19

0,83

0,498

0,60

33,6

1,25

1,25

0,75

0,75

0,60



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 [180] 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0125