Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



Тепловая модель

Тепловая схема

Расчетные зависимости

Продолжение rdJSji. IS ЛЬ

Примечание

Г "у-


О, =

61 012 013

flai 022 *2 Сз1 Сзз 63

fll, 61 «13

Z>9= Оз! 6, Сгз

С31 3 Cgj

flu Си ai3 ; D= flji 022 C23 c»i O32 O33

Модуль питания с кожу хом

ll = 0riK + Ol2; Ol3=-<12; Ci3=-СТ13;

6l=Pl + (riH Тк; 021= - «12; °22 = <la-+ff2S; C2S=-<2з; Ьа=Рз; osi = -CTij; Оза=-зз; O33 = (723 + 18+030; 63 = = <Т8с 7*0;



Окончание табл. 13.15

Тепловая модель

Тепловая схема

Расчетные зависимости

Примечание

Ti, Tt, Гз, Di, Di, £)з, D-CM. B) 0u = 0ia + 0iK; ai2 = Oia;. ci3 = 0; 6,=

= i + <iK k; cji=-ОГ12; 022 = - CTi3 + CT2»+02c; a2s =

= Pg + CT3C jTc; cri. = ax2 5,= .

4t)„+(t)„

де 0ТН0СКТСЯ к клею, j -

прокладке

В модуле пнтання между основанием / и пла-. той 2 приклеена тонкая изоляционная прокДад-!. ка (например, текстолн-: товая)



1. Определяем площади поверхности основания и платы;

: Si = /i/.j - 0,1 • 0,05 = 0,005 м»; 5 = ,0,06 • 0,05 0,00» м*.

: 2. В первом приближении задаемся конвективными и лучйсты-: ми составляющими коэффициентов теплообмена между платой и ; основанием с окружающей средой и между ними

«1мсв==акасв=ак12="7Вт/м!-К; акасв=ак«*=3,5Вт/м2.К, ; ал12=5Вт/м!-К; ал,с = ал2сн = 1 Вт/м.К, алгсвВт/м.К;,

Индексами «в» и «и» здесь обозначают верхнюю и нижнюю стороны платы.

Примечание. Порядок значений коэффициентов теплообмена и формулы для их определения взяты из П12} и далее рассчитываются в п. 6 настоящего примера.

3. Определяем соответствующие тепловые проводимости:

Oic = («„1С + ал1с) = (7+ 1).0,005--0,04 Вт/К, Огр =(а„2св + «кгсн + <*лгсв «лгсн) S2 ~ =:(7-f Э,5-Ь8-)-1) 0,003 ==-0,0585 Вт/К;

012=- „ , „ -«Л12 •bl

7-0,005-3,5-0,003

• f 5-0,005= 0,033 Вт/К;

7-0,005-1-3,5.0,003

%к Sim 0,3-0,002

4. Определяем коэффициенты, входящие в матрицы для определения температур Г, и Т:

Он = «12 + Oic + Oi« = 0,033 Ч 0,04 Н- 1,2 = 1,273 Вт/К;

«12= -Gii = -0,033 Вт/К; 61 = Я, + о.сГс + cTiKk -8+ •

-Ь 0,04 - 45 -1- 1,2 50 =69,8 Вт; Cj, =-Oij = - 0,033 Вт/К;

«22 = Oi2 + «20 = 0,033 -f 0,0585 = 0,0915 Вт/К; r=. --

+- ОгсТс = 1,5 -f 0,0585 • 45 = 4,13 Вт; = btOi - ftaOvi -

= 69,8 - 0,0915 - 4,13 (-0,33) = 6.536 Вт»/К; J52 = «иа - «21 X

X bi= 1,273 - 4,13 - (-0,033) • 69,8 = 7,57 Вт«/К, 15 - Сц x

X «22 - an «12 = 1.273 • 0,0915 - (-0,033) (- 0,033) =

= 0,1166 ВтЧК

5. В первом приближении вычисляем значения средних поверх-иостных температур основания / и платы 2:

Т, = DJD = 6,53«/0,t 166 = 56 "С; Т-=- 7,57/0,1166 - 65 "С.

6 Уточняем значения коэффициентов теплообмена по результатам расчета темиератур, полученных в п. 5;



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 [182] 183 184 185 186 187 188 189


0.0136