Главная Источники вторичного электропитания - часть 2




0,it 0,6 0,8 Изб, В а)

0,<f


-s>-itOuA

-)- ЗОмА

JbISmA

2 4 6 8 из,В S)

Рис. 5.11. Статические характеристики транзистора KT8I7A: а - входная; б - выходная

напряжение насыщения иа транзисторе Скз„ас = 3 В, а максимальный уровень пульсаций входного иапряжеиия {/п~ = 0,15 В.

2. Определяем входное напряжение питания

Сц тах = (/кЭнасО+п- + н+ ДС„) (1 +йе)/{1 -*с) = = (3+0,15+12,6+1) (1+0,1)/(1-0,1) = 20,6 В; t/n = Cnme:c/(l + ac) = 20,6y(l+0,l) = 18,5 В; Сптгп = Сп(1-6с)-18,5(1-0,1) = 16,8 В.

Расчет выпрямителя для получения требуемого напряжения питания Оа и сглаживающгго фильтра для получения пульсации t/n~ прн заданном токе иагрузки /н max производится по методикам, наложенным в гл. 4.

Максимальная мощность, рассеиваемая на регулирующем транзисторе,

/тпю:с = (С„та«-С„-ДС„)/„™„х=.(20,6-12,6-1).1=7 Вт.

3. По входным и выходным характеристикам транзистора КТ817А (см рис. 5.11) определяем: t/ggj =0,8 В; ДСэБ2 ~ = 0,04 В; Акэ = 6 В; = дкэдэб = 6/0,04 = 150;

Лцэз = Д{эб/(/62 - 61) = 0,1/(1,5 . 10-8 - 0,3 • 10-3) = = 83 Ом.

Максимальные значения коллэкторного тока, напряжения коллектор - эмиттер (в момент включения) и рассеиваемой мощности для составного транзистора VT соответственно равны:

/к1 = /нтах/Л41эат<п=1/25 = 0,04 А; КЭ1 П7паа;"20,6 В;

/ттаж/аэаmin =7/25=0,28 Вт.

Выбираем в качестве составного транзистора КТ603Б с параметрами: Кгтах « 0,3 А > 0,04 А; Сэвх = 30 В > 20,6 В; =

= 0,4 Вт (при Г,„„ = 60°О>0,28 Вт; Скэ„ае, = «

"21 9» min 178

60; СэБ I = • - иэ 1 = 300 Ом; /б oi = 0,03 мА;



Jil = 600. Ток базы транзистора VT /51= к/2(»1тш = = 0,04/60 = 0,7 мА.

4. Принимаем схему составного транзистора без вспомогательного источника питания (рис 5.7, а). Минимальное напряжение на регулирующем элементе

КЭ нас = (КЭ „ас1 + ЭБ2 = 0,25 -f 0,8 = ! ,05 В

Уточняем значения напряжения питания, рассеиваемой на транзисторах мощности, а также р.т2г. Лца, по приведенным выше формулам:

Vnmax = (1,05 + 0,15-f 12,6+ 1) • (I + 0,1)/(1 -0,1) = = 18,1 В;

Ua = 18.1 (1 - 0,1) = 16,3 В; Unmln = 16,3/ (1 + 0,1) = 14,8 В; Рк2 = (18.1 - 12.6 - 1)1 = 4,5 Вт;

I = (п max-IJh - Дн - эБг) " тах1ц вг min - = (18,1-12,6 -1-0,8)-1/25 = 0,15 Вт;

H„tt2 , 60-600 M-Ti + tTa 150 + 600 Лцэ =А11Э1 + Л11Э2/"2131 min=300 + 83-60 = 5,3 кОм; и т = 11x22 А11Э/Л21Э1 m/n-A2i»2 m.n = 120.5300/60.25 = 425 Ом.

5. Максимальное значение иапряжения С/вых.у равно Увыку = £н + ДС/н + £/эБ1+ЭБ2 = 2.6+1+0,7+0,8»15,1 В;

6. Проводим расчет цепи обратной связи:

а) выбираем стабилитрон типа Д818Б с параметрами: £7ст.mm == = 7.65 В; t/cT max - 9 В; /cxmin = 3 мА; /ст max = 33 мА; Гдиф = = 18 Ом; а„ = -1,8 мВ/°С;

б) принимаем £доп 0,4 (t/н + ДС/н) = 0,4 (12.6 + 1) =

= 5,45 В; £доп + f/к + ДУн = 5.45 + 12,6 + 1 » 19 В >

> (вых.у ((вых.у = 5.1 В) и выбираем в качестве VT транзистор КТ312Б с параметрами: УкэЗтлс = 35 В; lyzmax= 30 мА; аз = 2 мВ/С; Aji э з mm = 25; иъ з «.8 В; = 50 Ом; г 3 = as. 1 кОм; ftiiB3= 1 кОм; 11тз= 1000;

в) принимаем коллекторный ток транзистора VT равным КЗ ~ 2,8 мА > /б I °= вых.у 0,7 мА и вычисляем

Rl = (доп + fH + Д£н - У вых. у) /(к 3 + вых. у) = = (19,0 -15,1)/(2,8.10-8+0,7-10-3) = 1.1 кОм; „ (/н-Д{7н-ет»и.« 12,6-1-9

/сттгп -кз 3-10-8-2.8-10-8 13 кОм;



г) определяем ток базы транзистора V7"., и сопротивления резисторов делителя напряжения:

БЗ = Кз/219зтг» = 2,8/25~0,! мА; /дел = 10/Бз=1 мА;

Се.т.„ + Сзвз 7.65+0.8 /дел(1 + АС„/{/„) 10-3(1+1/12,6)

Un - А(/н - Сет max -363 12.6-1-9-0,8

Ссттах + СэБз 9 + 0.8

X 7,2.10-3« Г.З кОм;

- /г,-/?5=-ib-5--1.300 - 7200 = 4,1 нОм.

дел 10-3

Принимаем RP - 4,7 кОм;

д) коэффициент передачи по напряжению

и- Сет min /tgiaa min к

Си Л11ЭЗ+Л21ЭЗ min (эз + диф)

7,65 25-103

12,6 103 + 25(50+18)

= 5,9;

/?н=Свых.у вых.у= 15,1/0,7.10-3 «22 ком;

RiRn .. 1,1-ЮЗ-22.103

1,1.103+22.103 * ""

е) для повышения устойчивости КСН выбираем Сое = 0,1.мкФ. Емкостное сопротивление на частоте 100 Гц равно

2я/Сое 6,3.100-0,1.10-6

Это сопротивление, образующее отрицательную обратную связь по переменному напряжению, уменьшит коэффициент передачи цепи обратной связи на частоте 100 Гц не более чем в 2 раза, т. е. /Сн ~ « 3.

7. Определяем значения Kct, и, С„ и АЯдоп (принимаем Го = 2 Ом):

iCcT =Кн fiT22 ~ = 5,9.120-i =550 > 500; fn 16,3

fi т + Го 425 + 2

С„=С„ („Ит22 = 0,15/3.120 = 0,42 мВ<3 мВ; Д£доп=бС„.доп/(н=0,05.5,9 = 0,295 В.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 [57] 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0102