мает своими контактами /-2 напряженке п»таиия i/ц со входа КСН н блокирует контактами 3-4 коллектор транзистора VT. Недостатком схемы является ее инерционность, определяемая временем срабатывания реле (обычно несколько миллисекунд).

В схеме на рис. 5.13, б защита от превышения напряжения осуществляется за счет шунтирования входа КСН тиристором VD. Однако при этом происходит сгорание нити предохранителей или пробой тиристора, или же снятие напряжения Ua внутренней схемой защиты по току источника питания i/n. если он ее содержит.

Схема защиты от понижения напряжения строится аналогично схеме защиты от превышения напряжения с небольшим отличием в сравнивающем устройстве, которое содержит дополнительно Два каскада усиления или выполняется в виде дифференциального усилителя. В схеме иа рис. 5.14, а в рабочем состоянии КСН транзисторы VTi и VT3 открыты, а VT - закрыт. При понижении выходного Напряжения до порога срабатывания защиты итЫ транзисторы VTi и VT закрываются, VT открывается и включается реле SA, которое снимает напряжение питания со входа КСН.

В схеме на рис. 5.14. б при номинальном иапряжеиии 1/н транзистор VTi закрыт, а VT открыт. При поинжеиии напряжения до порога срабатывания защиты транзистор VT закрывается, а VTi открывается и выдает сигнал на вход 3 исполнительного элемента , (ИЭ), который выключает входное напряжение КСН. В схемах иа рнс. 5.14, а, б введен конденсатор С для исключения ложного срабатывания схемы защиты в момент подачи напряжения питания 1/и-Схема ИЭ приведена на рис. 5.14, е.

В качестве сравнивающего устройства схемы защиты от превышения или понижения иапряжеиия могут применяться интегральные микросхемы стабилизаторов серии К142ЕН, характеристики которых приведены в §5.4, или интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания серии К142ЕП1, параметры которой приведены в гл. 2.

В схеме защиты от превышения выходного иапряжеиия, приведенной на рис. 5.15, а [39], используется микросхема типа К142ЕН2 (DA). Напряжение иа стабилитроне VD должно быть не менее суммы падений напряжений иа резисторе /?з и перехеде эмиттер-коллектор (выводы 16, 13) регулирующего транзистора микросхемы. При номинальном выходном напряжении КСН регулирующий транзистор микросхемы открыт, а внешний транзистор VT закрыт. В случае превышения Un допустимого уровня регулирующий транзистор микросхемы закрывается, напряжение питания 1/п через резистор поступает на транзистор VT, который открывается и включает реле SA. Конденсатор С необходим для исключения возбуждения микросхемы.

На рис. 5.15, б [381 приведена схема защиты с использованием микросхемы типа К142ЕП1 (DA) и исполнительного элемента, выполненного по схеме 5.14. На базу (вывод 12) правого транзистора (УГи иа рис. 2.11) дифференциального усилителя микросхемы поступает внутреннее опорное напряжение (вывод 9), а на базу левого транзистора (УГц) через делитель RP, R, Rg выходное напряжение КСН. Внешний транзистор VT предназначается для подачи стабн-лизнрованиого напряжения питания иа микросхему. При номинальном напряжении 1/» транзистор VTij микросхемы открыт, а внутренние транзисторы VT - VTi микросхемы и внешний транзистор VTj закрыты. В случае превышения Un допустимого уровня VT12 закрывается, а VTi-VTt и внешний транзистор VT открываются,

что приводит к срабатыванию исполнительного элемента и выключению напряжения иа входе КСН.

На рис. 5.16, а приведена схема защиты от понижения иапряжения, выполненная на микросхеме К142ЕН2; она содержит минимум дополнительных элементов: конденсатор С введен для исключения возбуждения микросхемы, резистор R1 - для компенсации обратного тока силового транзистора микросхемы и делитель R, R3, RP - для установки порога срабатывания защиты. При понижении напряжения i/н силовой транзистор микросхемы открывается и через его переход коллектор - эмиттер (выводы 16, 13) на об-

SA

с-г и/ ♦

vr, Т VTl

1 Сн

X-c-j-,

I I I I

5- !

Рис. 5.14. Схемы защиты в транзисторных стабилизаторах от понижения выходного напряжения

мотку реле SA поступает напряжение и реле своими нормально замкнутыми контактами снимает напряжение питания Сд со входа КСН.

Схема защиты от понижения напряжения, выполненная на микросхеме К142ЕП1, приведена на рис- 5.16, б. Она отличается от схемы на рис. 5.15, б только включением базы транзисторов диффе-ренциального усилителя микросхемы и наличием дополнительного конденсатора С для исключения ложного срабатывания защиты в момент подачи напряжения питания Сц. Работает схема рис. 5.16, б аналогично схеме иа рис. 5.15, б, только в ней в нормальном рабочем состоянии внутренний транзистор в микросхеме DA (К142ЕП1) закрыт, а VTa - открыт.

Защита от перегрузки по току в стабилизаторах может быть выполнена с ограничением на постоянном уровне 1к.з, превышающем значение /цом (рис. 5.17, а), или же с резким уменьшением тока потребления до /„.зо в режиме короткого замыкания (рис. 5.17, б).

DA SU

-Г Ни

Рис. 5,15. Защита от превышения выходного напряжения транзисторных стабилизаторов, выполиеииая с применением интегральных микросхем:

а - типа К142ЕН2; б ~ типа К142ЕП1