пряжения, что, в свою очередь, вызывает увеличение мощности рассеяния на управляющем переходе тиристора.

Ниже рассмотрены схемы управления трехфазным тиристорным Выпрямителем с помощью МУ, которые практически обеспечивают постоянство амплитуды напряжения управления тиристорами при изменении угла открывания от О до 120°. Это соответствует регулированию выходного напряжения от 100 до 25 %. Однако, как показала практика, при использовании таких схем глубина регулирования может изменяться от О до 170°.

На рис. 7.35 приведена схема управления трехфазным выпрямителем без увеличения мощности управления [94]. Здесь отпирание тиристоров осуществляется тремя однополупериодиыми магнитными усилителями TSj, TS, и TS. Рабочая обмотка Wp каждого МУ включена межд-у соответствующей фазой напряжения вторичной обмотки трансформатора и плюсовой шиной силового выпрямительного моста. Такое включение рабочих обмоток обеспечивает подачу напряжения на каждую из них в течение той части периода, когда соответствующая фаза имеет отрицательный потенциал относительно плюсовой шины выпрямителя. При изменении полярности рабочая обмотка МУ шунтируется соответствующим силовым неуправляемым диодом VDj, VDs либо VDj, смещенным в прямом направлении. На рабочие обмотки МУ подается однополярное напряжение, что обеспечивает его работу в режиме самонасыщения без диодов обратной связи.

При таком включении рабочих обмоток МУ всегда автоматически обеспечивается требуемая фазировка управляющего сигнала. Резистор Ra служат для отвода тока намагничивания /(х и ослабления шунтирующего влияния силовых вентилей VDi, KDj и VD на Соответствующие рабочие обмотки. Для предотвращения ложных срабатываний тиристоров от тока намагничивания МУ в схеме использованы кремниевые стабилитроны VD,, УОц и VD, которые обеспечивают требуемое значение порогового напряжения.

Упрабление

Рис. 7.35. Схема трехфазного тиристорного регулятора с управляющим устройством на магнитных усилителях

Управление мУ

Рис. 7.36. Схема трехфазного тиристориого регулятора с управляющим устройством на магнитных усилителях и транзисторной развязкой

В схеме на рис. 7.36 для исключения влияния силовых неуп-авляемых вентилей VDi, VDu VD на характеристику управления у применены транзисторы VTi-VT, работающие в режиме переключений.

При отрицательной полярности напряжения на диодах VDi~ VZ?3 транзисторы находятся в режиме насыщения. При изменении полярности транзисторы закрываются и обеспечивают полное отключение соответствующей рабочей обмотки МУ иа весь его период управления.

Так как в рассматриваемых схемах рабочие обмотки МУ включены параллельно с диодами VDi-VDg, то обратное напряжеиие на диодах является напряжением питания МУ.

Форма питающего напряжения МУ показана на рис. 7.37, откуда видно, что напряжеиие питания воздействует иа рабочую обмотку МУ в интервале от -л/З до я. Однако этот диапазон полиостью ие может быть использован для отпирания тиристоров, так как в интервале -л/3 а О к катоду тиристора приложен положительный потенциал.

Таким образом, рабочий диапазон МУ в рассматриваемых схемах лежит в пределах О < а < я, причем при изменении угла а от О до 120° амплитуда иапряжения питания МУ остается практически неизменной, обеспечивается постоянство амплитуды напряжения

Рис. 7.37. Форма напряжения питания магнитного усилителя в схемах на рис. 7.35 и 7.36

управления тиристорами и исключается потеря начального угла отпирания.

При рассматриваемом способе управления, МУ должны рассчитываться на полное напряжение питания, т. е. на максимальный диапазон изменения угла отпирани-я.

Расчетная мощность МУ, необходимая для выбора магнитопровода, определяется из следующих выражений:

/"раоч - х.у пР.у max

- ДЛЯ однофазных TP, питаемых от источника напряжения с прямоугольной формой;

/расч-0,44 t/frt /др.у max

- для однофазных TP, питаемых напряжением синусоидальной формы;

/"расч -•ЭСт/пру тпдг

- для трехфазных, однотактно-управляемых TP (см. рис. 7.35, 7.36, 7.38),

где Urn - амплитуда напряжения питания.

Расчетная мощность МУ может быть также определена через его конструктивные параметры по следующей формуле:

8-10-2

/"расч-"

/с Вт Sc Sm,

(7.22)

где Рп - коэффициент прямоугольиости.

Выбор Рп и Вт определяется материалом магнитопровода и требованиями, предъявляемыми к линейности характеристики входных TP совместно с МУ.

Для уменьшения тока холостого хода и увеличения крутизны фронта импульса выходного напряжения магнитопровод следует выполнять нз сплавов с малой динамической коэрцитивной силой и высокой прямоугольностью петли гистерезиса (например, из пермаллоевых сплавов типа 50НП, 65НП, 79НМ и др.).

Рекомендуемые значения §п и В для некоторых материалов, применяемых иа частотах 50-400 Гц, приведены в табл. 7.3.

При максимальной мощности отдачи МУ плотность тока определяется по формуле

/• = 2,1 VaATd/pSti

Основные параметры некоторых магнитных материалов