Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



пряжения, что, в свою очередь, вызывает увеличение мощности рассеяния на управляющем переходе тиристора.

Ниже рассмотрены схемы управления трехфазным тиристорным Выпрямителем с помощью МУ, которые практически обеспечивают постоянство амплитуды напряжения управления тиристорами при изменении угла открывания от О до 120°. Это соответствует регулированию выходного напряжения от 100 до 25 %. Однако, как показала практика, при использовании таких схем глубина регулирования может изменяться от О до 170°.

На рис. 7.35 приведена схема управления трехфазным выпрямителем без увеличения мощности управления [94]. Здесь отпирание тиристоров осуществляется тремя однополупериодиыми магнитными усилителями TSj, TS, и TS. Рабочая обмотка Wp каждого МУ включена межд-у соответствующей фазой напряжения вторичной обмотки трансформатора и плюсовой шиной силового выпрямительного моста. Такое включение рабочих обмоток обеспечивает подачу напряжения на каждую из них в течение той части периода, когда соответствующая фаза имеет отрицательный потенциал относительно плюсовой шины выпрямителя. При изменении полярности рабочая обмотка МУ шунтируется соответствующим силовым неуправляемым диодом VDj, VDs либо VDj, смещенным в прямом направлении. На рабочие обмотки МУ подается однополярное напряжение, что обеспечивает его работу в режиме самонасыщения без диодов обратной связи.

При таком включении рабочих обмоток МУ всегда автоматически обеспечивается требуемая фазировка управляющего сигнала. Резистор Ra служат для отвода тока намагничивания /(х и ослабления шунтирующего влияния силовых вентилей VDi, KDj и VD на Соответствующие рабочие обмотки. Для предотвращения ложных срабатываний тиристоров от тока намагничивания МУ в схеме использованы кремниевые стабилитроны VD,, УОц и VD, которые обеспечивают требуемое значение порогового напряжения.


Упрабление

Рис. 7.35. Схема трехфазного тиристорного регулятора с управляющим устройством на магнитных усилителях




Управление мУ

Рис. 7.36. Схема трехфазного тиристориого регулятора с управляющим устройством на магнитных усилителях и транзисторной развязкой

В схеме на рис. 7.36 для исключения влияния силовых неуп-авляемых вентилей VDi, VDu VD на характеристику управления у применены транзисторы VTi-VT, работающие в режиме переключений.

При отрицательной полярности напряжения на диодах VDi~ VZ?3 транзисторы находятся в режиме насыщения. При изменении полярности транзисторы закрываются и обеспечивают полное отключение соответствующей рабочей обмотки МУ иа весь его период управления.

Так как в рассматриваемых схемах рабочие обмотки МУ включены параллельно с диодами VDi-VDg, то обратное напряжеиие на диодах является напряжением питания МУ.

Форма питающего напряжения МУ показана на рис. 7.37, откуда видно, что напряжеиие питания воздействует иа рабочую обмотку МУ в интервале от -л/З до я. Однако этот диапазон полиостью ие может быть использован для отпирания тиристоров, так как в интервале -л/3 а О к катоду тиристора приложен положительный потенциал.

Таким образом, рабочий диапазон МУ в рассматриваемых схемах лежит в пределах О < а < я, причем при изменении угла а от О до 120° амплитуда иапряжения питания МУ остается практически неизменной, обеспечивается постоянство амплитуды напряжения




Рис. 7.37. Форма напряжения питания магнитного усилителя в схемах на рис. 7.35 и 7.36

Материал

m »

50НП 65НП

0,9-1,3 0,8-1,1

0,85-0,9 0,9-0,95

управления тиристорами и исключается потеря начального угла отпирания.

При рассматриваемом способе управления, МУ должны рассчитываться на полное напряжение питания, т. е. на максимальный диапазон изменения угла отпирани-я.

Расчетная мощность МУ, необходимая для выбора магнитопровода, определяется из следующих выражений:

/"раоч - х.у пР.у max

- ДЛЯ однофазных TP, питаемых от источника напряжения с прямоугольной формой;

/расч-0,44 t/frt /др.у max

- для однофазных TP, питаемых напряжением синусоидальной формы;

/"расч -•ЭСт/пру тпдг

- для трехфазных, однотактно-управляемых TP (см. рис. 7.35, 7.36, 7.38),

где Urn - амплитуда напряжения питания.

Расчетная мощность МУ может быть также определена через его конструктивные параметры по следующей формуле:

8-10-2

/"расч-"

/с Вт Sc Sm,

(7.22)

где Рп - коэффициент прямоугольиости.

Выбор Рп и Вт определяется материалом магнитопровода и требованиями, предъявляемыми к линейности характеристики входных TP совместно с МУ.

Для уменьшения тока холостого хода и увеличения крутизны фронта импульса выходного напряжения магнитопровод следует выполнять нз сплавов с малой динамической коэрцитивной силой и высокой прямоугольностью петли гистерезиса (например, из пермаллоевых сплавов типа 50НП, 65НП, 79НМ и др.).

Рекомендуемые значения §п и В для некоторых материалов, применяемых иа частотах 50-400 Гц, приведены в табл. 7.3.

При максимальной мощности отдачи МУ плотность тока определяется по формуле

/• = 2,1 VaATd/pSti

Основные параметры некоторых магнитных материалов



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 [93] 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0107