Главная Источники вторичного электропитания - часть 2



Исходя из значений плотности тока и параметров магнитопровода, можно определить КПД

П = I - Р/м/2йф/сР„йт5с- (7.24)

Коэффициент формы кф принимает значения: л/2 при питании МУ синусоидальным напряжением (и при работе на активную нагрузку); i/2 - при питании МУ напряжением прямоугольной формы; "l/з - в трехфазных однотактно управляемых ТР (см. рис. 7.35, 7.36, 7.38). Действующее значение напряжения питания МУ:

t/m.y = t/m/V2f5„

- для синусоидальной формы напряжения при известном значении Lnil

. Lm.y.= t/x.y/Pa

- для прямоугольной формы прн известном значении напряжения источника Сх.у.

Для схем, приведенных на рис. 7.35, 7.36, напряжение питания МУ является заданным и равно линейному напряжению на вторичиой обмотке трансформатора.

Для работы в интервале от О до 2я/3 можно принять Lx.y = = 0,86L2m. что соответствует точке А на рис. 7.37

Сопротивления резисторов R, R и R определяются по формулам

2mgl3»im f/y. пеот. т

;?j.=o,3---, =

пр.у max Rp =0,86

пр.у max

нр.у max

Допустимое значение коллекторного тока транзисторов должно выбираться из условия

к дш1 ир.у та.х-

Так как в рассмотренных схемах МУ питается от вторичной обмотки трансформатора, то его габариты и КПД зависят от требуемых значений выходного напряжения стабилизатора и мощности импульсов управления.

Наименьшее напряжение на выходе управляемого моста для схем на рис. 7.35 и 7.36 ограничивается напряжением спрямления применяемых тиристоров.

На рис. 7.38 приведена схема управления на магнитных усилителях TSi, TSj, TS3 с автономным питанием. В ней силовой управляемый выпрямитель выполнен на тиристорах VSi, VS и VS3, которые включены в" катодную группу с тремя диодами VDg. KD, и VD. Управление тиристорами осуществляется с помощью маломощного управляемого моста, который питается от отдельного трансформатора ГК;. Схема управления выполнена аналогично рис. 7.36. Отличие состоит в том, что вместо тиристоров применены соответственно транзисторы VT,, VT3 и V7"b с диодами VDi, VD и VDg. Такое сочетание транзисторов и диодов представляет собой имитацию тиристора, управляющий переход которого расположен Со стороны анода.

10 Зак. 726 289



Стабилитроны VD4, VDg, VDi, служат для создания порогового напряжения с целью предотвращения ложных отпираний транзисторов VTi, VT3 и VT от тока намагничивания TSi, TS, , TS3.

Резистор Рр является нагрузкой маломощного управляющего моста и обеспечивает требуемый режим работы управляющих переходов силовых тиристоров VSi, VS, и VS3.

Резисторы Рз, R4 и Рр рассчитываются по следующим формулам:

R, < ; /зО.32131 ОТ1/1 21Э2 mi«

пр-у max

21Э1 ш/п

0,86-

пру max

пр.у max

где t/zy m - амплитуда линейного напряжения вторичной обмотки трансформатора TV,; Uqt - напряжение стабилизации стабилитронов VD4, VDs и VDi,.

При насыщении любого МУ открывается один из транзисторов VTi, VT3 или VTi, что обеспечивает подачу сигнала управления иа соответствующий тиристор VSi, VS,, VS. Это позволяет выбирать

-rwv г-"--С


Управление MU

Рис. 7.38. Схема трехфазного тиристорного регулятора с автономным управляющим устройством



параметры управляющего устройства независимо от выходного напряжения (/цых и производить унификацию управляющих устройств данного класса.

7.6. Управление тиристорами с помощью полевых транзисторов и за счет «вертикального» смещения фазы

Управление с помощью полевых транзисторов. В тиристорных стабилизаторах широкое применение находят управляющие устройства, выполненные на полупроводниковых приборах. Наиболее простыми из них являются релаксационные генераторы на полевом транзисторе (ПТ) с управляющим р-п переходом [33, 42].

На рис. 7.39 приведена схема релаксационного генератора на полевом транзисторе VT для управления тиристором VS. а на рис. 7.40 - его входная характеристика. При включении напряжения + и конденсатор С заряжается через резистор R и в момент равенства напряжения (/с критическому напряжению (Ум он разряжается через резистор R. При этом на эмиттере VT напряжение будет иметь почти пилообразную форму, а в точке б а появится импульс напряжения, соответствующий разряду конденсатора. Период повторения импульсов управления

TRC In

где а - коэффициент передачи транзистора VT.

Сопротивление резистора R выбирается в пределах от R до R" нз следующих соотношений:

" > - условие возникновения колебаний

и - и,

R"

< - условие поддержания колебаний.

где /„ - ток, соответствующий приложенному напряжению Uj (точка В); I- ток, соответствующий минимальному напряжению

U/ (точка Р).


Рис. 7,39. Схема релаксационного генератора на полевом транзисторе для управления тиристором


Рис. 7.40. Входная вольт-амперная характеристика полевого транзистора



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 [94] 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0135