Главная Импульсный режим работы



рабочий импульс, после чего Б Г-возвращается к исходному состоянию покоя. Длительность стадии восстановления исходного состояния Те = Грел = RcC (в тсчение этого времени БГ малочувствителен к импульсам запуска). Частота повторения импульсов запуска должна удовлетворять соотношению \1{ЪНсС).

5. Паразитная емкость БГ образуется в основном междуобмоточными емкостями трансформатора [42, 51] и емкостью Сн нагрузки. Приведенные {динамические) значения этих емкостей находятся с учетом энергии, запасаемой в емкостях, которая пропорциональна квадратам действующих на емкостях напряжений.



Рис 14.

Для уменьшения паразитной емкости все обмотки должны наматываться в одном направлении и располагаться на сердечнике по одной из указанных на рис. 14 схем.

При полярности рабочих импульсов, совпадающей с полярностью э. д. с. 62 в сеточной обмотке (в транзисторных БГ - с э. д. с. в базовой обмотке), наименьшая величина паразитной емкости получается по схеме рис. 14, а:

с; - (С,2/3)(1-Ь«,+",) + (С,,/3)(Пз-п,)2 + + Сн «1 г + Сс-к «11 + С,.е (1 -Ь +С.

(12.44)

При полярности же рабочих импульсов, противоположной полярности э. д с. в сеточной (базовой) обмотке, наименьшая величина паразитной емкости получается по схеме рис. 14, б:

Сп = (Cia/3) (1 + «i , + (С13/З) (1 -«l 1) +

+ Cl 1 -Ь C,.„ «I, + C,.e (1 + nf + C.

(12.45)

В формулах (44) и (45) C12, C23 и Cjg - статические значения междуобмоточных емкостей (рис. 14); С. и С.-междуэлектродные емкости лампы (в транзисторном БГ их аналогом являются соответственно барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов); Сц- емкость монтажа.



§ 12.4. ТРАНЗИСТОРНЫЙ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР

1. Схема и принцип действия транзисторного и лампового Б Г в своих основных чертах аналогичны. Но отмеченные в § П.2, п. 2 отличительные особенности транзисторных устройств проявляются в БГ наиболее сильно.

Типовая схема транзисторного БГ изображена на рис. 15. При работе в режиме автоколебаний (или синхронизации) э. д. с. источника смещающего напряжения < О (обычно Eq =-£„), а в ждущем режиме - э. д. с. > 0-В цепь базы иногда включается резистор /?о = (2 3)Гбн для ограничения тока базы насыщенного транзистора. Включение этого резистора стабилизует работу БГ и ослабляет зависимость тока базы от непостоянной и отличающейся большим разбросом величины объемного сопротивления Гб = бн насыщенной базы. Но вместе с этим несколько повышается инерционность БГ и понижается предельно достижимая скважность следования импульсов, которая зависит от отношения R/iRo + бн)- Диод и резистор R служат для подавления кратковременного выброса коллекторного напряжения (-£„), возникающего после запирания транзистора.

2. Так же как и в ламповом Б Г, в рабочей стадии (Гр) конденсатор С приобретает определенный заряд. После же запирания транзистора в течение большого интервала времени Грел S "р (в стадии релаксации) происходит сравнительно медленный разряд конденсатора током -= = Ir + Ко (рис. 15). Так как в этой стадии индуктированная э. д. с. 62 о, то базовое напряжение практически равно напряжению на конденсаторе: Ыб = « > 0. В ждущем режиме работы базовое напряжение по мере разряда конденсатора стремится к напряжению покоя Un = Е - - KoRg и отпирание транзистора происходит при подаче запускающего импульса Ыв < 0. В режиме же автоколебаний конденсатор под воздействием смещающего напряжения Eq = -Ек стремится перезарядиться, в соответствии с чем базовое напряжение понижается, и при щ = = О транзистор отпирается.

При отпирании транзистора развивается регенеративный процесс, приводящий к глубокому насыщению транзистора. Затем в стадии формирования вершины импульса происходит заряд конденсатора, что приводит к ослаблению тока базы до некоторого критического значения, при котором транзистор выходит из насыщения; последнее может быть



также обусловлено ростом намагничивающего тока трансформатора. После выхода транзистора из насыщения развивается регенеративный процесс, приводящий к запиранию транзистора.

3. Эквивалентные схемы БГ. Так же как и в ламповом Б Г, токи и напряжения на элементах транзисторного БГ связаны между собой уравнениями токов и напряжений, которые учитывают трансформацию параметров схемы, обусловленную действием трансформатора. Но при анализе процессов в транзисторном БГ необходимо учитывать инер-

ДгУ.

Рис. 15.


Рис. 16.

ционность тока коллектора, в то время как электронный ток лампы можно было считать безынерционным. В соответствии с этим эквивалентная (операционная) схема БГ (приведенная к анодной обмотке) в стадии регенерации имеет вид, изображенный на рис. 16, а, где штрихом отмечены приведенные значения токов, напряжений и параметров схемы, причем

«31

D «О . D б

0 ТТ • б = -т .

«21

«21

(12.46)

С=П21С; Ск = (В+1)С„; В=Б/(1+ртр); (12.46а)

здесь «21 = «31 = и)з/и)1 и Гб = Гбо - объемное со-

противление ненасыщенной базы. Приведенное значение суммарной паразитной емкости Сп (с учетом барьерных емкостей транзистора) выражается формулой (44) или (45).



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 [112] 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0177