Главная Импульсный режим работы



точка Ml. В рабочей стадии изображающая точка перемещается от точки Ml до ючки УИ. на линии ОК критического режима лампы.

10. Временные диаграммы процессов в ГЛИН представлены на рис. 23. При / < ti отображено состояние ГЛИН в стадии покоя. В рабочей стадии (t > i) действуют закономерности, описанные в

разд. А. Вследствие протекания тока i = I = = const напряжение -и на конденсаторе убывает. С этим связано уменьшение компенсирующей э. д. с. ек = «а- При этом благодаря большой величине коэффициента усиления К > 1 величина Ae = = Aua=-AuKKK +1) -Au почти полностью компенсирует изменение напряжения на конденсаторе. Но так как все же Аи < I Aua . то Ucl = Vn== = u -f Ua несколько возрастает, что и вызывает увеличение токов га и г, и, следовательно, уменьшение напряжения Ua = е- Приращение напряжения

A«i = Ayw=Au-f Aua = К Дм Ди


=А«-

Рис. 23.

К+1 (16.39)

и так как коэффициент усиления каскада K=SRgS{RJRJR)

(16.40)

может достигать сотен единиц, то Auti «С ч- Поэтому изменение тока конденсатора Дг = AVn/R С , что и определяет высокую линейность изменения напряжений и и и.

11. Стадия восстановления. По достижении изображающей точкой точки УИг (рис. 22), где крутизна S = О, дальнейшее нарастание анодного тока становится невозможным.



Теперь изображающая точка может перемещаться только по линии УИгО (вниз).Поэтому, начиная с момента t-i (рис. 23), скорость изменения «а резко уменьшается. Но до достижения точки G (рис. 22) ток заряда i = 4 - к > О, и напряжение и продолжает нарастать. Это приводит к быстрому возрастанию напряжения Uci = " + "а. которое в некоторый момент tl (в точке L) проходит через нуль, а затем становится положительным. В результате появления сеточного тока зарядный ток i - - 1 быстро уменьшается, и в момент to (в точке G) ток i - О, т. е. = ia и ток i = = ia- В точке G система находится в устойчивом равновесии, которое продолжается до момента /и окончания действия управляющего импульса. В этот момент лампа запирается по анодному току, и через конденсатор начинает протекать ток = -/ в обратном направлении, замыкающийся через сопротивление гк < Ra- При этом напряжение I и I нарастает, а ток г = ii падает по экспоненциальному закону с постоянной времени 6в RaC; соответственно напряжение Ua нарастает. Через время

Гвзев = з;?зС (I6.41)

практически устанавливается исходное состояние покоя ГЛИН.

12. Если управляющий импульс заканчивается до достижения изображающей точкой линии критического режима, то в момент t-a лампа запирается {ia = 0) и ток скачкообразно уменьшается. Образующийся в результате этого перепад напряжения Ыд передается через конденсатор на управляющую сетку. Напряжение Ыс1 становится положительным и возникает сеточный ток «ci = = 1 + Н< где ток tl = -t протекает через канденсатор (начинается стадия восстановления).

13. Параметры ЛИН. Из динамической характеристики (см. рис. 22) видно, что наибольший рабочий перепад напряжения

Afap наиб = fal-lJ,,E.,-\ f/„„p \~U,,, (16.42)

где [/gjj = 1/2-критическое напряжение, соответствующее точке УИа. Для пентодов лучших типов \U„op \ -f /ак = О,], и наибольший коэффициент использования напряжения

ALapHaHe . If/nopl + f/aK лп

•наиб = -7-- - 1--Т--- (- (-"З)



Согласно формуле (35) при Е = коэффициент нелинейности

е наиб Д<наиб

К £a + t/nop

Если R = RR, то /?э = /?/?в/?а = в/2. огкуда:

(16.44)

(16.45)

Согласно формулам (32) и (33) длительность рабочей ста-

Т -Р- E-V

WI £ + tnopl

где учтены также равенства (38).

(16.46)

в. ТРАНЗИСТОРНЫЙ ГЛИН с ЕМКОСТНОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ

14. Принципиальная схема ГЛИН изображена на рис. 24. При использовании транзистора типа р-п-р управляющий импульс напряжения Ыу -< О подается на базу


1ко 1


Рис. 25.

транзистора через разделительную цепь - Q и диод Л**.

Основная особенность в работе транзисторного ГЛИН обусловлена тем, что входной ток транзисторного усилителя не равен нулю. Анализ сравнительно медленных процессов

*> Схема с диодным ключом в базовой цепи отличается простотой и широко применяется на практике. В принципе же диодный ключ можно заменить транзисторным; тогда напряжение подпора .рб подается на эмиттер транзистора



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 [141] 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.1036