Главная Импульсный режим работы



в глин (Гр > Тр) допустимо проводить на основе линеаризованной входной характеристики транзистора (рис. 25)

(16.47)

где Rbj - среднее значение входного сопротивления транзистора на участке АВ, охватывающем рабочий участок 1-S.

15. Временные диаграммы процессов в ГЛИН изображены на рис. 26. В состоянии покоя (t <, = 0) ток через

конденсатор i - О, диод отперт, а транзистор заперт смещающим напряжением Еъ-

% = бп=£б-(£б+


R+R + R

О,

Рис. 26.

(16.48)

где EE + loiRb + Rt). При этом коллекторное напряжение и напряжение на конденсаторе соответственно равны:

fKn - ~~Ев + /ко Rki

и„ = и,,и,,Ев. (16.49)

16. При воздействии в люмент /j управляющего напряжения Uy потенциал точки А (рис. 24) снижается. Вследствие этого диод Д запирается и цепь запуска отключается от ГЛИН. Одновременно потенциал базы, которая подключена к источнику напряжения -Е -< О, снижается до некоторого значения t7g, -< О (рис. 25), что вызывает отпирание транзистора. Таким образом, в результате запуска базовое и коллекторное напряжения снижаются на величину AUq = Дг/к = f/бп - Ьб1-

17. В рабочей стадии происходит разряд конденсатора через резистор R и транзистор. По мере уменьшения напряжения и на конденсаторе несколько (весьма мало) уменьшается разрядный ток i = I - Дг, что вызывает небольшое уменьшение тока к и понижение базового напряжения и - = -Е -f iiR (см. рис. 24). Вследствие этого ток базы возрастает (но Дгб < АО» что обусловливает рост тока коллек-



тора г к = ро(гб + ко) + ко и соответствующее повьш:ение коллекторного напряжения «к =-£к + (к-Ок-Именно это обстоятельство и определяет малое изменение базового напряжения ыд = V. = ы + тем меньшее, чем выше коэффициент усиления каскада (-Дык = КА«б). и стабильность токов

E-\Uni\ R

= /i; iIi -11 = 1.

18. Процесс почти линейного разряда конденсатора продолжается до момента входа транзистора в насыщение (рис. 26). С этого момента напряжение Ык = кг = кн = const, вследствие чего отрицательная обратная связь прекращается, и базовое напряжение щ = и + {/„н быстро уменьшается (из-за продолжающегося пока разряда конденсатора), что сопровождается ростом тока гб и уменьшением тока i = Il - гб- В момент tg достигается равенство rg = il, ввиду чего ток t = О, и разряд конденсатора прекращается. Наступает состояние устойчивого равновесия, которое продолжается до момента окончания импульса Ыу. В этот момент диод отпирается и благодаря действию источника > О напряжение Ыб повышается до некоторого значения Ua > О (рис. 26), что приводит к запиранию транзистора. При этом ток i меняет направление и возникает небольшой выброс коллекторного напряжения.

После запирания транзистора конденсатор заряжается-(стадия восстановления) от источника через резистор Re диод и резистор R к- Длительность этого процесса

T,3(RK + R\\Re)C.

(16.50)

19. Параметры ЛИН. Пользуясь схемой ГЛИН (см. рис. 24)

и учитывая формулу (47), составим систему уравнений:

«б = и + «к". "к = -£к + («к - О Rk,

il = i + te; «к=Ро {«б+/ко)+/ко;

du g+«6 t/6o-»6 ,

(16.51)

Исключая из системы (51) все неизвестные токи и напряжения, кроме «6. получим дифференциальное уравнение

due "б

\R R

•)

(16.52)



6э= RkC

Po+l , Vr , Яш

+ --+

(16.53)

Ra==RiRBx, yR=RBjR- (16.54)

Решение уравнения (52) при условии щ (0) = 1/ имеет вид: иб(0 = иб(°°)-[иб(<»)-иб(0)1е-/8 (0<1<Тр), (16.ББ)

Нб оо) = -/?э

/? Rbk

Используя формулы (51) и (55), определяем производную

(16.56)

[dt dt) [-RB./R. R I dt "

Щ (ex.)-{/б!

бэ •

(16.57)

(16.58)

Отсюда, полагая < = О и t= Т, запишем:

I duJdt наиб= I du/dt I, =0 = : I du/dt 1наим = 1 duJdt <=Гр = Ле-р/э. (16.59)

Подставляя эти выражения в формулу (1) и учитывая при этом, что Тр < 0э. найдем коэффициент нелинейности

1=1-е ""рГр/бэ.

(16.60)

Из выражения (53) следует, что при заданной величине RjC, определяющей длительность стадии восстановления, для достижения наибольшей величины (с целью уменьшения ) надо уменьшать параметр уп\ при Уп= О

vr; при yr

еэ = бэ ваиб = С (Ро +1 + Rbx/R) Ро Rk С.

(16.61)

Отсюда видно, что эффект отрицательной обратной связи проявляется в увеличении постоянной времени процессов в ~PoRk/ раз сравнительно с постоянной времени RC простой интегрирующей цепи. Согласно формулам (53) и (61), при сильном выполнении неравенства < 1 (что реально достижимо) величина Qg практически не зависит от сопротивления R, но она существенно возрастает с увеличением сопротивления /?к и коэффициента усиления Ро-



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 [142] 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0112