Главная Импульсный режим работы



транзистор Гг выполняет роль 2-й сетки, причем коллектор эквивалентен выводу этой сетки; база транзистора Тд играет роль 3-й сетки, а его коллектор - роль анода. Рассматриваемая схема является аналогом схемы фантастрона со связью по экранирующей сетке. Диод Д, потенциометр П

и конденсатор Сд служат


для управления длитель-HOCTbFO рабочей стадии и для запуска фантастрона.

Принцип работы фантастрона (в ждущем режиме) поясняется временными диаграммами, приведенными на рис. 17.

2. В состоянии покоя транзисторы Тх и Т отперты, а транзистор Т заперт; ток конденсатора i = /ц = 0. Ток базы транзистора Tl /б1п = hn =

=EJR устанавливается из условия, чтобы этот транзистор находился на границе насыщения (Ukiu -0,3 - -0,5В). Резисторы Rg И R выбраны так, чтобы потенциал Угп был несколько ниже напряжения Uian, а базовый ток транзистора Т обеспечивал насыщенный режим работы этого транзистора.

Приближенно, заменяя насыщенный транзистор Т короткозамкиутым элементом, можно принять потенциал его коллектора Укгп кш- При этом потенциал базы транзистора Т

"бзп -


Рис. 17.

<0,

а базовое напряжение И = 1бзп- кш > 0. вследствие чего транзистор Т заперт и потенциал Укзг1=-£к + + кзно- Конденсатор С заряжен до напряжения н =



3. Запуск фантастрона производится импульсом Нз>0, поступающим через конденсатор Сд, диод Ц и конденсатор С на базу транзистора Т. Вследствие этого коллекторный ток транзистора уменьшается, а напряжение становится более отрицательным. Соответственно базовое напряжение = 1б2 - tKi повышается, что приводит к уменьшению тока «K2 и снижению потенциалов „2 и Vg. В некоторый момент начинает выполняться неравенство Hgs = = 163-«К1<0; при этом транзистор Гд отпирается. Появляющийся ток коллектора этого транзистора повышает потенциал 1/„з и напряжение Uq, что приводит к дальнейшему уменьшению тока („1 и т. д. Процесс развивается лавинообразно и приводит к опрокидыванию фантастрона, в результате чего устанавливается состояние, отмеченное на временных диаграммах точкой а.

Положительные приращения потенциала V„3 и напряжения (А1/кз = A"6i). возникающие при опрокидывании, не превосходят величины 1 t/einh иначе получилось бы «б1 > О, вследствие чего транзистор Ту и, следовательно, оба других транзистора оказались бы запертыми, чего не может быть. После опрокидывания заперт только транзистор Га, так как напряжение = Vq - «м > 0; транзисторы же Ту и Тз отперты, причем весь ток коллектора транзистора Т протекает через транзистор Гд.

4. В рабочей стадии происходит почти линейный разряд конденсатора С; стабилизация разрядного тока i обусловлена механизмом отрицательной обратной связи, рассмотренной в § 16.6. Применительно к рассматриваемой схеме этот механизм выглядит так: по мере уменьшения напряжения и базовое напряжение Uq = и + vснижается; вследствие этого коллекторные токи транзисторов Ту и Tg возрастают, потенциал vповышается, благодаря чему напряжение «б1 = « + 1нз понижается не в такой степени, как напряжение и. При большом коэффициенте усиления каскада на транзисторах Ti и Г3 приращение потенциала К„з в рабочей стадии весьма близко к изменению напряжения на конденсаторе; поэтому напряжение W6i хотя и понижается, но весьма незначительно. По этой причине токи tg, <б1 и, следовательно, ток i = - toi остаются приблизительно постоянными.

Изменения потенциалов и напряжений в рабочей стадии отображены на диаграммах (рис. 17) участками ав.

5. Обратное опрокидывание. Рабочая стадия заканчи» вается в момент, когда напряжение Нщ превысит потенциал



1/б2 = - EnRJiRs + Ri), a напряжение «бг станет отрицательным; при этом транзистор отпирается. Возникающее повышение потенциала К „а вызывает уменьшение токов бз и гкз и понижение потенциала 1/„з и напряжения Ugi-Это приводит к еще большему увеличению токов iб и i и повышению напряжения Uni, вследствие чего напряжение «б2 = Уб2 - «Ki еще больше снижается и т. д. Процесс развивается лавинообразно и приводит к обратному опрокидыванию фантастрона, в результате чего транзистор Гд оказывается запертым, а остальные транзисторы - отпертыми.

Напряжения и потенциалы в конце обратного опрокидывания отмечены на диаграммах (рис. 17) точкой С.

6. Стадия восстановления начинается после обратного опрокидывания. В этой стадии конденсатор заряжается от источника питания через участок эмиттер - база транзистора Г, и резистор Rg. Пока протекает ток заряда потенциал V„3 отличается от - но по мере заряда конденсатора он приближается к - по экспоненциальному закону с постоянной времени 6 = RnC.

Если управляющее напряжение < Е, то процесс заряда прекращается в момент, когда потенциал У„з станет равен (/у. При этом отпирается диод, и дальнейшее снижение потенциала Vз прекращается.

Как и в ламповых фантастронах существенное уменьшение длительности стадии восстановления достигается путем применения в схеме фантастрона эмиттерного повторителя.

ГЛАВА ВОСЕМНАДЦАТАЯ

ГЕНЕРАТОРЫ ПИЛООБРАЗНОГО ТОКА

§ 18.1. ПАРАМЕТРЫ ПИЛООБРАЗНОГО ТОКА

1. В индикаторных устройствах и в телевизионной технике применяются электроннолучевые трубки с электромагнитным управлением луча. Отклонение луча в таких трубках производится магнитным полем, создаваемым током отклоняющих катушек. Отклонение луча линейно связано с напряженностью магнитного поля, которая пропорциональна току в отклоняющих катушках. В телевидении для



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 [148] 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0106