Главная Импульсный режим работы



0 и R~cx>. Это обстоятельство отражается на величине Ve выходного сигнала, которая становится зависящей от числа k возбужденных входов: Vh = У ah = F(k).

На рис. 10 показан характер изменения потенциала Vah в зависимости от числа k = О, \, т последовательно возбужденных входов схемы И, работающей в режиме В при положительной логике. Как видно, влияние сопротивлений диодов и источников сигналов сказывается

О {

т-1 т


Рис 10.

Рис 11.

на нижнем уровне Ун, который расщепляется на т уровней: Уно< Vhi< ... < Унт-ь причем Уно>£". При отрицательной логике расщепляются уровни Уно>в1>->н,-1, причем Уно<£".

9. Для количественного анализа величины потенциала Vhk при k возбужденных входах схемы И (при положительной логике) воспользуемся приближенной эквивалентной схемой (рис. И). Она получается из схемы рис. 6, а при представлении отпертых и запертых диодов постоянными сопротивлениями Rp, и (см. § 8.5, п. 3) после объединения идентичных (по предположению) возбужденных и невозбужденных ветвей. Согласно схеме (рис. И), токи

Er-V

R+/(m-k) R-/k,

Подставляя эти выражения в равенство /+ = / + /~ и решая полученное уравнение относительно потенциала Vh fe, найдем

Ег + Е (m-k)Rr/R++E" kR/R-l + im-k) Rr/R+kRr/R-



Выражение (25) в режимах А и В справедливо при любом /г < т, а в режиме С - только при k < т. Это объясняется тем, что в режиме С при k = т все диоды отперты и, следовательно, в этом случае надо в формуле (25) заменить /?д на (R- на R+). Таким образом,в режиме С при k = т

9. Рабочий перепад выходного потенциала получается при переходе схемы от состояния k <. т к состоянию k =т:

V,, = Vnm-V„, (0<<m-l). (20.27)

Величина перепада AVah зависит от состояния, предшествующего переходу схемы к состоянию k - m (см. рис. 10). Если до такого перехода ни один к? входов не был возбужден {k =0), то перепад потенциала Д1/н>, оказывается наибольшим. Но в реальных условиях до перехода к состоянию k = т некоторые входы могли быть возбужденными. Поэтому из соображений надежности следует ориентироваться на наименьшую величину перепада выходного потенциала

Д„„а„м=н„-1ет-1 = Д (20-28)

который мы будем называть рабочим перепадом А1нр-

Как показал анализ [1971, зависимость AVp от R имеет максимум при R =y"Ra3, т. е. при работе в .режиме В, что составляет еще одно достоинство этого режима. Величина AVhp сравнительно быстро падает при переходе от режима В к режиму А, но значительно медленнее уменьшается при переходе от режима В к режиму С. Поэтому, если в целях упрощения схемы работают в «слабом» режиме С (см. п. 6), то с небольшой погрешностью можно полагать, что величина АУнр получается такой же, как и в режиме В.

Из формулы (25) можно найти рабочий перепад выходного потенциала в режиме В:

вр= Vam - 1нт-1 = 1 + +(да -l)R-f/i?- (2-9)

где RrB - величина сопротивления Rj, в режиме В. Принимая во внимание выражение (21), получим

RrB = R\\K,-= if Rb.) \\Rb. = Rbs (1 ~E"/E). (20.30)

Из формул (29) и (30) следует, что рабочий перепад AV„p менее перепада йЕ = Е" - Ё входных потенциалов. Для



уменьшения этого различия следует стремиться к выполнению неравенств:

= гв = ?„е (1 - ЕЩ; (20.31)

R-l-jR(m~\)R+. . (20.32)

10. Паразитный перепад выходного потенциала (паразитный сигнал) образуется при возбуждении некоторого числа к<.т входов. Наибольшая величина паразитного перепада получается, когда в исходном состоянии = О, а затем одновременно возбуждаются т - 1 входов {см. рис. 10). В этом случае

Д, = АУ„,аиб-1нж-1-„о- (20.33)

Находя из формулы (25) значения Унт-! и Уно. после пренебрежения некоторыми малыми величинами получаем

гдех=1+-" (20.34)

а RrB выражается формулой (30). Из соотношений (34) видно, что паразитный перепад уменьшается с усилением неравенства (31) и неравенства

(т- 1) RrB < R-. (20.35)

Формулы (29) и (33) позволяют найти наибольшее значение коэффициента прохождения паразитного сигнала: 8п = AVJAVp.

11. Переходный процесс формирования паразитного сигнала. При изменении состояния схемы И возникает переходный процесс, обусловленный инерционностью диодов и паразитными емкостями схемы. Основной интерес представляет анализ влияния переходного процесса на формирование паразитного перепада выходного потенциала, так как в переходном процессе возможно появление значительного выброса этого потенциала. Выброс оказывается наибольшим при одновременном возбуждении т-1 входов схемы И, если один из входов остается невозбужденным (см. рис. 5, а и 6, а). Этот наиболее опасный в практике эксплуатации схемы случай рассматривается ниже.

Барьерная емкость импульсных диодов очень мала [С (1 -г 15)пФ] и при отпертом диоде она шунтируется небольшим сопротивлением R(RC <Z 1 не). Поэтому при внезапной коммутации входного сигнала от значения Е до Е" напряжение на р-п переходе диода практически



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 [158] 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0093