Главная Импульсный режим работы



Ej, = E , Подставляя в это равенство выражение с, из формулы (1) и решая его относительно R, найдем

R = Y Rue. где у = Е/Е -1. (20.56)

Режимы А я С получаются соответственно при R < yR„3 и > yRn.

6. В случае, когда нижний уровень Е > О, но он близок к нулю, с целью упрощения схемы принимают Ер = = ERjjJiR + R) =0. Это достигается при R = оо, т. е. при отключении источника Е от схемы (см. рис. 5, б). В результате схема ИЛИ принимает простой вид (рис. 22). Такая схема работает в режиме С.

7. Если потенциалы < О (£" -< Е" < 0), то для получения режима В следует установить напряжение источника

£ < О, причем должно выполняться яд. w ll > I £" , а сопротивление R должно

удовлетворять равенству (56). Режимы г П " же Л и С получаются соответственно при -----7l/? R>yRBsiiR<yRn-

СО" 1 и * влияние сопротивлений диодов и

X источников входных сигналов. Рассмот-Рис 22 ™ работу схемы в режиме В при по-

ложительной логике (рис. 21, а) в случае последовательного возбуждения входов. Если ни один из входов схемы не возбужден (k = 0), то нижний уровень выходного потенциала Уц = = = Ер = Е независимо от величины сопротивлений диодов и источников входных сигналов. Верхний же уровень н = Vnh зависит от числа А > О одновременно возбужденных входов (рис.23): V< Vz< - <Vum- «Расщепление» уровня V"b объясняется тем, что с увеличением k уменьшается эквивалентное сопротивление R/k возбужденных ветвей (/?+ = Rn + Ra)-

В качестве рабочего перепада выходного потенциала принимается наименьшая его величина (при k = 1):

Днр-ьа-но- (20.57)

Для определения величины Vai обратимся к эквива лентной схеме (рис. 24), соответствующей одному возбуж денному входу (k = 1). Согласно схеме ток I* = / -\- 1~. Подставляя в это равенство выражения токов, получаем уравнение относительно V:

Е"-Уш 1/н1-Дг , у.

R+ R-



Решая это уравнение, получим

l+RyRr+(m-l)R*/R-Подставляя это выражение в формулу (57), получим

(20.58)

(20.59)

5 / г /77-/ /77

Ряс. 23.

Рис. 24.

Из формулы (59) видно, что Анр < АЕ = Е" - Е. Для сближения величин этих перепадов надо стремиться к выполнению неравенств

R+ = R„ + R€Rr. /?-=/?„ + /?д »(m-l)/?+, (20.60)

аналогичных неравенствам (31) и (32) для схемы И.

9. Переходные процессы в схеме ИЛИ идентичны процессам в схеме И, но из-за противоположного направления включения диодов (рис. 6 и 21) эти процессы развиваются как бы в противоположных направлениях. Кроме того, так как в схеме ИДИ паразитный сигнал отсутствует (рис. 23), то здесь нас интересует либо скорость нарастания рабочего сигнала, либо скорость его спадания при прекращении возбуж/хения схемы ИЛИ. Наибольшие длительности указанных процессов получаются прн возбуждении одного входа схемы ИЛИ. Рассмотрим эти процессы применительно к работе схемы в режиме В при положительной логике.

В невозбужденном состоянии все диоды схемы находятся на грани отпирания («д = 0) При внезапном возбужде-



НИИ одного входа схемы один диод отпирается, а остальные- запираются. Возникающий при этом переходный процесс, но существу, не отличается от рассмотренного в § 20.2, п. 14 переходного процесса среза рабочего сигнала в схеме И. Поэтому длительность фронта выходного сигнала в схеме ИЛИ (рис. 25) равна длительности среза выходного сигнала в схеме И, выражаемой формулой (52):

= 2,2{R+IIRr) [С„ + {т-\)С,\. (20.61)

Пусть В момент (рис. 25) прекращается возбуждение схемы ИЛИ. Тогда в течение времени Гд рассасывания заряда базы переключаемого диода через этот диод протекает

ток в обратном направлении, который разряжает емкость Сн нагрузки и барьерные емкости т - 1 запертых диодов на некоторую величину AVq (рис. 25). По окончании быстротечного процесса рассасывания заряда базы в течение времени Гут продолжается более медленный процесс восстановления исходного потенциала Vh - = Ег = Е на выходе схемы ИЛИ. В этой стадии разряд емкостей системы обусловлен протеканием тока, замыкаемого через сопротивление Rr и источник Ер. Процессы при t> к отличаются от процессов нарастания выходного потенциала в схеме И, описанных в § 20.2, п. 13, лищь тем, что в схеме И имел место не разряд, а заряд паразитных емкостей схемы. Величины же AVq, Vi и Густ получаются в обоих случаях одинаковыми и они выражаются формулами (49)-(51). Таким образом, длительность задержки среза выходного потенциала.


Рис. 25.

зад о

= П+Гу,,

(20.62)

Сказанное выще позволяет заключить что изложенные в § 20.2, п. 15 положения о разрешающем времени схемы И справедливы и для схемы ИЛИ.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 [162] 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0148