Главная Импульсный режим работы



ром транзистор отпирается и насыщается {V - V„ = Укн->0).

Свяжем потенциалы ei, Va и Vc логическими переменными X, у, z: Bi X, Vg-* У, Ун2. Тогда рассмотренные выше логические преобразования можно описать равенствами, выражающими операцию И-НЕ;

y=Xi-x...x; z = y = Xi.x...x„. (21.2)

5. При отрицательной логике ДТЛС (рис. 1) выполняет логическую операцию ИЛИ-НЕ. В самом деле, при такой логике, если хотя бы на одном из входов дейст-

е2 0-Н-

G i F.

Рис. I.

-----1--t--

Ik-m) t

Рис. 2.

вует низкий потенциал =£->- 1, то потенциал Vo также имеет низкий уровень Vq-V, транзистор при этом заперт, и выходной потенциал Ун = н = 0. Только если на всех входах = Е" О, то потенциал Ус = = Уй = Е" 0; при этом транзистор насыщен и выходной потенциал У„ = Ун = У„н- 1-

6. Для реализации операции И-НЕ в отрицательной логике или же операции ИЛИ - НЕ в положительной логике можно применить ДТЛС, отличающуюся от приведенной на pjc. 1 только направлением включения диодов. Рекомендуется провести в отношении такой схемы рассуждения, аналогичные изложенным в пп. 3-5.

7. Режимы работы ДТЛС рассмотрим на примере схемы, выполняющей операцию И-НЕ в положительной логике (рис. 1 и 2). Здесь в диодной схеме И также возможны режимы А, В и С (см. § 20.2, п. 4), но выбор параметров схемы должен производиться с учетом требований к надежной работе транзисторного инвертора. В этом смысле предпочтительным является режим В, при котором получается паи-



больший рабочий перепад AVoy, потенциала Vo- Это облегчает обеспечение двух крайних режимов работы транзистора - отсечки и насыщения.

При отпирании транзистора его входное сопротивление, определяющее нагрузку диодной схемы, резко падает. Поэтому для получения режима В приходится устанавливать напряжение Е Е, часто выбирают Е 2Ек. Сопротивление R к выбирается, исходя из допустимого значения тока насьпцения транзистора (с учетом наибольшего тока ig = = /н нагрузки при Vb =V\ = f/кн):

доп-

(21.3)


ff , F

I Л"

Ее Ei


б) Рис. 3.

Рассмотрим , каким образом обеспечивается нужный режим работы ДТЛС в диапазоне температур.

8. Обеспечение надежного запирания транзистора. Нужный для этого режим работы следует установить применительно к ситуации, возникающей при возбуждении k = т - - 1 входов (рис. 1 и 2). Соответствующая такому состоянию схема входной цепи транзистора изображена на рис. 3, а, где диодная схема представлена одной невозбужденной ветвью, в которой диод отперт. Поэтому сопротивление такой ветви - Rp Л- Rm, где - сопротивление источника входных сигналов. Влиянием же возбужденных ветвей с запертыми диодами обычно можно пренебречь (предполагается, что Rpl{m - 1) > R). Заменяя цепь, расположенную левее точки G, эквивалентным генератором, получим показанную на рис. 3, б схему, где

Ео = Е+{Е~Е)

RoR\\R+. (21.4)

Эта схема преобразуется к показанному на рис. 3, в виду, где эквивалентный источник управляющего напряжения



транзистора имеет э. д. с. и внутреннее сопротивление, выражаемые равенствами

Еу-=~Е, + ~; Ry-R,mi + Ro). (21.5)

Для обеспечения надежного запирания транзистора потребуем, чтобы при наивысшей температуре базовое напряжение

f/б- = £у - /ко наиб Ry < 16г, (21.6)

где граничное значение Ur определяется необходимой помехоустойчивостью схемы (см. § 8.2, п. 16). Часто желатель-п г- но также выполнение соотноше-

]-4ZI]-4 НИИ (8.21)-(8.23).

Р- 9. Обеспечение режима В схе-

у /PffUt \[/ео В " релшме при всех

f0- j ~ возбужденных входах {k = т, 1 6 0+ Bi = Е" 1) потенциал Vo = Vom

должен быть равен Е" (см. рис. 1 Рис. 4. и 2); тогда токи всех диодов рав-

ны нулю и можно считать диодную схему отключенной (рис. 4). Так как в этом режиме транзистор насыш,ен и базовое напряжение f/e = О (транзистор почти короткозамкнут), то для выполнения равенства Vom = Е" должно выполняться соотношение

K-j-Ki

10. Обеспечение насыщенного состояния транзистора.

Для этого ток базы должен удовлетворять соотношению (8.24)

/6=-f/к„. где¥=1-. (21.8)

Здесь коэффициент насыщения s выбирается согласно указанному в § 8.2, п. 18, а ток базы находится из схемы рис. 4:

1 --. (21.9)

R+Ri R6

Это приближенное равенство справедливо при условии, что управляющее сопротивление

Ry-RoUR + Ri)>Rt., (21.10)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 [166] 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.013