Главная Импульсный режим работы



Переход от одного состояния к другому создается изменением э. д. с. е (в случае транзисторов типа п-р-п) от значения ei = Е" до значения ец = £" < Е". Напряжение £g источника в цепи эмиттеров выбирается настолько большим, чтобы выполнялись неравенства: UZ, С Uti-

Так как (рис. 10) ещ-и и Vg= -и2 = RJ-E, то в состояниях I и 11 должны выполняться соотношения:

e=:E" = USi-Ug2>0; V,i=-U620; (21.13)

(21.14)

Rb Rs

eu=EUEi-Ui2<0; Vsu-Ui2<:0; (21.15)

eb-Ui2 . £э

Rs Rs

(21.16)

Из приближенных равенств (14) и (16), справедливых при достаточно большой величине Eg, вытекает, что при

переходе устройства от одного состояния к другому ток i почти не меняется, но переключается из одного транзистора в другой; соответственно потенциалы

Vb2 коллекторов

Е>к1 /?кгШг


Рис. 10.

(рис. 10) меняются в противоположных направлениях. Из равенств (14) и (16) также следует тот важный вывод, что токи эмиттеров отпертых транзисторов 1э\ 1э2 определяются в основном величинами Eg и Rg, т. е. они слабо зависят от температуры и параметров транзисторов. Изменения этих величин влияют лишь на базовые напряжения Ui uUe на базовый ток /б отпертого транзистора. Но если /б С /э , то токи коллекторов отпертых транзисторов почти не зависят от температуры и параметров транзисторов. Это обстоятельство позволяет использовать транзисторы в н е н а с ы щ е н н о м режиме работы, что способствует повышению быстродействия схемы (уменьшается время запирания отпертого транзистора).



Из соотношений (13) и (15) следует, что перепад напряжений входной э. д. с.

АЕ = Е"-Е = - UEi + Uh~UE2 - AUi + AU.

(21 17)

равен сумме перепадов базовых напряжений транзисторов, т. е. составляет около (1 -f- 1,5) В. При этом полярность напряжений Е и Е" противоположна: £ < О, а Е" > 0. Последнее является недостатком рассмотренного устройства, так как оно приводит к несовместимости (несогласованности) выходных и входных потенциалов. Поэтому приходится применять специальные меры для согласования указанных потенциалов [111, 204]. Обычно для этой цели устанавливают на выходах ТЛС эмиттерные повторители. При


Рис. 11.

этом также возрастает коэффициент разветвления ТЛС, т. е. повышается нагрузочная способность устройства. Так как для управления другими логическими схемами требуется перепад выходного потенциала А1/д=Д£1В, то обычно приемлема установка сопротивления (100 -i- 200) Ом и напряжения £„ (2 -г- 3) В (рис. 10).

7. ТЛС с объединенными эмиттерами (на 3 входа) изображена на рис. 11, где вместо одного переключающего транзистора Г, (рис. 10) установлены 3 транзистора; Т,

При положительной логике ТЛС реализует функцию ИЛИ-НЕ на 1-м выходе и функцию ИЛИ на 2-м выходе. Действительно, при возбуждении одного какого-нибудь входа (et = Е" 1) соответствующий транзистор Тц отперт, а транзистор заперт. При этом на 1-м выходе



получается низкий потенциал -0, а на 2-м выходе - высокий потенциал У = к- 1- Только если ни один из входов не возбужден (е = £" 0), то все транзисторы Тц заперты, а транзистор Га отперт; при этом Vi - 1, а Ун2 = Кна-О- Работа ТЛС отображается

таблицей истинности (табл. 2, а), в которой Xt, у = = Ху + + Xg - вспомогательная логическая переменная, отображающая результат выполнения основной логической операции, и Ущ -> Zi = у, а Кна --z. =Zi = у.

а) Логика положительнтя

таблица 21.2

б) Логика отрицательная

Логнч. функция

или-

«а

г, =&

г2 = г,

0 0 0 0

1 1 1 1

0 0 0 0 0 0 0

->

Логич. функция

н],2

и -НЕ

г, =41

Z, = Zi


При отрицательной логике ТЛС (рис. 11) реализует функцию И-НЕ на 1-м чыходе и функцию И на 2-м выходе (табл. 2, б).

тле данного типа может г-Г-1""

строиться и на р-п-р транзи- \\R*.\ is] ~ сторах.

8. Переключатель базового тока. Основным элементом тле с объединенными базами является усилитель-переключатель со связанными базами (рис. 12). Подобно переключателю эмиттерного тока дан- Рис. 12. ному переключателю также

свойственны два стационарных состояния: в состоянии I транзистор Ту насыщен, а транзистор Га заперт; в состоянии II транзистор Га насыщен, а транзистор Ту заперт. Так как независимо от указанных состояний потенциал баз



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 [169] 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0359