Главная Импульсный режим работы



ных данных (в зависимости от интенсивности помеховых импульсов и разброса параметров транзистора) обычно принимают

s* 1,2-2.

(8.28)

21. Эквивалентная схема цепи базы насыщенного транзистора изображена на рис. 11. Здесь Rtt. = Ut Ut - входное сопротивление транзистора. Нужная величина тока базы it устанавливается надлежащим выбором управляющей э. д. с. ву = = const и со-

- ( противления Как видно из

схемы,

) « п

Рис.

(8.29)

С повышением температуры сопротивление Rtx понижается, что приводит к излишнему увеличению коэффициента насыщения. Кроме того, разброс значений Rfx (от одного образца транзистора к другому) значителен. Поэтому желательно, чтобы тюк базы слабо зависел от величины Rtx, это выполнимо при неравенстве Rtx Rt- Практически можно ограничиться соотношением

+Rt, где 6+< 0,25.

(8.30)

Действительно, суммарная вариация величины Rbx обычно не превышает ±50% от ее среднего значения; это при е+ = = 0,25 приводит к изменению тока базы менее чем на 11%.

Сопротивление Rt следует определять из входной характеристики транзистора при коллекторном напряжении t/j(H. Но в справочниках такие характеристики не приводятся*). В § 8.3 показывается, что приемлемую оценку входного сопротивления можно получить из простой и удобной фор-

*> Приводимые в справочниках входные характеристики даже не подразделяются по типам транзисторов одной группы. Так, транзисторы типов МП39, МП39А, МП41А представлены в справочнике [102] одной общей входной характеристикой.



мулы, связанной с основными параметрами режима насыщения:

вх - н „ I бн •

(8.31)

здесь г,1 - сопротивление насыщенного транзистора (см. п. 8), находимое из его выходных характеристик (рис. 6, а), а Гбн-объемное сопротивление базы насыщенного транзистора. Так как г < <t Rtx, то приемлема даже приближенная оценка величины га, она близка к дифференциальному значению входного сопротивления насыщенного транзистора, определяемого из входной характеристики (при fy к = 0) на линейном ее участке [98], т. е. (рис. 12)


(8.32)

->1 -Щ

Рис. 12.

22. Пример. Произведем расчет входной цепи ТК (с транзистором типа П416), работающего при температуре от -60 до -f 60° С. Данные ключевой схемы (см рис. 5): £„ = 12 В, = 2 кОм.

Параметры транзистора при -f 20° С [102]:

20 = 40; (/J,„<7mkA - 25 Ом; - 70 Ом.

Из графика (см. рис. 7) оцениваем величину коэффициента усиления тока базы при -60° С и при +60° С:

fi 60 = * = 06-40 = 24; Bgo=l,65.40 = 66. Определяем ток коллектора

Находим значения начальных токов при -60° С и при Н60°С[102]: (W-60 = kO < 3 мкА; (/ко)бо < 0,1 мА.

Полагая, что при -60° С коэффициент насыщения s* = 1,5, из соотношения (27) находим коэффициенты насыщения при +60° С и при +20° С:

s6o=Sco

s* , (ко)бО~4о

66[¥+"---"-°°

-) S 5,3;

/1,5 0,007-0.003 \ =40( + --6-1=2,5 + 0,03 = 2.53.



Из формулы (25) находим ток базы (полагая Г° = 20°С):

lt== - f -(I ) „г=. 6-0,007 S 0.372 мА.

Согласно формуле (31) входное сопротивление

«1= Фг„ = 25 + 70 = 395 + 70 = 465 Ом. .

Полагая в соотношении (30)е+=0,2, находим

-0-С

1 ± i-i

= - = 2325 Ом s 2,3 кОм. 0,2

Из формулы (29) определяем

Рис. 13. +0,46) S 10,3 В.

23. Ввиду относительно малой величины сопротивлений

Rw. С R и /"н С к при технических расчетах насыщенный транзистор иногда заменяют короткозамкиутым элементом, как говорят, его «стягивают в точку» (рис. 13). В соответствии с этим принимают Ut = 0 и Укн = 0.

§ 8.3. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ТРАНЗИСТОРНОМ КЛЮЧЕ

1. Поведение транзистора в переходном режиме не определяется его статическими характеристиками. Для анализа таких режимов надо ясно представлять физические процессы в транзисторе. Предварительно же полезно обозреть основные положения электроники транзистора, известные из курса электронных приборов.

А. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ ТРАНЗИСТОРА

2. Структура транзистора. В дальнейшем имеются в виду транзисторы типа р-п-р, идеализированная плоскостная структура которых схематически показана на рис. 14. Процессы в базе толщиной W и площадью поперечного сечения S > будем полагать одномерными, зависящими от одной пространственной координаты X. Будем также полагать, что объемные сопротивления эмиттера и коллектора практически равны нулю. На рис. 14 указаны положительные направления токов транзистора, внешних напряжений между его выводами и напряжений H.g и «.g, приложенных



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [54] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.011