Главная Импульсный режим работы



более существенно, емкостный тоК, совпадая по направлению с ТОКОМ базы гб, уменьшает ту его часть, которая опре деляет заряд базы и, следовательно, обусловливает усилительные свойства транзистора (по току). Поэтому можно ожидать, что влияние емкости Ск должно умножиться в В + 1 раз.

33. При протекании емкостного тока ic операционное уравнение (75) справедливо только для токов 4 и «а» и уравнение (75) следует заменить на уравнение

г кд В i

(8.77)

I- г-к -,

1-0-Н

-UkS-I

0

/1/1

Bile,

Рис. 34.

Из рис. 33 видно, что = +«с и «б = «6-ic, откуда

i кд = 1кА + ic; гбл = гбл - ic, (8.78)

здесь принято во внимание, что в стационарном режиме ток ic = 0. Подставляя равенства (78) в уравнение (77), получим

ГкА В Гбл - (В + 1) = В ?бл - (в + 1) м;.бд,

где Ик-бл-г*-"к-б д =Wk-6-«к-б(О), или, записывая компактнее,

iк = В fбл - Р Ск и к-б д, (8.79)

Ск=(В + 1)Ск. (8.79а)

Так как рСкЫк-бл выражает изображение некоторого тока, то С к можно формально назвать операционной емкостью.



Напряжение на коллекторном переходе Мк-е = «к - - «6-9- В активном режиме иё-э -С «к-б , причем изменения напряжения Ыб э I малы сравнительно с изменениями напряжения («к-б Поэтому практически можно принять Ик-6 = «к(ик-бл= «кл)- Это позволяет перейти от показанной на рис. 34, а схемы к более удобной упрощенной схеме, приведенной на рис. 34, б.

Ж. ПЕРЕХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ТК В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ

34. Операционное уравнение. Рассмотрим ключевую схему с подключенной к ней нагрузочной емкостью Сн (рис. 35, а). Пусть в момент = О транзистор отпирается

iT i i

Рис. 35.

И под воздействием приложенного тока базы is - ie(0) + + гбдСО работает в активном режиме. Составим операционное уравнение для приращения коллекторного напряжения Ыкд. Для этого обратимся к операционной схеме (рис. 35, б), построенной в соответствии со схемой, приведенной на рис. 34, б. Согласно схеме (рис. 35, б).

Bieu.(-+pC + pCЛ.

Подставляя сюда выражение из формулы (79а), получим

В ic6 = «кд [ 1 + PR + pR„ С„ (В +1)].

*) По этой причине влиянием барьерной емкости эмиттерного перехода (шунтируемой к тому же небольшим эквивалентным сопротивлением перехода) обычно пренебрегают.



Заменяя изображение В его выражением из формулы (76) и решая полученное уравнение относительно Ыкл, найдем

(8.80)

здесь постоянная времени

Q=-4 + RA (8.81)

С2 = (В + 1)С, + Сн. (8.81а)

35. Переходная характеристика. Для ее определения положим, что в момент = О транзистор ключевой схемы (рис. 35, а) отпирается перепадом тока базы от значения

-/ло до значения it. Пренебрегая током Iq , примем ig(0) = = О, в соответствии с чем изображение гбд = % = it/p-Подставляя это изображение в уравнение (80), найдем изображение переходной характеристики для приращения коллекторного напряжения:

Йд==-- , (8.82)

ai=ep = Tp + i?„C2; (ц=хрЯ(С + С). (8.82а)

Решение уравнения (82) выражается сравнительно громоздкой функцией, изображенной графически на рис. 2.16, г сплошной линией (где надо принять KuooUex =BRtf). На практике обычно < 0,2аь и можно показать [30, 108], что в этом случае допустимо воспользоваться приближенным решением уравнения (82); это решение выражается запаздывающей на время 4ап экспоненциальной функцией (ее график изображен на рис. 2.16, г пунктирной линией). Используя прием, описанный в § 2.4, п. 2, найдем:

BRl-i

ЙА(0 = -=В/?Д1-е е j.it-t,,), (8.83)

где время запаздывания

(8.83а)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 [64] 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0104