Главная Импульсный режим работы



запирающее базовое напряжение Uc не должно быть ниже граничного значения Ucr = (0,1 -f- 1)В. Для этого должны удовлетворяться равенства (22):

1-8- 1-6 /шнаиб

целесообразная величина е- < 0,5 определяется в п. 5.

- 4. Обеспечение стационарного замкнутого состояния ТК- В этом состоянии транзистор должен находиться в стационарном режиме насыщения, при котором ток коллектора/кн = к/? к- Нужный коэффициент насыщения s находится из равенства (27), после чего из формулы (25) находится ток базы it. Этот ток устанавливается надлежащим выбором параметров управляющей цепи базы, эквивалентная схема которой приведена на рис. 11; э. д. с. эквивалентного генератора и его сопротивление находятся аналогично указанному в п. 3:

Фигурирующее в схеме рис. И входное сопротивление транзистора выражается формулой (31). Для обеспечения стабильной работы ТК в условиях непостоянства и разброса параметров транзистора (см. § 8.2, п. 21) должны выполняться соотношения (30):

=е+ Rt (е+ < 0,25). (8.89)

Следовательно, как это вьггекает из схемы (см. рис. 11), должны выполняться равенства:

Et = -it {Rt +Rtx) --It Rt (1 (8.89a)

5. Выбор параметров схемы. Рассмотрим этот вопрос при невентильном источнике (см. рис. 36), когда

Rt = Rr = ri и Rt =Ry =R*y=Re I {R + Rl) • (8.90) Из формул (87) и (89) вытекает, что

~ = у, где у = щ. (8.91)



При выбранном типе транзистора и установленных значениях и S параметр у известен. Следовательно, величины е~ и 8+ взаимно связаны: при задании величины одного из этих коэффициентов определяется величина второго. Полагая е- = ?i,e+, подставим это равенство в первую формулу (91) и решим полученное уравнение относительно е+:

р- 1-4-1 / jlj-

(8.92)

Находимая отсюда величина е+ зависит от коэффициента у и от величины Я. Как показывают расчеты приемлемое значение Я, равно отношению принятых предельных значений коэффициентов е"~ и 8+, т. е.

= = 7?i = 2. (8-92а)

±„. 0,25

пред

После выбора значений е- и е+ из формулы (89) определяется значение сопротивления Rf = R = Ry.

Нужная величина перепада управляющей э. д. с. определяется из формул (87) и (89а):

1 Д£у I = -Е+ = /б+ i?B+x (1 -f ] + . (8.93)

Выразив теперь перепад &Еу из формул (86) и (88), найдем

(8.94)

Эта формула при заданных значениях сопротивлений позволяет найти нужную величину перепада &Ез \, а при заданном перепаде она позволяет найти параметры схемы:

Нужная величина напряжения Е находится из формулы (88) или (86); учитывая при этом равенство (8.89а), найдем:

-f/?+) (1 +-]--Е+. (8.96)

R + R% j

R + Rt



При известной величине Rt = Ra из формулы (95) находится также и величина R. Если окажется, что R< Rl + + Rtx, то применение ускоряющей емкости С получается малоэффективным.

Пример расчета ТК приводится в п. П.

6. Задержка включения транзистора, получающаяся после перепада в момент ti э. д. с. (рис. 37, а, б) находится из эквивалентной схемы, приведенной на рис, 24. При определении параметров этой схемы резистор R, зашунтирован-ный емкостью С > Свх, заменяется короткозамкиутым элементом. Учитывая также, что сопротивление > Rt,

можно принять Ry = Rt II Re = Rf- До отпирания транзистора его входное сопротивление Rbx -

Рассматривая базовое напряжение в данном линейном режиме в виде = Ue + A"6, найдем приращение напряжения Диб как реакцию «пустой цепи» на перепад э. д. с. Сз. Относя начало изменения Иб к моменту f - t - 4 =0, запишем

„,(n = t/r-A£3l(l-e~"M (t>Q>). (8.97)

Задержка включения определяется промежутком времени f - Тзад, течение которого базовое напряжение достигнет значения «б() = 0. Подставляя эти значения в функцию (97) и решая полученное уравнение относительно f = Тзад. найдем

л. I А£з I

Тзад = 3+ In • (-97)

7. Длительность входа транзистора в насыщение ТГ.

равная длительности фронта фо коллекторного напряжения и к (рис. 37, в), составляет основную часть длительности включения ТК:

Для определения 7V надо раньше найти ток базы, возникающий при Ыб < 0. Но здесь из-за изменения входного сопротивления транзистора уже нельзя воспользоваться методом, примененным в п. 6, а приходится учитывать имеющиеся в цепи запасы энергии.

Найдем ток базы itm, возникающий при щ = Q (рис. 37, б). В этот момент конденсатор С можно заменить



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 [66] 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0124