Главная Импульсный режим работы



в формулах (105) и (105а) пренебрежено небольшим падением напряжения /цок С к- В большинстве случаев можно полагать esO*). При > Rk (если при этом отношение Т~/Т не очень мало) допустимо также принять I S О, откуда £кэ s

16. Изменение напряжения на конденсаторе относительно его среднего значения обусловлено протеканием через него тока (ро - I Urb I )/Rb при отпертом транзисторе или тока (£„ - - ро)/(/?к+ Rh) при запертом транзисторе. Отсюда наибольшее изменение напряжения на конденсаторе за период

"»= RuCp (Rr + Rk)c/

Из условия, чтобы величина At/poI не превышала заданного значения Bof/po [где 8о < (0,05-v- 0,1)1, определяется требуемая величина емкости разделительного конденсатора:

§ 8.5. ДИОДНЫЙ КЛЮЧ

1. Типовые импульсные диоды. В импульсной технике преимущественное применение находят полупроводниковые диоды трех типов: точечные, плоскостные сплавные и плоскостные диффузионные (меза) диоды.

Точечные диоды (например, германиевые типа Д18 и кремниевые типа Д101) обладают малой барьерной емкостью (Сб 1 2 пФ) и соответственно большим сопротивлением. Допустимая величина обратного напряжения диода невелика -20 Б). Такие диоды целесообразно применять в случаях, когда полезные функции диода проявляются и при запертом, и при отпертом состоянии диода.

Плоскостные сплавные диоды (например, кремниевые типа Д219) обладают большой барьерной емкостью (Сб = 10 -f-

20 пФ) и соответственно небольшим сопротивлением. Они допускают работу при значительных обратных напряжениях (t/д -70 В). Существенным их достоинством является меньший, чем у точечных диодов, разброс параметров,.

Плоскостные диффузионные диоды (например, германиевые меза-диоды типа ДЗИ) сочетают в себе лучшие качества точечных и плоскостных диодов. Их барьерная емкость Сб = l-f-3 пФ, и по своим характеристикам они могут найти наиболее универсальное применение.

*) Формулы (105) и (105а) приложимы и к ламповым ключевым схемам, если в этих формулах заменить: Еу, на Еа, Rr на /?а и 1кц1 на Еа - l&Ra- Но в этом случае нельзя полагать е 0.



На рис. 47, а изображены статические характеристики германиевого диода типа Д311Б при различных температурах окружающей среды. Аналогичные характеристики кремниевого диода типа Д219А изображены на рис. 47, б. Эти характеристики иллюстрируют существенную зависимость сопротивления диода от температуры. Менее сильно ме-


70"С

0,2 0,f 1/д,В

-гоомкА,


Рис. 47.

няется с температурой отношен ие обратного сопротивления диода к его прямому сопротивлению. Хотя обратные токи кремниевых диодов значительно меньше, чем у гер-


л -М-

1-/?

± 1 ±-

Рис. 48.

маниевых диодов, но отношение обратного сопротивления диода к его прямому сопротивлению у кремниевых и германиевых диодов различается менее сильно,

2. Диодная ключевая схема изображена на рис. 48, а. Управляющая цепь ключа содержит источник входных управляющих сигналов gg = Су и сопротивление Ry (оно учитывает также сопротивление Rs источника). Источник смещающего напряжения Есм == const, включаемый через посредство резистора /?см служит для установки нужного порогового напряжения диодного ключа. Яц - сопротивление



нагрузочного элемента. В зависимости от назначения схемы и полярности входных сигналов диод Д включается в том или ином направлении.

Применяя теорему об эквивалентном генераторе, преобразуем данную схему к виду, представленному на рис. 49, б, где

р RcmRh . р Rf см R р (8 106)

RcM + Rs Rcm + Rh «см

В зависимости от знака неравенства ву S £пор напряжение на диоде щ 0. При переходе через точку Ыд =0 свойства диода резко меняются. Поэтому точка «д = О определяет пороговое напряжение диода, а величина Вцор выражает пороговое напряжение диодного ключа. Из формулы (106) вытекает, что

- =--£см- "" • (8.107)

Rcti R Rh 1 - R/Rh

Следовательно, при заданной величине R оо для получения требуемого значения inop приходится применять тем большую величину Ej, (и тем большую величину /?см)» чем больше желательная величина R; при R = оо имеем Епор = £см независимо от величины R = R,.

3. Параметры диода. В стационарных состояниях диодного ключа диод либо отперт (t/д > 0), либо заперт (t/д «< 0). Примем такие обозначения напряжений в этих состояниях (рис. 48,6):

ву Я/>пор при [Уд >0,

ey=V<£„,p при(/д=1/д-<0. j

Параметры R и Ry выбираются из условия достаточно сильного выполнения неравенства £~£пор

> и, ввиду чего прямой ток диода

(8.109)

это значение тока достаточно точно определяет положение рабочей точки М+ на статической характеристике диода (рис. 49).

При запертом диоде его обратный ток /д < О почти не зависит от сопротивлений R и Ry, ввиду чего он опреде-



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 [70] 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0287