Главная Импульсный режим работы




Рис. 9.



ная связь, приводящая к развитию регенеративного процесса, в результате которого в момент 4 транзистор запирается. В процессе регенерации (между вертикалями ВВ и СС) ток быстро падает, а ток гш - нарастает, причем он может достигнуть значения, превышающего стационарный ток /кн1 (рис. 9. а); это наверняка случится при / кнг /кн1- В заключительной части процесса регенерации входное сопротивление транзистора возрастает, и величина jteal отрицательного тока базы падает до значения -/коз (рис. 9, ж). Соответственно все большая часть тока «К! поступает в резистор /?ц1> вызывая тем изменение напряжения «„1 (рис. 9, б). Однако в процессе регенерации это напряжение изменяется мало - на величину, близкую к 6/б2, и стационарное напряжение Uдостигается в момент одновременно с установлением стационарного тока /кш-До момента 3 часть тока tw замыкается через барьерную емкость Ск1 и емкость нагрузки Сщ, приключенной к выходу транзистора Т. Интервал времени /3 - 4 определяет длительность среза напряжения ui- По мере уменьшения «„i повышается базовое напряжение Ыбг = = «1 - «Ki (см. рис. 8), но момент /2-3, в который базовое напряжение достигает максимального значения Убгт. несколько (незначительно) упреждает момент /3, так как одновременно с уменьшением напряжения происходит разряд конденсатора С, начавшийся с появлением тока (ki. Если пренебречь изменением напряжения на конденсаторе за время - (это допустимо лишь при Тр2 >

> Tt2), то можно принять ббгт = llm - \UГДС

наибольшее напряжение на конденсаторе, до которого он был заряжен пока транзистор Г, был заперт,

UiE,-\utAE,. (П.27)

К моменту /3 все быстрые процессы, вызванные опрокидыванием, заканчиваются, кроме процессов, связанных с восстановлением напряжения на конденсаторе до исходного значения, выражаемого формулой (26). Восстановление этого напряжения, начавшееся еще в момент t, продолжается и после запирания в момент транзистора Т. Зарядный ток конденсатора > О замыкается, с одной стороны, через резистор R кг и источник питания и с другой - через базу отпертого транзистора Т. Ввиду значительной величины тока и , достигающего в момент запирания транзистора Tj наибольшего значения (-Е к ? кг), базовое на-



пряжение транзистора Tj в интервале времени - ti (рис. 9, в) существенно отличается от стационарного значения: «6i( >У1. Из-за протекания тока через резистор также и напряжение «кг отличаегся от стационарного значения (рис. 9, д). В момент t, когда завершается восстановление напряжения на конденсаторе (tg = = 0, U2=U2mEj), отмеченные выше напряжения и токи достигают своих стационарных значений:

«кг = --к + ког кг -Е, «61 = б;

/„ = /6 адех-Интервал времени - определяет длительность фронта изменения напряжения «кг

5. После момента токи и напряжения почти на всех элементах мультивибратора практически стабилизируются. Единственный переходный процесс, продолжающийся в мультивибраторе, - процесс релаксации, связанный с разрядом конденсатора Ci. Его разряд начинается с момента 4 возникновения тока (ki, и разрядный ток ti «< О представляет собой часть тока (ki, ответвляющегося в конденсатор Ci (см. рис. 8). До запирания транзистора этот ток замыкался в основном через базу транзистора, а после его запирания - через резистор /?б2- По мере разряда конденсатора Ci уменьшается запирающее базовое напряжение «бг (рис. 9, е). Большая постоянная времени RciCi (так как Йб2 > Rui) обусловливает сравнительно медленное протекание процесса релаксации. Его полная длительность равна интервалу времени - /о- При технических расчетах за длительность процесса релаксации принимается интервал времени Т = 4 - 4-з = 4 - 4, т, е. интервал времени, в течение которого базовое напряжение запертого транзистора снижается от наибольшего значения Um до нуля. Обычно длительность Тр составляет преобладающую часть рабочего такта.

6. Начиная с момента 4, развиваются процессы, аналогичные рассмотренным выше, но в которых транзисторы и соответствующие элементы мультивибратора меняются ролями. Полный цикл процессов определяет период автоколебаний Га = + Грг, где (рис. 9)

Tp2 = Tp,.,2 + Tt + Tp,,; Гр,Грел1 + 7н+2+7рег. (П.28)

7. Длителыюсть вывода транзистора из насыщения (Tt\ или Ttz) находится из громоздкого трансцендентного



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 [91] 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0135