Главная Импульсный режим работы



уравнения. Его приближенное (с погрешностью менее 20%) решение имеет вид*

У26v + (fc+ l)v/3 (при Y Щ >3а),

а =-

s - 1 J?62

1 •=++т

+ (Л

и2 И бн1

(11.29) (11.30)

(11.31)

Сг2 = (52 + 1)Ск2 + С„2 + С„/2. (11.32)

Аналогично выражается длительность Т2 (индексы 1 и 2 меняются местами). В написанных формулах обозначено: Rtx - входное сопротивление отпираемого транзистора, выражаемое формулой (8.58); гв - объемное сопротивление базы, а Тн - время жизни неосновных носителей в базе насыщенного транзистора. Обычно довольно существенно выполняется неравенство Tt <. Тн, причем при s> 1,5 длительность Tt слабо зависит от s, а при s>3 эта зависимость практически полностью исчезает.

8. Процесс регенерации - самый кратковременный процесс рабочего такта; его длительность выражается форму-

Т т

pci - tb

8„ =

f 15

I Vbx

>

= (12)t,„

(11.33)

(11.33a)

Rn-i-re

*> Решение получено путем асимптотического разложения изображения заряда базы и представления значащей части этого разложения (трехчлена и четырехчлена) до полного квадрата или куба соответствующего двучлена.

** Эта формула учитывает начальные условия, определяемые процессом рассасывания заряда базы насыщенного транзистора (учет таких условий существенно влияет на процесс регенерации); формула получена в предположении, что переходная характеристика транзистора ft = 1 - е



параметры b и выражаются формулами (31) и (32); - объемное сопротивление базы ненасыщенного транзистора; при несимметричной схеме следует всюду учитывать усредненные значения параметров (например, Сх = vC С)*\ Длительность Тр существенно зависит от типа используемых транзисторов. Так, при применении сплавных транзисторов типа МП41 (С„ =60 пФ, В = 40, тр =4 мкс, Гб = = 100 Ом) и С„ + CJ2 = 200 пФ постоянная x.. = = 106 НС, а при применении диффузионно-сплавных транзисторов типа П416Б (Ск = бпФ, В = 120, тр = 0,24 мкс, Гб = 30 Ом) постоянная тэ 2 не.

9. Длительность фронта, например фа, изменения коллекторного напряжения «„2 запираемого транзистора Га (рис. 9, д) определяется постоянной времени заряда конденсатора Са, присоединенного к коллектору этого транзистора (рис. 8). Зарядный ток протекает через резистор /?ка и базу отпираемого транзистора Tj. Практически можно принять

фа2(/?„а+%)Са. (11.34)

Аналогично выражается (индексы 1 и 2 взаимозаменяются).

10. Длительность среза, например са> коллекторного напряжения «„а отпираемого транзистора 7а (рис. 9, д) существенно меньше длительности фронта фа, что обусловлено такими обстоятельствами: сразу же после окончания процесса регенерации ток коллектора отпираемого транзистора Га велик (соответственно и заряд базы значителен) и вначале ток базы этого транзистора также очень велик: кроме нормального тока базы EJR в базу поступает зарядный ток конденсатора Cj, равный примерно {EJRj)e, где f = t - t. Под воздействием этого большого тока базы (рис. 9,ж) ток коллектора вначале еще продолжает нарастать (рис. 9, г). Если бы барьерная и нагрузочная емкости равнялись нулю, то срез коллекторного напряжения происходил бы мгновенно от.значения «ка = до t/кна- При наличии же этих емкостей ток «„а вначале замыкается в основном через эти емкости.

* Следует иметь в виду, что одна из барьерных емкостей (Ск2 при прямом опрокидывании, при обратном) находится

в процессе регенерации под небольшим напряжением \иа\ s О, ввиду чего величина этой емкости существенно возрастает (см. § 8.3, п. 32).



Длительность среза весьма приближенно оценивается из равенств3

С,2-/?„г(Сн2 + С„2+С./2). (11.35)

Более строгий анализ длительности среза очень громоздок; из него вытекает приближенная формула:

«С2 =

ка нк "рг

Р+Р"

2У2(Р + Р")

0р2 (Р)

(11.36)

где суммарная емкость выражается формулой (32) и

. il

httz

- Сна +„2 +Cm/2, %2 =/?„2C22+Tp2, (11.36a)

P=E2 + S2-

3"=Бо

Рис. 10.

(11.366)

в большинстве случаев в формуле (36) стоящая под знаком корня величина близка к 1; тогда формула упрощается:

02 =

В222 Р

(И.Збв)

Для получения длительности среза следует в формулах (35)-(36) заменить индекс 2 на 1 и наоборот.

11. Длительность процесса релаксации. Найдем длительность Грел 2 (рис. 9, ё) процесса релаксации, соответствующего запертому транзистору Т. На рис. 10 изображена часть схемы мультивибратора (см. рис. 8), элементы которой определяют процесс релаксации. Здесь запертый транзистор представлен генератором тока /ко2 (втекающим в базу); отпертый транзистор Г, представлен его выходным сопротивлением С Rki с Rt2- В начале процесса релаксации (момент 2-3 = 4 на рис. 9, ё), как это отмечалось в п. 5, конденсатор заряжен до напряжения (/т, где Uirn выражается формулой (27). Принимая момент /2-3 за



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 [92] 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0201