Главная Импульсный режим работы



Длительность вывода из насыщения транзистора существенно зависит от величины и формы запирающего тока Д«б2 (рис. 14, е). Обычно емкость С настолько велика (поскольку она определяется длительностью формируемого импульса), что за время Th протекающий через конденсатор С ток Д/б2 не успевает существенно изменить напряжение и на конденсаторе (см. рис. 12). Еще меньше меняется напряжение на конденсаторе Сд > С*\ Поэтому при прямоугольной форме импульсной э. д. с. можно полагать, что выражаемый формулой (48) ток Д«б2 = const. В этом случае длительность вывода транзистора Та из насыщения выражается формулой (8.69), в которой следует положить /бс = /б2 + Д<б2- При выполнении соотношения (48а) длительность Гн2 < 0,7Тнг, где т„г - время жизни неосновных носителей в насыщенной базе Га.

Длительность вывода транзистора Ti из насыщения выражается более сложной формулой, получаемой аналоги i-но формуле (29):

Y2by + (6 + 1) Y/ 3 (при /2Ьу> Зй) УШу[\ +~ 16j (при УЩ<С?>а)

(11.56)

1) „1 ,,1.1

Р2 Тн1

\Уш-У„у\

0р2 =тр2 -f /?„а [(2 + 1) Ска +С, +CJ2\; (11.57)

здесь Тр - время жизни неосновных йосителей в ненасыщенной базе; Rt% - среднее (интегральное), значение входного сопротивления отпираемого транзистора, выражаемое формулой (8.58); Ск-барьерная емкость коллекторного перехода транзистора; Сд - емкость нагрузочного элемен-

*) В схеме ждущего мультивибратора величина емкости Сд. ограничивается временем 7"в з 3 (/? -f /?з)Сз восстановления напряжения на этом конденсаторе. Так как процесс восстановления начинается после выключения э. д. с. запуска, то Т > Т, что позволяет применитьСз > С



та, приключаемого к выходу транзистора Т, и - емкость монтажа. Обычно Tt\ < Тщ.

При определении кратковременного интервала Готп подготовки отпирания транзистора (рис. 14, б, интервал ВВ-СС) можно считать, что выражаемое формулой (48) приращение тока базы Дгба = const и что создаваемое им приращение тока (после выхода из насыщения, т. е. при f =.t - ti:0)

Ai„2 В, Aiga (I -е-«Р2) В, Ait/l

Базовое напряжение запертого транзистора (см. рис. 12)

Следовательно, приращение базового напряжения, вызываемое приращениями токов /„2 и 62.

Affgi Д/2 /?к2 RJiRi + R2) + (Ai«2 + А«б2) ?э-

Подставляя сюда найденное выражение для At кг, получим

Аыб1 Afg

+ /?2/ ср2

В состоянии покоя Ыб1 = С/б1п > о, где обычно С/б in < IB. Следовательно, для отпирания транзистора его базовое напряжение должно получить приращение A«6i = -f/ein-Полагая в этом случае f = Готп. найдем

Т - (б1п-Ч2а)®Р2 (1158)

B,A/gj/?-f/(/?,-f«,)]- •

Длительности фронта и среза рабочего импульса (рис. 14,г) ф2 Тег 1 + 2/?„2 (С„ + С„г + С/2), (11.59) ,г Гр,, г + ?к2 (Сн + + См/2). (11.60)

Длительность перепада потенциала V„i коллектора о т -пираемого транзистора (рис. 14, з)

Тф1 = /?к1 (С,1 +Сзг +Сб -f CJ2), (11.61)

где Сб - барьерная емкость запертого диода Д, а Сэ2 - барьерная емкость эмиттерного перехода запертого транзистора 7*2, которая через посредство конденсатора большой емкости С > Сэг присоединена к коллектору Tl.



Сравнительно небольшие длительности Тф1 и 2 обусловлены протеканием соответственно тока <ki>/khi (рис. 14, ж) и значительного тока «„г (рис. 14, б), которые быстро разряжают паразитные емкости. Более точно эти длительности выражаются формулами, подобными формулам (36)-(Збв).

/?к2

бн1 т,

т 11

-« +

Лэ = /?э1/?к< =/?э R2=Rzl\(Rf*R!2)=R2.

hoz Rbz 1 1

Рис. 15.

Длительности процессов регенерации оцениваются из формулы

(1 2) 1 [li+iedKiK] 0р2 прот

Ci=(Bi + l)C„i + C + Cj2. (11.63)

i>i 02 Уа

где Гб2 - объемное сопротивление ненасыщенной базы и

Величина численного коэффициента в формуле (62) зависит: при прямом опрокидывании - от величины тока запуска А«б2; при обратном опрокидывании - от величины тока «к2 отпираемого транзистора в момент выхода транзистора Ti из насыщения (см. § 11.2, п. 8).

11. Длительность стадии релаксации (см. п. 7) составляет основную часть длительности формируемого импульса (рис. 14, г, д).

На рис. 15, а изображена часть схемы мультивибратора (см. рис. 12), элементы которой участвуют в разряде конденсатора С. Здесь насыщенный транзистор Tj представлен короткозамкнутьш элементом, а запертый транзистор - генератором тока /коа- На рис. 15, б изображена эквива-



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 [97] 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0106