Главная Импульсный режим работы



лентная схема для определения постоянной времени цепи разряда конденсатора С (схема получена путем короткого замыкания источника питания). Как видно, постоянная времени цепи

©рел = lRo2 + RsII(/?; + r,„i)] CR,,C, (11.64)

где приняты во внимание неравенства (47).

Базовое напряжение Ыб-г = и + Ukhi = " практически равно напряжению на конденсаторе. Примем момент =0, в который Ыб2 = С/б2т (рис. 14, д), за начальный, т. е. в соответствии с равенством (49) положим Ыб2(0) = f/eam = = С/п- IfKHil*- Если бы разряд конденсатора не прерывался отпиранием транзистора Т, то при / = оо, когда конденсатор перезарядится и его ток упадет до нуля, напряжение «бг имело бы значение (рис. 15, а)

«62 (°°) = -„-/к02 /?б2 +1 VJ, (11.65)

1Пр!=(/к„1 + /б"1)/?э. (П.66)

В рассматриваемой схеме базовое напряжение изменяется по закону, выражаемому функцией (39) (6 = ©рел)-В момент t = Грел напряжение = 0. Подставляя эти значения в функцию (39) и решая полученное уравнение относительно Грел, найдем

рел =0рел 1П (1 -/б2т/«б2 (°о))-

Подставляя сюда выражение (65) и выражение для С/бат в соответствии с равенствами (49) и (4G), получим

7рел = 0рел1п

1 + ЛНкНбшЛп

(11.67)

С/дб = С/б+2 + С/„„1. . (11.68)

12. Обеспечение стабильной работы мультивибратора.

Учитывая, что Уэр = 0,51 < £„, произведем пре-

*> Пренебрегая разрядом конденсатора на интервале 4 - fg (рис. 14), мы получим несколько завышенную величину Грел-Это в соответствии с равенством (54) позволяет полагать s - Грел + Г+.



образование выражения (67), аналогичное выполненному в § 11.2, п. 11; в результате получим:

- - - In 2 [ 1 1эп-- tsp +Аб+ /„02 (62+Ki) "I /1169) брел" [ 1.4(£„-Уэр) J. •

где принято ItiRtd = /коак!- Из этой формулы видно, что основным источником нестабильности длительности Трел может явиться непостоянство тока /„оа- Поэтому сопротивление /?бг (обычно /?62>2/?ei) должно удовлетворять соотношению

(/?б2+ Rki) /к02 R62 f! /11 у/лч

1.4(£k-1V3p)- £к

где допустимая величина б/ задается техническими условиями (примерно около 0,05).

Для ослабления нестабильности работы мультивибратора, связанной с влиянием «малозначащих» параметров транзисторов, желательно иметь возможно большую величину сопротивлений всех резисторов. Поэтому в соотношении (70) следует выбрать знак равенства, если только при этом не получается чрезмерно малая величина емкости С из формулы (67); желательно, чтобы эта емкость в несколько раз превышала суммарную паразитную емкость схемы.

Величина Van существенно влияет на работоспособность схемы. С усилением неравенства Уэп < возрастает рабочий перепад потенциала Ук2 (рис. 14, г), передаваемый в нагрузку:

а1/р = 1а1/„2 1 = „Ч1эп!. (11.71)

Но при малой величине г эи ] процесс вывода транзистора Ti из насыщения протекает вяло. Поэтому целесообразно установить приемлемое для хорошего развития быстрых процессов значение

\V,J=X,E„, где Я, 0.3. (11.72)

поскольку оно не столь существенно понижает величину

При 0,3 и выполнении равенства (70) длительность Грел 0,6 брел 0,6/?б2<- Практически Грел = и. раз-



решающее время ждущего мультивибратора (см. п. 3) Траэр + Гз г„ + SRi С. Отсюда

1+ " =1+5. (11.73)

/и 0,6/?б2С /?ба

Следовательно, при Tj,g2t сопротивление 0,2/?б2-

Выбор сопротивлении Rs и /?ki и емкости С соответственно из формул (70), (55) и (67) позволяет удовлетворить основным техническим требованиям к длительности вырабатываемого импульса и к разрешающему времени мультивибратора. Выбор остальных параметров схемы должен быть направлен на обеспечение стабильной работы мультивибратора согласно требованиям, сформулированным в п. 3. Ниже выводятся соотношения, гарантирующие выполнение этих требований.

13. Обеспечение насыщения транзистора Tj. Найденное из равенства (70) сопротивление /?б2 позволяет с учетом соотношения (72) найти ток базы (см. рис. 12)

12== а-К): (11.74)

лба «б2

здесь и в дальнейшем насыщенный транзистор заменяется коротко-замкнутым элементом. Установив нужное значение s коэффициента насыщения (см. § 8.2, п. 19), находим согласно приближенной формуле (8.25) ток насыщенного транзистора Га нз соотношения *)

W = -/j2 = «(l-). (11.75)

Из выражений (74) и (75) определяется сопротивление

КН2 + /б2 (B2 + s)/kH2

Выразив потенциал точки а (рис. 12) в состоянии покоя

I Van I = I Vsn I +/кН2 Rk2 = K £к + /кн2 Rk2, (11.77)

составим уравнение Кирхгофа для коллекторной цепи

V„nl + /?K2 (/кн2 + )=ек.

*> Если (при мощной нагрузке) исходным для режима работы транзистора является ток 12> то раньше из формулы (75) находится ток а затем из формулы (74) - сопротивление Яба-



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 [98] 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0099