Главная Импульсный режим работы



Подставив сюда выражение (77), получим уравнение, определяющее условие насыщенного состояния транзистора Т:

{KE+IRk2) l-- g j+/„„2/?K2=£„. (11.78)

14. Обеспечение насыщения транзистора Т. Из-за протекания тока -i разряда конденсатора С (см. рис. 12) ток коллектора (щ ф const. Но так как /?б2 къ то 1 i < «щ- Поэтому при определении тока /„щ допустимо считать i = const. Для удобства расчета отнесем величину / к конечной части стадии релаксации.


Рис. 16.

когда напряжение на конденсаторе близко к нулю. Тогда, полагая = /гаи = const, запишем

/кн 1 =

эр I

Ek-\V

R-m /?б2

где потенциал эмиттера в стадии релаксации

I Vep I = (/кн1 + /61) /?э = /кн1 /?э (1 + s/Bi). Подставляя это выражение в формулу (79), найдем

(11.79)

(11.80)

/кн1 =

(/?Kll /?62) + /?3(l-fs/Bi)

(11.81)

Для надежного опрокидывания системы и ускорения этого процесса должно выполняться соотношение /ш 0.5/кн2- При s/Bj < 0,05 это соотношение обычно выполняется. В противном случае следует применить транзистор с более высоким значением коэффициента усиления.

Установим условие стабильности тока /Jj. Для этого обратимся к выделенной из общей схемы (рис. 12) схеме базовой цепи (рис. 16, а), где ввиду малости сопротивлений R " /?к2 пренебрежено влиянием тока /ког- Применяя в отношении резисторов R, Ri и /?2 теорему об эквивалентном генераторе, придем к схеме (рис. 16, б), в которой э. д. с. генератора и его сопротивление (оно



играет роль управляющего сопротивления в цепи базы) выражается формулами

На схеме представлено входное сопротивление г?+ j транзистора

Tl, выражаемое формулой (8.58); источник Vgp учитывает падение

напряжения на резисторе Rg в соответствии с формулой (80). Согласно схеме ток базы

Ry\+RBx\

Рис. 17.

~ /

=- KHl

(11.82)

Для обеспечения стабильности этого тока при непостоянстве и не полной определенности величины j надо выполнить соотношение (8.30):

(11.83)

Rtxi=bRh (е<0.25),

откуда

(11.81)

16. Обеспечение запертого состояния транзистора Ti- Для этого запирающее базовое напряжение должно удовлетворять соотношению f/, > UJj., где напряжение f/ (0,1 -г 1) В определяется требуемой помехоустойчивостью мультивибратора (см. § 8.2, п. 16). Из приведенной на рис. 12 схемы видно, что

= Vgj - Vg, где потенциал Vi определяется потенциалом Va •= Van- Применяя теорему об эквивалентном генераторе, придем к показанной на рис. 17 схеме цепи базы транзистора Ti, где

£гп =

R1+R2

\Van\ =

R1+R2

(1эп1+/кн2/?к2); (11.85)

здесь использована формула (77). Сопротивление г?гп выполняет роль управляющего сопротивления цепи базы. Это сопротивление и величина управляющей э. д. с. выражаются равенствами;

Ryi = Rru=R2\\Ri; еу1 = 11эп1-1£гп1.

(11.86)

Для ослабления влияния тока /ки на состояние покоя схемы должны выполняться равенства (8.22):

еу1=11эп-(1эп + /кн2/?к2)

«7l=«2ll?l =

1-е- /,

ко 1 наиб

(11.87)

(е-<0,Б). (11.88)

R1+R2 1-8-

16. Определение коэффициентов е+ и е~. Из сравнения выражений (84) н (86) вытекает, что управляющие сопротивления



е цепи базы отпертого и запертого транзистора практически одинаковы, гак как сопротивление R2 С Ri, а > R2 Имея в виду использовать это обстоятельство только для определения значений е+ и е~, примем = Приравнивая в соответствии с этим правые части равенств (84) и (88), придем к соотношению

-=у, где Y =

/?вх I /

К01 наиб

(П.89)

В этом случае коэффициенты е+ и е~ определяются из формулы (8.92) (е- = Х8+, где I S 2).

17. Определение параметров схемы. Выше были установлены емкость конденсатора С и сопротивления резисторов 7?б2. Rm и Rg, а также значения токов (/кщ и /кнг) и вспомогательных коэффициентов (8+, е~ и Kg). Для определения сопротивлений четырех резисторов (Ri, R, R2 " кг) нашем р.1споряжеиии имеется ровно четыре уравнения: (78), (82), (84) и (87) Хотя эта система уравнений довольно громоздка, "но нахождение решения системы не представляет принципиального труда и приводит к следующим результатам:

URm\\R62)+Rb]RLi

е"" (/Kl II ад-«ВХ id+E"") S/B, „ „ R62 ih - VGin) e* + RBxl ,

Ri = R2--.-:---- R62,

Rk2 = R62

Rk2 = R62

(Xa -Иб1 n) 6 R2

e* Rz-Rbx I

(П.90)

(11.91)

(11.92) (11.93)

В формулах (90) -(93) обозначено:

sRoz

(1-е-)£„

Установленный из приведенного решения режим работы мультивибратора отличается высокой надежностью и стабильностью в заданном диапазоне рабочих температур при неизбелсном в условиях эксплуатации влиянии дестабилизирующих факторов и при действии помеховых импульсов. Если из полученного решения окажется, что Rk2 < Rk2, то можно ПриНЯТЬ R"k2 = Rk2 (Rk2 = 0).

что соответствует общеизвестной схеме [12-15, 109-113]. В более же общем случае рассматриваемая схема работает более надежно, чем общеизвестная схема.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 [99] 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195


0.0112