Главная Мощные приборы



мощные приборы

Классификация и система обозначений

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструкт1[ино технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначении

Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ II 336 919-81 и базируется на ряде классификационных признаков В основу системы обозначений положен буквснно цифровой код

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор

Для обозначения исходного материала используются следующие снмиолы

Г или 1 - для германия или его соединений, К нли 2 -для кре»1ния или его соединений,

А или 3 - для соединений галлия (практически цлн арсенида галлия, используемого для создания полевых транзисторов),

И или 4 - для соединений индия (эти соединения для производства транзисторов пока в качестве исходного материала не прнменя ются)

Второй элемент обозначения - буква определяющая подкласс (ми группу) Tpaii3HCTopa Для обозначения потклассов используется о uia из двух букв Т - для биполярных и П - для полевых транзисторов

Третий элемент-цифра, определяющая основные функциональные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности н граничную либо максимальную рабочую частоту)

Дтя обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следукуцие цифры

Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт)

1 - с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц.



2 - с ipaini4iioii частогой ботсе 3, но не более 30 МГц,

3 - с гранично"! частотой более 30 Ml ц

Для транзисторов средней моии!Ости {максичатьная мощность, ассенпаемая транзистором, более 0 3 но не более 1,5 Вт),

4 - с граничной частотой не бо lec 3 VUh,

5 - с граничной частотой более 3 но не ботее 30 МГц,

6 - с граничной частотой более 30 МГц

Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность, ассенваемая транзистором, более 1,5 Вт),

7 - с граничной частотой не более 3 МГц

8 - с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц,

9 - с граничной частотой более 30 МГц

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер раз-аботки технологического типа транзисторов

Для обозначения порядкового номера используют двухзначные исла от 01 до 99 Если порядковый номер разработки превысит чнс-о Э9, то применяют трехзначные числа от 101 до 999

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию о параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии

В качестве классификационной литеры применяют буквы русского лфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э)

Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда до-олиительных знаков при необходимости отметить отдельные сущест-внные конструктивно-технологические особенности приборов

В качестве дополнительных эпементов обозначения используют яедующие символы

цифра от 1 до 9 - для обозначения модернизаций транзистора, риводящих к изменению его конструкции или электрических пара-етров,

буква С - для обозначения наборов в общем корпусе однотипных ранзисторов (транзисторные сборки),

цифра, написанная через дефис, - для бескорпусных транзисторов, ти цифры соответствуют следующим модификациям конструктив-ого исполнения

1-с гибкими выводами без кристаллодержателя (по тложки);

2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке),

3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки),

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке),

5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (подлож-и) и без выводов (кристалл);

6 - с контактными площадками на кристаллодержателе (подлоа-е), но без выводов (кристалл на подложке)

Таким образом, современная система обозначений позволяет по аименованию типа получить значительный объем информации о войствах транзистора

Примеры обозначенич некоторых транзисторов

КТ604А - кремниевый биполярный, средней мощности, низкоча-готный, номер разработки 04, группа А,

2Т920А - кремниевый биполярный, большой мощности, высокоча-готный, номер разработки 20, группа А;

КТ937А-2 - кремниевый биполярный, большой мощности, высоко-астотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими ыводами на кристаллодержателе,



2ПС202А-2 - набор маюмощныч кремниевых полевых транзисто-пов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпуснын, с гибкими выводами на крнсталлодержателе

Для большнисгва транзисторов, включенных в настоящий справочник использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-75, которая в своей основе не отличается от описанной Однако у биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначс1[ия типа состоят из двух или трех элементов

Первый элемент обозначения - буква П, характеризующая класс биполярные транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.

Второй элемент - одно-двух- Hjih трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или предельной) частоты

от 1 до 99 - германиевые ма..омощные низкочастотные транзисторы,

от 101 до 199 - кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы,

от 201 до 299 - германиевые мощные низкочастотные транзисторы,

от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;

от 401 до 499 - германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы,

от 501 до 599-кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы,

от 601 до 699-германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы,

от 701 до 799 - кремниевые высокочастотные н СВЧ мощные транзисторы

Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) - буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Примеры обозначения некоторых транзисторов.

П213А-германиевый мощный низкочастотный, номер разработки 13, группа А;

П702А - кремниевый мощный высокочастотный, ноьгер разработки 02, группа Л

1.2. Классификация транзисторов по функциональному назначению

В настоящем справочнике, наряду с нашедшей отражение в системе условных обозначений типов транзисторов классификацией, приведена классификация биполярных транз[1сторов по частоте: низкочастотные (/гр<30 МГц); высокочастотные (30 МГц</гр< < 300 МГц), свсрхвысокочастотные (frp300 МГц).

Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на следующие группы- универсальные (низкочастотные и высокочастотные); усилительные (сверхвысокоча



[0] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0226