Главная Мощные приборы




о о.г 0,4 O.S Pg,,ST

-25 -20

10 15

гтя51л

Wfj 23 8

l/jg =0,685

Мз,05 -40

-35 -30 -25

"S

2Т351Б

/ =30 МГц

Uf,3 = 23 В

Ujg 0,SB8

2T351B

Vk328B

l/ps0,688

/ = 80 МГц

Iml 11

ZT95I/I, 2ГЭ516

U„3 = roe

/ = ЗОМГц

0 1 2 3 4 5 6 314

1"2,з\ Ik

13 12

10 3

ZT951B

Uj-- lOB

f ЗОМГц

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,B




350 150 100 50

IZ IS ZO Щв,о

Z TSSt/l, 2Г951Бг J - ГМГц

.1 1. -

1 I 2 7551В

f = 1МГЦ

Допускается работа транзксторов 2Т951А, 2Т951В на частотах выше 80 МГц, а также в диапазоне частот 1,5-30 МГц. При работе на частотах ниже 30 МГц значения Рвыг и Рк, ср снижаются на 40%. Допускается работа транзистора 2Т951Б на частотах выше 30 МГц.

Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее 1 мм от корпуса при температуре 260 °С в течение не более 8 с. Конструкция транзистора 2Т951Б обеспечивает отпайку фланца от корпуса н не менее чем трехкратную перепайку транзистора на монтажную поверхность гибридных схем при температуре напайки не выше 200 °С в течение времени не более 3 с на каждую пайку. Для отпайкн фланца от корпуса проводят локальный подогрев винта фланца, используемого для крепления транзистора только при измерении параметров.

2Т955А, КТ955А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса транзистора не более 6 г.




Параметр

- 0-

Зиачеине

Выходная мощность (f = = 30 МГц). Вт

Коэффициент усиления по мощности (/ = 30 МГц, двухтоновый! снгиал. Рвы-т (по)= 10 Вт) Коэффициент полезчого действия коллектора (/ = 30 МГц, двухтоновый сигнал, Рвых(по) - = 10 Вт). °i

Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го порядков, (/ = 30 МГц, двухтоновый сигнал, Рпих (по1= 10 Вт), дБ

Статический коэффициент передачи тока в с.\о.мс ОЭ; Г = 25 °С

Г = -60 °С 2ТЭ55А

-/=125 °С 2Т955.А. .Модуль коэффициента передачи тока на вь!сок1)й частоте (/ = = 30 МГц)

Емкость коллекторного перехода (/ = 1 МГц), пФ

Емкость эмиттерного перехода (/= 1 МГц), пФ

Полное входное сопротивление (/ = 30 МГц. Рвых(по)=10 Вт)*, 0.М

Обратньн ток коллектор - эмиттер (R6,= 10 Ом), мА; Г = 25 °С

Г= 125 °С 2Т955А Обратный ток эмиттера, мА

Индуктивность эмнттерного вывода. иГн

Индуктивность ко.тлскторного вывода. иГн

Индуктивность базового blibo-да. нГн

<Ур

Л,, .Vis 21Э 1"21э1

20 25

5 10 3,3

50» 160

35 1 0<

200»

О, 75-Ь -Ь/1

2 * 1 ,5*

2 * 2, 6» 2,4»

80 80 250 13*

75 320

1 О 20 10

(28)

0,66

О , ЬО

О, б1>

Предельные эксплуатационные даииые

Импульсное напряжение коллектор - эмнттер (?со<10 Ом)....... 70 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В

Постоянный ток коллектора .... 6 -А

Постоянный ток базы...... 2 А

Степень рассогласования нагрузки (Рвых (по) = 20 Вт) в течение 1с. . 30:1 Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (r„s£100°C)i .... 20Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 6,07 °С/Вт



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 [101] 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0102