Главная Мощные приборы



Параметр

Значение

Режим измерения

<

г, „ПР входное сопротиаленне ГГМГЦ Лых (по)=150 Вт).

Обратный ток коллектор -эмнт-

?ер W"

Г=125°С 2Т957А Обратный ток эмиттера, мА

Индуктивность вывода эмнтте-

индуктивность вывода коллектора*, иГн

Индуктивность вывода базы*, вГн

0.6-f;0,5

10* 5*

2 2,2

100 200 30

Предельные эксплуатационные данные

Импульсное напряжение коллектор - эмнттер (RslO Ом)....... 60 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В

Постоянный ток коллектора..... 20 А

Постоянный ток базы...... 7 А

Степень рассогласования нагрузки (Рвы! (по) = 70 Вт) в течение 1с... 30 : 1 Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк<100°С) .... 100 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 1,42°С/Вт

Температура перехода ...... 200°С

Температура корпуса:

2Т957А.......... 125 °С

КТ957А.......... 85 °С

Температура окружающей среды:

2Т957А.......... от-60 °С до

Т =125 °С

КТ957А.......... от-45С до

Гк = 85С

При Г„>100 °С Рк, cpmai снижается линейно.

125" "" выводов температура корпуса не должна превышать изя отсутствии контроля температуры корпуса пайка про-

врем*" паяльником, нагретым до температуры 250 °С, в течение пуск не более 8 с на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. До-ается нзгиб выводов иа расстоянии ие менее 3 мм от корпуса.



"да зг

30 28

гтз51я.

- 28 В / ЗОМГц

UJ 1-5пГц 1 1

so 80 WO т

70 60 50 40 30

гтззтл


"кэ - 28 в У = ЗОМГц

lux (по)

„ВГ 60 80 100 ,20 %,1„,,вг

40 -38 -36 -34 -32 -30

2Т351Я, КТ951Я

и„з • 28 f = ЗОМГц Л/ 1-5 кГц

60 во 100 120

ttixfno)

"2ГЗ\

5 4 3

"213

3S 30 Z5 20 16 10

2Т351Я, НТ357Я

и,-5В

гТ951Я, BT3S7fl

/ = ЗОМГц

1 2 3 h l,fl

8 10

гТ951Я, НГЭ51Я

-- 58

1„5Я



гооо то

2Т951Я, KTSSlfl

/ - тгц

->

1к 24

20 16 72 8 4

2Т957Я, НГЭ57Л

Г„ ZOOС 7„ • ЛПС

70 го 30 40 UFi.B

5 10 75 20 l (j,e

2Т958А, КТ958А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12,6 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. Масса транзистора не более 7 г.


Шероховатость контактной поверхности теплоотводов должна ыть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть ие более 0,04 мм. Тепловое сопротивление кор-Ус - теплоотвод при нанесении теплоотводящей смазки типа КТП-8 на поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3°С/Вт.

Чайка выводов допускается иа расстоянии не менее 1 мм от кор-мет* "° методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-

нчности транзисторов. Пайку производить при температуре не

Ше 270 °С в течение времени не более 5 с.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 [104] 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0736