Главная Мощные приборы



2T50itB


-SO -20 20 50

Г."С

О 0,1 0,2 0,3


Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки нывода не менее 3 мм.

2Т504А-5, 2Т504Б-5


/,5

(7,32

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные Предназначены для применения в устройствах управления газрразряднымн панелями переменного тока, в вы соковольтных ключевых стаби-.1нзаторах напряжения и пре-образоватетяч

Оформление бескорпусное с контактными нлощадкамн без кристаллодержателя, разделенные или неразделенные (на общей пластине) Л\асса транзистора не более 0,002 г.



Параметр

Гоагшшое напряжен.ю (V< 300 мкс, Q>100),B

2Т504А 5

2Т504Б-5 HjiipnAOUie 1:асы1це11ПЯ котлектор - эмиттер. В Напряжение иасыщснгя база - эмиттер,- В Статический коэффиии епт передачи тока в схе че ОЭ

Г = 25 °С

Г=125°Г

r=-GO "С Время вкиочения. мкс

Время ВЫК110ЧСИИЯ мкс

Время рассасывания»,

Граничная частота коэсЬ фнциента передачи тока в с\еме ОЭ Ц = 5 МГц). МГц

Емкость коллекторно! о перехода (/ = 50 МГц) пФ

Емкость jMiiTTepHoio перехода» {/ = 300 кГц), пФ Обратный ток коллектора чкА Т-25 °С 2Т501А 5 2Т501Б 5 7= 125 °С 2TS0U 5 2Т50»Б 5 ток эмиттера.

Обратный чкА

Значение

Режим измерения

о»

Буквенное обозначе иие

о; О (Я

<

КЭО гр

250 I 50

0, 03

КЭ „ас

0,35

(0,1)

БЭ нас

0, 84

0,4 2

1 .6

0, т

(0,1)

21 Э

вьл выьл

1 5 8 7

0,013 0.49"

2\>

0 06» I 5"

ЮО»

0, 07 3

0 5 0,5

0, 5

(0,05) (0,05)

0, 1

1 , 7

2 , 25

(0,05)

0,05

(0,5)

0,005 0,005*

20» 50

100 1 00 1000 1 ООО

400 250 250 I 50

0,002*

I 1 »

Предельные эксплуатационные данные

коллектор - эмнт-

Постоянное напряжение тер {БЭ =100 Ом)-

2Т504\ 5 . . . . 350 В

2Т504Б 5 200 В Постоянное напряжение коллектор - база:

2Т501А 5 . 400 В

2Т504Б 5 ........ 250 В

Постоянное напряжение эмигтер - база . 6 В

Постоянный ток коллектора 2 .... 1 А Импульсный ток коллектора 2 (ти<500 мкс,

Q>2) . . ... 2 А

Постоянный ток базы . . ... 0,5 А



Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гп = -60- +25 °С):

с теплоотводом . . . .

без теплоотвода. . . Температура р-п перехода .... Температура окружающей среды

10 Вт 25 мВт

130 °С -СО - -f 125 V,

При времени нарастания напряжения не менее 0,5 мчс Без превышения значения постоянной рассеиваемой мош,1,ости При температуре подложки от 25 до 125 °С для транзисторов с теплоотводом Ритах [Вт] -(150-Tu)/Rn.n, где Т„ - температура подложки, /?п, п - тепловое сопротивление переход - подложка, которое должно быть не более 12,5°С/Вт.

* При тепловом сопротивлении переход - кристалл не более 5 °С/В г

При монтаже транзисторов в микросхему нагрев кристалла не должен превышать 420 °С

20 16 1Z В

ZTSOit/iS.

ZT50hB-5

OS 0,6 0,7 OS

30 25

10 5 О

2Т50А-5,

- 5д

10"

ZT50t/l-5,

zTsat6-5

63 пас . J

0,3 0,8 0,7 06

ZTSOk/l-S, ZTSOt BS

10 >

I,,M/1



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [11] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0107