Главная Мощные приборы



КТ969А

Транзистор кремниевый планерный п-р-п усилительный. Предиа-ачен для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников.

Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 0,8 г.

16.5

-г-1

га-

- .,

Щ.-<-1 .1 1

Электрические параметры

Параметр

Буквеииое обозначение

Значение

Режим измерения

100*

lOO*

0,2*

0,25»

I ,4

1,5*

(30)

(200)

Граинчиая частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

Г=25-85<С

Г= 45°С 1раничное напряжение, В Напряжение насыщения

коллектор - эмнттер. В v„5°? коллекторного перехода (fi МГц). пФ Обратный ток коллектора:

=-45 -1-25 °С,нА nJ=85°c, мкА Г2™"й ток эмиттера, нА

КЭО гр LKa иас

КБО ЭБО

15 15

10 15 (3)

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - база 300 В Постоянное напряжение коллектор - эмиттер = оо)........ 250 В

остояниое иапряжеиие эмиттер - база . 5 В



Постоянный ток коллектора

Импульсный ток коллектора (Ти<100 мс

Q>100).........

Постоянный ток базы.....

Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора;

с теплоотводом (Гк = -45---25°С) без теплоотвода 2 (7" = -45-г+25°С)

Температура перехода .....

Тепловое сопротивление переход - корпус Тепловое сопротивление переход - среда Температура окружающей среды

100 мА

200 мА 50 мА

6 Вт 1 Вт 150 °С 21 °С/Вт 125 "С/Вт -45 +85 "С

При Т„>25С Рк max [Вт] = (150 -Т„)/21. 2 При 7->25°С Ркшах [Вт1 = (150 -Г)/125.

20 IS 12 8

птзвзя

"кз Ой

ЧнЗнацг 3

КТЭВЭА

f -- 15мП

Cfi U,S а,В 0,1 0.8 Vg,,в

0,3 0,6 0,3 !,2Ig,f/l

КТЭ69Й

л г3691

f • гомгц

12 1В 2Чи„,В

10 15




ктавяд 1

рекам

а > wa

iMKC

татичеснии » 7 em им

1 1 1 1 ч

~1В0мп

- Ыс

-Юме

T„-iso-c

10°

Разрешается производить пайку выводов при температуре 250 °С в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора. Изгиб выводов осуществляют на расстоянии не менее 5 мм от корпуса только в иаправлении, перпендикулярном плоскости выводов. Радиус изгиба не менее 1,5 мм.

При эксплуатации транзисторов следует учитывать возможность их самовозбуждения как высокочастотных элементов.

2Т971А, КТ971А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее /.С-звено. Масса транзистора не более г.


2arS <f3,Z

3 выводов транзистора допускается на расстоянии ие менее

«ее I корпуса. Пайка выводов допускается на расстоянии не ме-От корпуса при температуре 260 °С в течение 4 с.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 [110] 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0431