Главная Мощные приборы



Эдектрическве параметры

Значение

«1

в>

Параметр

<:

Выходная мощность (/=

= 175 МГц, Тк<40С), Вт

Коэффициент усиления по мощ-

ности (/=175 МГЦ, Явм1 =

"150 Вт)

Коэффициент полезного дейст-

вия коллектора (/=175 МГц,

Рвы1=150 Вт), %

Модуль коэффициента передачи

5,7»

тока на высокой частоте (/=

= 100 МГц)

Критический ток коллектора

50»

«=100 МГц), А

Постоязиая времени цепи об-

13»

ратной связи иа высокой часто-

те (/=6 МГц), пс

Емкость коллекторного перехо-

200»

240»

да (/=30 МГц), пФ

Обратный ток коллектор -эмит-

тер (/гэО=10 Ом), мА: 7-=25 °С

Г=85°С КТ971А

Г= 125 °С 2Т971А

Обратный ток эмиттера, мА:

7-=25 °С

7-=85*С КТ971А

7-=125°С 2Т971А

Индуктивность внутреннего

0,35

1.С-звена*, нГн

Емкость внутренкего 1С-звена*,

2000

Индуктивность эмиттерного вы-

0,18

вода*, иГн

0, 1

Индуктивность коллекторного

вывода*, иГн

Индуктивность базового выво-

0,56

да*, нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постояниое напряжение коллектор - эмиттер («эв<10 Ом)....... 50 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В

Постоянный ток коллектора .... 17 А

ВЧ входная мощность......- 50 Вт

КСВН коллекторной цепн (ид24В, Г„<50°С, /=175 МГц): Рпь,1<85 Вт (в течение 3 с) ... . 10 РвыхЭО Вт (длительное) .... 3 Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк<40С) . . . . 200 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 0,6°С/Вт Температура перехода...... 160°С



Температура корпуса:

2Т971А.......... 125 С

2Т971А.......... 85 »С

т/мпература окружающей средЫ:

2Т971А..........от-60 °С до

Гк=125"С

2Т971А..........от-40"С до

Гк = 85С

1 Прк Г„>40°С Рктах [Вт]=с(160-Г„)/0,6.

ISO 125 100

ггзтя нтэил

Z8B 175 МГц

too во

60 40

Кур, дБ 24

20 16 11 8

2Т971/!, КТ971Л

Рдш SOBT

и„з -28 8

-*чв

S 10 IS 20 Рд,,Вт

SO 75 100 125 150 /.МГц

"213 \

6 5 «

2 г 971/9, НТ971Я

-

1/кЗ -- 108 f = ЮОМГЦ

1кр,

60 \

50 40 SD 20 10

О 20 SO 40 50Ц,Й

уУгтэуш,

f = 100 МГц

5 10 15 го Щз,В



hOO 300 200

100 0

2 татя,

HTS71/I

J ЗОМГц

10 20 JO hO Щд, д


5 10 15 20 25и„,,ъ IlMM

2T371

l-iMM О.ЗбкГп 0.35 яГн

гоаопФ

2T980A


\Ь шм

транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5-30 МГц при напряжении питания до 50 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным виитом. Масса транзистора не более 11 г.

35 5 8




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 [111] 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0533