Главная Мощные приборы



Параметр

Буквенное обозиаче иие

Значение

ности

„оэффициент полезного дейст-1Г коллектора (f = 30 МГц, Сх («о)=250 Вт), % готический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Гпавичная частота коэффициента передачи тока, МГц Праничное иапряжеиие. В vikocTb коллекторного перехо-Г(/=> МГц), пФ Емкость эмиттериого перехода ((=3 кГц), пФ

Полное входное сопротивление (/=30 Л1Гц. Рвых (по)=250 Вт), %

Обратный ток коллектор -эмиттер. («бэ = 10 Ом). мА-

Г=25 °С

Т=125°С обратный ток эмиттера, мА

Индуктивность эмиттериого вывода, иГн

Индуктивность коллекторного вывода*. иГн

Индуктивность базового вывода, нГи

"2 1Э frp КЭО гр к

КЭ R

10"

20* 21 О*

0,62-f/0,37

1,6 2,8 i , 9

Режим измерения

ш го

450 1 5000

100 200 500

50 (0)

1 00 100 (4)

Предельные эксплуатационкые данные

Постоянное напряжение коллектор - эмит

тер (/?эс:10 Ом)......

Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора

входная мощность.....

Степень рассогласования нагрузки в тече нис 1 с (/ = 30 МГц, Рвых (00)100 Вт . Средняя рассеиваемая мощность в динами ческом режиме (Тк<30°С) . . . Тепловое сопротивление переход - корпус

Темп Темп

ература перехода ература окружающей среды

100 В

10 А 16 Вт

30: 1

300 Вт 0,57 °С/Вт 200 °С от -60 °С до 7„ = 125 °С

При Г«>30С Р„, сргааг [Вт] = (200 - 7к)/0,57.

вод"з выводов на расстоянии не более 2 мм от корпуса произ-PaccT*" температуре не более 260 °С в течение не более 8 с. На °яиии менее 2 мм температура пайки выводов ие более 150 °С.




300Р1,„(„фВт 40 4Z ♦* ЧВ 4Ь 50V,,fi

-ZSi

-27 -23 -Jl -JJ -JS -J7

гтзво/i

f JOMR /У


438 45B


200 220 240 260 280 JOOPg,,),Br 45 46 47 4B 49U„j,d

"Z!3

60 50 40 30 20 ID

0 348

2T38 aя

•ZI3 !2

10 8 6 4

2Т360Я

f = ЗОМГц



гтэъол

JOC WOC

С,,пФ

mo izao uoo

;i)0 5 10 iO SOfOU/f,.e

1000 300 800

гтзбоя

f • ЗхГц

p-n-p

2T629A-2, KT629A

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р импульсные. Предназначены для работы в быстродействующих импульсных, переключающих схемах и в усилителях высокой частоты в составе герметезированиой аппаратуры. Бескорпусиые с защитным покрытием на керамической подложке с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,02 г.


Защитное покрытие-лак ПАИ-1 ТУ6-05-211-804-72. Не допускается воздействие на транзисторы в момент монтажа в интегральную хему температуры более 200 °С, время воздействия температур не

олее 100 с. Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до оверхности транзистора 2 мм, изгиба ие ближе 0,5 мм от места вы-

°Да вывода из защитного покрытия. При монтаже рекомендуется "пользовать припой ПОС-61.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 [112] 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.027